600 A IGBT开关电路及其散热系统设计

采用IGBT开关电路，对大功率电阻带进行直流脉宽调制控制，实现了内燃机车大功率直流发电机负载实验中的负载大小的连续调节。为了避免在实验过程中IGBT器件的温度过高，采用独特的双管IGBT结构和双向强迫风冷的散热系统。实验表明该电路运行稳定、可靠。     

磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究

微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.本文根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.     

电子电路中抗EMI设计

电磁干扰(EMI)可分为传导干扰和辐射干扰,消除干扰的方法可以采用硬件方法和软件方法,硬件方法主要有屏蔽、接地、隔离和滤波等,而软件方法主要是滤波。笔者对各种方法进行总结,并指出各种方法所存在的问题以及适用场合,并对一些常用方法提出改进措施。     

Magnetic effects of direct ion implantation of Mn and Fe into p-GaN

In p-GaN implanted with Mn (3×10¹⁶ cm⁻² at 250 keV), the material after annealing shows ferromagnetic properties below 250 K. Cross-sectional transmission electron microscopy (TEM) revealed the presence of platelet structures with hexagonal symmetry. These regions are most likely Ga_xMn_1−xN, which produce the ferromagnetic contribution to the magnetization. In p-GaN implanted with Fe, the material after annealing showed ferromagnetic properties at temperatures that were dependent on the Fe dose, but were below 200 K in all cases. In these samples, TEM and diffraction analysis did not reveal any secondary phase formation. The results for the Fe implantation are similar to those reported for Fe doping during epitaxial growth of GaN.     

碱法造纸黑液驱油研究

在玻璃细珠充填柱人造岩心模型上进行了碱法造纸黑液驱替稠油的实验研究，考察了稠油酸值、盐、温度、岩心渗透率、注入量和注入方式的影响。在实验条件下碱法造纸黑液驱稠油的采收率较水驱提高２５％     

回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响

从铁磁质的磁化强度一般表示式出发，探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响，导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。     

游梁式抽油机二次平衡分析

为解决游梁式抽油机能耗大、效率低的问题，设计了二次平衡装置。这种装置通过是挂在抽油机后端的平衡重的平衡作用，降低一次平衡曲柄轴净扭矩的两个峰值，达到减少能耗提高效率的目的。对抽油机的二次平衡作了较详尽的理论分析，给出了实行二次平衡后曲柄轴净扭矩的计算公式和安装二次平衡装置前后曲柄轴净扭矩曲线图。在大庆油田两口井上进行的现场试验结果表明，安装二次平衡装置后，两口井年节约电费分别为0.25万元和1．17万元，经济效益明显。     

垂直磁记录介质薄膜研制的新途径(英文)

本文阐述了铝氧化电沉积法获得磁记录材料的基本原理,研究了铝交流氧化膜中沉积磁性金属及其合金制备垂直磁记录薄膜的新途径,建立了铝交流氧化电沉积法,探讨了氧化膜的结构和磁特性的关系。     

烧结NdFeB合金中的夹杂物

使用金相显微镜、扫描电镜及Ｘ射线能谱和波谱观察并分析了ＮｄＦｅＢ烧结材料中夹杂物的形态、数量和组成。磁粉制备后立即烧结的ＮｄＦｅＢ磁体中的夹杂物是氧化钕；而在不同环境条件下放置后的ＮｄＦｅＢ粉再烧结的材料中发现，除了氧化钕的夹杂物外，还有钕的氮化物及钕的氮氧复合夹杂物。同时还论讨了这些夹杂物对于ＮｄＦｅＢ材料磁性能的影响。     

碳纳米管(CNT)场发射显示器的关键技术的研究

对碳纳米管阴极的制备以及场发射显示器的真空封装技术进行了研究.利用一种新的碳纳米管生长工艺制备出了具有优良场发射性能的碳纳米管阴极.并将这种直接生长的碳纳米管薄膜作为阴极,结合一种弹性封装工艺,开发了一种具有简单字符显示功能的场发射显示器.该显示器在较低的工作电压下就可获得高亮度的显示效果,并且器件的亮度与驱动电压成较好的线性关系,这将有利于未来的碳纳米管场发射显示器实现高亮度和多级灰度显示.器件的持续工作寿命测试已经超过5500小时,充分验证了碳纳米管作为场发射阴极的应用潜力.