真空荧光显示器件及驱动技术

ＶＦＤ在平板显示中占有重要地位，本文简述了其发光原理和发展现状，讨论了各种ＶＦＤ的结构特点和驱动方法，并介绍了专用的集成电路。     

蓝宝石衬底上原子级光滑AlN外延层的MOCVD生长

在蓝宝石衬底表面无氮化、低Ⅴ/Ⅲ比的情况下,采用1200℃的衬底温度、5kPa反应室气压,用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出了表面原子级光滑的AlN外延层.原子力显微镜测试表明其平均粗糙度为0.44nm,X射线衍射(0002)回摆曲线FWHM为166".实验结果和分析表明,极性和气相反应是影响AlN表面形貌的主要原因.以原子级光滑的AlN为模板生长出了高质量的高Al组分的n型AlGaN,证实了AlN模板具有较好的质量.     

LSI低成本制备Cf/SiC复合材料工艺研究

采用一次性液相硅浸渍法(LSI)制备低成本的Cf/C-SiC复合材料。以PAN基平板碳毡为增强体,在酚醛树脂溶液中添加碳化硅微粉,探讨添加碳化硅浓度、浸渍压力及保压时间等因素对一次液相浸渍效果的影响。通过显微分析,当压力为1.2 MPa,浸渍时间为60 min时,可以获得最大的致密度,最终复合材料密度达2.64 g/cm3。     

基于最优扫描结构的分形IP核设计

描述平板显示系统中最优扫描结构所对应的自相似分形拓扑结构图,提出分形扫描核心模块架构,分析n位分形扫描的递推结构,研究扫描过程中的子空间码与位码序列的关键特征,推导出序列生成的通用逻辑算法。在此基础上,设计了适合各种灰度等级的参数化的分形IP核并得到仿真结果,同时给出了分形IP核的系统应用,证明所设计的IP核可以有效提高灰度扫描的利用率和FPD画面质量。     

全密封超薄碳纳米管玻璃平板字符显示器件制造工艺的初步探讨

利用自制的场助热丝化学气相沉积设备，在不锈钢电极的部分选取表面上，摸索出了直接生长碳纳米管（CNT’s）勿须涂敷催化剂的新方法。利用得到的高定向多壁碳纳米管薄膜，研究出一种制造大面积实用碳纳米管阵列场发射（CNT’s／FEA）阴极的新方法。经真空条件下的发射特性测量及SEM等检测手段肯定了这种CNT’s／FEA阴极的实用性。从工艺流程角度出发，初步探讨了静态工作制式下，采用碳纳米管做电极后，实现一种全密封超薄碳纳米管玻璃真空字符（或图像）显示器件的可能性。10多只封离管共显示过3种类型的字型（图像），全部管厚仅为2．7mm。实验结果不仅提供了一种碳纳米管阴极在玻璃真空平板型器件内应用的方法，也摸索出了一条实现小尺寸双色（或多色）字符（图像）静态（或动态）显示的廉价、节能途径。     

基于F型管壳的旋转缝焊技术研究

本文深入研究了旋转缝焊技术,讨论了缝焊中焊边受力、速度变化和热量分布情况,分析了影响旋转缝焊气密性的主要因素.     

pMOSFET中栅控产生电流的衬底偏压影响研究

研究了pMOSFET中栅控产生电流(GD)的衬底偏压特性。衬底施加负偏压后,GD电流峰值变小;衬底加正向偏压后,GD电流峰值增大。这归因于衬底偏压VB调制了MOSFET的栅控产生电流中最大产生率,并求出了衬底偏压作用系数为0.3。考虑VB对漏PN结的作用,建立了包含衬底偏压的产生电流模型。基于该模型的深入分析,很好地解释了衬底负偏压比衬底正偏压对产生电流的影响大的实验结果。     

电光源科技发展趋势

本文对电光源发展的现状进行了分析,并对电光源发展趋势及应用前景进行了展望。     

交叉极化比对平板天线动中通收发系统性能的影响

交叉极化比是平板天线卫星动中通系统设计和加工的产物,它是衡量系统性能的一项重要参数。针对交叉极化比导致的极化误差,重点研究了交叉极化比对平板天线卫星动中通信号发射和接收系统的影响。通过理论推导和实际测试,结果表明不合理的交叉极化比会导致较大的极化误差,降低发射系统的发射效率,减小接收系统信噪比,导致系统性能恶化。为减小交叉极化的影响,建议等效口径0.6 m的平板天线卫星动中通的交叉极化比指标不小于30 dB。     

Microstructures and degradation of heat sink very-thin quad flat package no-leads Pb-free Sn-Ag-Cu solder joints after thermal aging

Heat sink very-thin quad flat package no-leads (HVQFN) packages soldered with Sn-3.8Ag-0.7Cu on metallized laminate substrates have been put to thermal aging. Temperatures from 140°C to 200°C for times up to 30 weeks were applied. The solder joint microstructure develops intermetallic compound layers and voids within the solder. Due to this, the mechanical reliability of the HVQFN inner lead solder joints is degraded. The intermetallic layers are of the type (Cu, Y)₆Sn₅, with Y=Ni, Au or Ni+Au, as well as Cu₃Sn, and follow a power law with aging time: X=C·tⁿ, where n=0.4 to 1.9 depending on temperature. The voids within the solder are attributed to Sn depletion of the solder in favor of the growth of (Cu,Ni)₆Sn₅. They are more pronounced the less the solder volume is in proportion to the intermetallic diffusion area. The amount of voids is quantified as a percentage of the residual solder. The time to reach the failure criterion of 50%, i.e., t_50%, is related to the absolute temperature according to an Arrhenius equation with an activation energy E_a=0.95 eV. This equation is used for determination of the maximum allowable temperature at a certain required operating lifetime.