快速轴流工业CO_2激光器的自动气压测控系统

简述快速轴流工业CO2激光器基本工作原理以及建立气压自动控制系统的必要性，对气压测控系统的设计原理进行了分析、并且提出实现这一控制过程的最佳设计方案。     

红外热像技术诊断乙烯裂解炉热故障

通过对乙烯裂解炉热故障的红诊断出裂解炉衬里损伤部位及程度,炉出口横向温度分布情况,物料管线保温状况及炉管结焦程度,从而为裂解炉的安全稳定优化运行和设备维修提供依据。     

基于CAN总线煤矿瓦斯智能节点的研究与设计

煤矿瓦斯气体监测的系统是保证煤矿生产安全的必备设备。分析国内外煤矿瓦斯气体监测系统特．羔．提出基于CAN总线煤矿瓦斯气体监测的网络系统。着重介绍以P80C592单片机作为CAN总线煤矿瓦斯智能节点．研究设计CAN总线通信接口电路、MAX306数据采集电路以及相应的软件设计等。通过研究设计表明智能节点具有简单明了、体积小、性能高、成本低廉、抗干扰能力强等特点,能够满足煤矿瓦斯气体监测的网络系统要求。     

基于谱聚类集成的变压器在线故障诊断

为了提高基于油中溶解气体分析技术(DGA)的变压器故障诊断准确率,本文提出了一种基于谱聚类集成的变压器在线故障诊断(TOFD-SCE)方法.以加权二次抽样算法抽取样本、构建基础谱聚类的样本集,以基础谱聚类学习问题的局部知识;平衡多样性与正确性选择集成成员;集成多个成员谱聚类的结果来提高变压器故障诊断的准确率.传统变压器故障诊断方法基于历史数据建立模型,缺乏在线学习的能力;TOFD-SCE利用历史与在线新增两种DGA数据来训练、修正模型,提高了其故障诊断的准确率.对SSP300000/500型变压器的故障诊断实验结果表明:TOFD-SCE的准确率优于IEC三比值法、BP神经网络法及支持向量机法,验证了其有效性.     

可伐合金与玻璃一步封接工艺的研究

研究了玻璃与具有Fe3O4氧化膜的可伐合金的封接工艺。结果表明最佳熔封温度为980℃,熔封时间为30 min。在此基础上,开发出将脱碳、氧化和熔封集于一个升降温周期的一步封接工艺。该工艺是将未氧化的可伐合金和玻坯首先升温至500℃并氧化40 min,而后升温至980℃并保温30 min,最后缓慢降至室温。结果表明,当采用该工艺时,与传统工艺相比不仅能简化操作,而且封接件的封接质量更高、可靠性更好。     

仪器仪表产品脉冲耐压试验要求和保护器件的选择

仪器仪表产品的脉冲耐压试验是产品型式试验、例行试验中的基本内容.通过对GB4793.1标准的整理,归纳了仪器仪表产品的脉冲耐压试验要求.通过对试验方法和设备特性的梳理,总结了特性参数,并介绍了应对脉冲耐压试验可采取的保护器件的类别及选用方法.     

分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉研究

针对远红外探测器衬底制造对高品质碲锌镉单晶材料的需求,为了满足高品质碲锌镉单晶生长对高纯度原材料的需要,基于区熔提纯原理与工艺实现方法设计出一种由区熔炉炉体、移动加热装置、气路系统和电气控制系统等组成的分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉。采用氢气除杂、氮气保护和伺服机构控制加热温度场移动的方法来实现区熔提纯。在区熔窄区宽度为15 mm和倾斜角度为7°的条件下,开展了碲、锌和镉等原材料的区熔提纯实验。结果表明,当加热温度高于材料熔点50 K且移动速度为0.006 mm·s^-1时,区熔加热装置往复移动10次以上,可将碲锌镉晶体制备所需的原材料纯度由6N (99.9999%)提高到7N (99.99999%);分布式碲锌镉晶体制备材料区熔提纯炉的加热温度、加热装置移动速度和移动稳定性较好。     

Improved CO2 Capture from Flue Gas by Basic Sites,Charge Gradients,and Missing Linker Defects on Nickel Face Cubic Centered MOFs

The adsorptive properties of the isoreticular series [Ni₈(OH)₄(H₂O)₂(BDP_X)₆] (H₂BDP_X = 1,4‐bis(pyrazol‐4‐yl)benzene‐4‐X with X = H (1), OH (2), NH₂ (3)) can be enhanced by postsynthetic treatment with an excess of KOH in ethanol. In the case of X = H, NH₂, this treatment leads to partial removal of the organic linkers, deprotonation of coordinated water molecules and introduction of extraframework cations, giving rise to materials of K[Ni₈(OH)₅(EtO)‐(H₂O)₂(BDP_X)_5.5] (1@KOH, 3@KOH) formulation, in which the original framework topology is maintained. By contrast, the same treatment with KOH in the [Ni₈(OH)₄(H₂O)₂(BDP_OH)₆] (2) system, enclosing the more acidic phenol residues, leads to a new material containing a larger fraction of missing linker defects and extra‐framework cations as well as phenolate residues, giving rise to the material K₃[Ni₈(OH)₃(EtO)(H₂O)₆(BDP_O)₅] (2@KOH), which also conserves the original face cubic centered (fcu) topology. It is noteworthy that the introduction of missing linker defects leads to a higher accessible pore volume with a concomitant increased adsorption capacity. Moreover, the creation of coordinatively unsaturated metal centers, charge gradients, and phenolate nucleophilic sites in 2@KOH gives rise to a boosting of CO₂ capture features with increased adsorption heat and adsorption capacity, as proven by the measurement of pulse gas chromatography and breakthrough curve measurements of simulated flue gas.     

Conjugated Polymers of Intrinsic Microporosity (C‐PIMs)

Conjugated microporous polymers (CMPs) have shown great potential for energy and environmental issues, however, poor solubility and processability of most of these materials limit their applications. Herein, a range of linear conjugated polymers of intrinsic microporosity (C‐PIMs) is reported, combining for the first time the properties of conjugated microporous polymers, such as tunable electronic properties and compositional variation, with those of linear polymers of intrinsic microporosity (PIMs) allowing for solution processability and film formation. These soluble materials have a number of potential applications, for example as components in devices where large, porous interfaces are combined with extended electronic conjugation.     

纳米氧化钨薄膜改性的大孔硅气敏传感器

通过双槽电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备了大孔硅。然后通过直流对靶反应磁控溅射法在大孔硅表面淀积了纳米氧化钨薄膜。使用场发射扫描电子显微镜（FESEM）观察大孔硅和氧化钨/大孔硅样品的形貌。分别使用X射线衍射（XRD）图谱和X射线光电子能谱（XPS）分析氧化钨晶体结构和钨的化合价。在室温下测试大孔硅和氧化钨/大孔硅气敏传感器的气敏特性。结果表明：氧化钨/大孔硅气敏传感器表现出了P型半导体气敏传感器的气敏特性。它对1ppm的二氧化氮显示了良好的恢复特性和重复性。氧化钨/大孔硅气敏传感器的长期稳定性要好于大孔硅气敏传感器。氧化钨的添加提高了大孔硅气敏传感器对二氧化氮的灵敏度。氧化钨/大孔硅气敏传感器对于二氧化氮的灵敏度要高于其对氨气和乙醇的灵敏度。通过淀积纳米氧化钨薄膜,改善了大孔硅对二氧化氮的选择性。