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Microfluidics: Inertial Microfluidic Cell Stretcher (iMCS): Fully Automated,High‐Throughput,and Near Real‐Time Cell Mechanotyping (Small 28/2017) 下载免费PDF全文
82.
以Cernox(CX-1050、CX-1030)和氧化钌(RX-202、RX-102)温度传感器为研究对象,研究了其在0—35 T场强、0.75—69.5 K温区下的磁致电阻效应。实验结果表明:CX-1050和RX-202的磁效应和在35 T下的测量误差都随温度的变化出现正负磁效应和正负温度误差交替的现象,且低于10 K时,磁效应随温度的变化率明显增大,在35 T、4.2 K处CX-1050和RX-202的磁效应分别为-6.63%、2.21%;总体来说强磁场下受磁阻影响由小到大分别为RX-202、CX-1050、CX-1030、RX-102,尤其RX-202,在1—35 T、4.2 K以下产生的测量误差小于-0.1 K。Cernox和氧化钌温度传感器受磁场的影响都较小。 相似文献
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建立了氮极性(N-polar)GaN基HEMT器件的准二维(Quasi-2-D)电荷传输模型,仿真研究了N-polar GaN基HEMT的直流特性。仿真结果表明,不同的极化效应会对输出特性曲线和转移特性曲线产生不同的影响,考虑自发极化效应(Psp)+压电极化效应(Ppe)、只考虑Ppe和只考虑Psp三种情况下的阈值电压分别为:-3.96V、-2.29V和-2.47V,而其对应的峰值跨导则分别为44mS/mm、41.2mS/mm和41.3mS/mm。该模型为N-polar GaN基HEMT器件仿真提供了理论参考。 相似文献
84.
85.
Data conversion from a 3D raster to spiral coordinates is the key function in the scanning process for Roll Powder Sintering (RPS) additive manufacturing technology. Conversion process is especially important, as it produces the basis for a processed object. There are many equations for such conformal transformation, but there is still room to improve the computation efficiency. This paper presents an efficient conversion algorithm, which processes 3D objects and linear transforming it into rolling ribbon. The new algorithm has several significant advantages over the old ones due to applying only one main linear equation. The program based on the linear algorithm is simpler, more compact and faster in comparison to other programs which use trigonometric, transcendental or other equations. The proposed algorithm has been developed and extensively tested on several parts of computer-aided design models for RPS processing. 相似文献
86.
采用交联改性的方法对较低分子量的乙烯基硅橡胶进行了改性研究,制备了高通量的富氧膜,结合单因素实验法和Design-expert正交实验设计,考察了原料配比、交联反应时间、固化温度和固化时间等因素对富氧膜性能的影响,确定了最佳富氧性能膜的制备条件:原料配比4.3,反应时间2.15h,固化温度86.25℃,固化时间1.75h;获得了富氧浓度为28.68%,透气量为4696.33 barrer的富氧膜,该膜的富氧浓度与常规商品化膜相当,透气量为常规商品化膜的2~4倍,有应用于发动机富氧进气系统的前景。通过扫描电镜检测、机械性能检测等手段对复合膜进行了进一步表征。 相似文献
87.
88.
STLING Mikael 《中国科学:信息科学(英文版)》2011,(5):1087-1093
Silicon carbide (SiC) semiconductor devices for high power applications are now commercially available as discrete devices. Recently Schottky diodes are offered by both USA and Europe based companies. Active switching devices such as bipolar junction transistors (BJTs), field effect transistors (JFETs and MOSFETs) are now reaching the market. The interest is rapidly growing for these devices in high power and high temperature applications. The main advantages of wide bandgap semiconductors are their very hi... 相似文献
89.
90.
Leland Jameson 《Journal of scientific computing》2000,15(4):417-439
For energetic flows there are many advantages of high order schemes over low order schemes. Here we examine a previously unknown advantage. It is commonly thought that the number of points per wavelength in order to obtain a given error in a numerical approximation depends only on runtime and the order of the approximation. Using truncation error arguments and examples we will show that it is not a constant and depends also on the wavenumber. This dependence on the numerical order and wavenumber strongly favors high order schemes for use in flows which have significant energy in the high modes such at Rayleigh–Taylor and Richtmyer–Meshkov instabilities. 相似文献