0.13μm DSP芯片静态电流测试失效分析研究

静态电流(IDDQ)测试是一种很灵敏且具有成本效益的集成电路测试技术,针对0.13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升.     

某图像记录仪输出故障的排除方法

本文针对某型装备任务设备视频记录仪工作异常,从工作原理着手,进行机理分析,建立故障树,逐层深入排查,最终完成故障定位和排除,此方法可给同类设备故障排除提供一种借鉴。     

随机共因失效条件下战时合成部队携行备件配置优化研究

装备群在执行作战任务过程中通常会发生共因失效事件,分析共因失效故障对实现装备群的精确化保障具有现实意义。针对战时合成部队装备群遂行任务时,装备携行备件配置优化模型中没有考虑装备受击故障这一类随机共因失效的问题,提出了随机共因失效条件下的备件配置优化方法。建立了装备故障相关条件下的备件需求模型和多约束条件下的携行备件配置优化模型,引入拉格朗日乘子,利用边际效应法求出最优配置方案通过实例对该方法的可行性进行验证。研究结果表明,在装备随机共因失效条件下,所建立的模型可以为多约束携行备件配置优化提供模型参考。     

复合材料结构用高锁螺栓的动态复合加载失效特性

为研究复合材料结构用高锁螺栓的动态复合加载失效特性,基于高速液压伺服材料实验机设计专用的实验支持装置,提出碰撞式实验加载方法。实现中国商用飞机有限责任公司紧固件工艺标准CFBL1001-6-6/CFNT1003CY6抗剪型高锁螺栓在0.01 m/s、0.10 m/s、1.00 m/s加载速度及纯拉伸、30°拉伸-剪切耦合、45°拉伸-剪切耦合、60°拉伸-剪切耦合、纯剪切状态下的失效测试,并基于实验结果拟合得到高锁螺栓的失效参数。结果表明：提出的测试方法能够有效获取高锁螺栓的动态失效参数;CFBL1001-6-6/CFNT1003CY6高锁螺栓的失效模式和失效载荷受加载方式影响较大,受加载速度影响较小;拟合获得的失效方程可较好地表征高锁螺栓的失效特性。     

基于故障机理与随机线性模型的电子产品寿命预测

为解决传统可靠性评估方法存在的局限性以及普通线性模型在描述产品退化过程中存在的不足,提出一 种基于故障机理与随机线性退化模型的寿命预测方法。对产品的故障模式及机理进行研究,运用随机线性模型对产 品的关键性能特征参数进行建模分析,采用极大似然估计的方法求解模型中的未知参数,并对产品的寿命与可靠性 进行预测。实验结果表明：该方法具有较好的预测精度和一定的小样本处理能力,对电子产品的寿命与可靠性预测 具有一定的参考意义。     

多故障的测试序列问题研究

针对武器装备发生多故障的实际情况,提出了一种新的多故障的测试序列优化方法.用实例阐明了单故障诊断策略隔离多故障可能会出现错误的结论;通过掩盖故障、碰集与最小集合覆盖的定义建立了故障源间的映射关系,使得可用求解集合覆盖的方法获得所有元件的掩盖故障;通过对单故障诊断策略扩展的方法获得多故障的测试算法,该算法扩展的对象是存在...     

数字同轴全息油液磨粒形貌检测技术的研究

提出一种基于数字同轴全息三维成像理论的油液磨损颗粒检测新技术,该技术同时具有颗粒计数、颗粒成像及形态、形貌识别分类等功能,可为基于油液分析的机械设备状态监测和磨损故障诊断提供新的检测手段.对数字同轴全息用于油液磨损颗粒检测的原理、特点及系统软硬件组成等进行了详细介绍,并进行了实验验证,实验结果证明了该技术的可行性.     

浅析提高锚雷雷索生命力的方法

雷索是锚雷的重要组成部分,其强度及寿命等直接影响着锚雷的生命力。通过对锚雷雷索受力分析和失效原因分析,介绍了影响雷索强度的主要因素,提出了降低雷索强度损失和提高雷索生命力的方法。     

浅谈电动自行车电池

文中阐述了电池的充电技术及其与电动车各部件的关系、电池失效的原因和电池的更换,便于加深对电动自行车电池的了解和电池的正确使用。     

Comparison of the effects of ionizing radiation at twelve dose rates from 0.0015 to 100 rad(Si)/s

Evidence is presented that two competing failure mechanisms exist in the Si-SiO₂ system with one mechanism dominating at low dose rates and the other at high. Much lower dose failures than expected were discovered at low dose rates (<0.1 rad(Si)/s) and very low dose rates (∼0.001 rad(Si)/s) in commercial SGS 4007 CMOS devices. These failure doses plotted versus dose rate have a bell-shaped curve, rather than the expected straight line (decreasing with increasing dose rate), indicating that a different failure mechanism is dominant at low dose rates than at high.