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101.
为研究基体合金对B4C/Al复合材料力学性能及抗弹性能的影响,选择强度、硬度和塑性各不相同的5083Al、2024Al和7075Al铝合金为基体合金,采用压力浸渗工艺制备B4C颗粒增强体积分数为55%的B4C/5083Al、B4C/2024Al和B4C/7075Al复合材料,并对其进行力学性能和抗弹性能测试。结果表明:3种B4C/Al复合材料的力学性能特征与基体铝合金相对应,B4C/7075Al复合材料的强度和硬度最高,抗侵彻能力最好,侵彻深度为15.7 mm,防护系数为4.13;B4C/5083Al复合材料的塑性最好,其靶板整体能力最好。  相似文献   
102.
In the case of N-type solar cells,the anti-reflection property,as one of the important factors to further improve the energy-conversion efficiency,has been optimized using a stacked Al2O3/SiNx layer.The effect of SiNx layer thickness on the surface reflection property was systematically studied in terms of both experimental and theoretical measurement.In the stacked Al2O3/SiNx layers,results demonstrated that the surface reflection property can be effectively optimized by adding a SiNx layer,leading to the improvement in the final photovoltaic characteristic of the N-type solar cells.  相似文献   
103.
硅烷偶联剂对太阳电池铝浆性能的影响及分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
在晶体硅太阳电池制造过程中,铝电极是通过丝网印刷-烘干-烧结制成的。该过程中铝电极膜层与传送网带发生相对摩擦,易导致铝膜表面产生划痕、起灰。重点研究了添加不同质量分数w(硅烷偶联剂)(0.5%~3.0%)对铝浆有机载体的表面张力、铝膜表面划痕、起灰、导电性能的影响规律。结果表明:当w(硅烷偶联剂)为2.5%时,有机载体的表面张力可从约30mN/m降低至25.69mN/m,提高了铝粉颗粒之间以及铝膜与硅片之间的黏附作用,从而减少划痕和灰化,进而可使铝电极的接触电阻由0.60?降低至0.19?。  相似文献   
104.
The effects of the process parameters of ultrasonic power and normal bonding force on bond formation at ambient temperatures have been investigated with scanning electron microscopy (SEM) and energy-dispersive x-ray (EDX) analysis. A model was developed based on classical microslip theory1 to explain the general phenomena observed in the evolution of bond footprints left on the substrate. Modifications to the model are made due to the inherent differences in geometry between ball-bonding and wedge-bonding. Classical microslip theory describes circular contacts undergoing elastic deformation. It is shown in this work that a similar microslip phenomenon occurs for elliptical wire-to-flat contacts with plastically deformed wire. It is shown that relative motion exists at the bonding interface as peripheral microslip at lower powers, transitioning into gross sliding at higher powers. With increased normal bonding forces, the transition point into gross sliding occurs at higher ultrasonic bonding powers. These results indicate that the bonding mechanisms in aluminum wire wedge-bonding are very similar to those of gold ball-bonding, both on copper substrate. In ultrasonic wedge-bonding onto copper substrates, the ultrasonic energy is essential in forming bonding by creating relative interfacial motion, which removes the surface oxides.  相似文献   
105.
铝焊垫表面残留物的检测是确保铝焊垫质量的重要指标.俄歇电子能谱仪(AES)由于检测区域小、表面分析灵敏度高,被广泛用于集成电路(IC)芯片制造中铝焊垫的表面成分分析,但荷电效应的存在常常会影响俄歇分析的结果.铝焊垫分析过程中,消除或者减少荷电效应是保证俄歇分析结果正确的前提.从优化俄歇电子能谱仪分析条件(比如降低入射电压、倾斜样品载物台、Ar+离子中和)和使用辅助方法改善样品导电性两大方面,介绍了几种减少荷电效应的有效方法,提出了铝焊垫俄歇分析的基本流程.结果表明,此分析流程能有效提高分析效率,为业内俄歇分析人员提供借鉴.  相似文献   
106.
高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜.采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在成核层上高温生长AlN外延层,研究了不同成核层对AlN外延层质量的影响.通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对成核层AlN薄膜的表面形貌进行表征;使用高分辨X射线衍射仪对AlN外延层晶体质量进行表征,结果表明:在溅射成核层上生长的AlN外延层的晶体质量有显著提高.使用大型工业MOCVD在蓝宝石衬底上成功制备出中心波长为282 nm的可商用深紫外LED,在注入电流为20 mA时,单颗深紫外LED芯片的光输出功率达到了1.65 mW,对应的外量子效率为1.87%,饱和光输出功率达到4.31 mW.  相似文献   
107.
采用BaO-Al2O3-SiO2(BAS)微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,在氧化铝陶瓷表面低温烧结Mo金属化层。研究了金属化烧结温度及BAS含量对样品抗拉强度的影响,讨论了金属化机理。结果表明:以BAS微晶玻璃的母体玻璃作为烧结助剂,可在1500~1550℃烧成Mo金属化层,金属化层致密,连接样品的抗拉强度大于260 MPa。  相似文献   
108.
脉冲激光沉积制备c轴取向AlN薄膜   总被引:3,自引:1,他引:3  
c轴取的AlN具有优异的压电性和声表面波传输特性,已受到人们日益广泛的重视。文章报道了采用KrF脉冲准分子激光沉积工艺,在Si(100)衬底上成功地制备了c轴取向的AlN晶态薄膜。X射拇衍射与傅里叶变换红外光谱的结果表明,在300℃-800℃衬底温度下,薄膜均只有(002)-一个衍射峰,但随着温度的升高,薄膜的结晶质量变好;  相似文献   
109.
LF4、LF11、LF21、LY12铝合金的激光拼焊研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
采用5kW级横流CO_2激光器进行了LF4、LF11、LF21和LY12铝合金的拼焊实验,研究了合金种类、辅助气体对焊接的影响,在金相显微镜下观察显微组织并测试其显微硬度。  相似文献   
110.
沈建冬  高瑜 《电子科技》2007,(11):74-76,79
全自动在链阳极钢爪校直机是用于铝电解组装车间的新型自动化设备。通过对该设备的结构、工作原理、液压系统及其操作要求的分析,研制了基于S7-300型PLC和PV1000触摸屏的控制系统。该系统具备自动加热、校直运行、在线监视、离线故障检测和多台设备协同工作的功能。描述了该控制系统的软、硬件设计方法及其特点。  相似文献   
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