全文获取类型
收费全文 | 39846篇 |
免费 | 3911篇 |
国内免费 | 2175篇 |
专业分类
电工技术 | 1923篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 2665篇 |
化学工业 | 10095篇 |
金属工艺 | 1583篇 |
机械仪表 | 2001篇 |
建筑科学 | 3833篇 |
矿业工程 | 1975篇 |
能源动力 | 1084篇 |
轻工业 | 6768篇 |
水利工程 | 770篇 |
石油天然气 | 2008篇 |
武器工业 | 283篇 |
无线电 | 2834篇 |
一般工业技术 | 3912篇 |
冶金工业 | 1479篇 |
原子能技术 | 680篇 |
自动化技术 | 2038篇 |
出版年
2024年 | 192篇 |
2023年 | 681篇 |
2022年 | 977篇 |
2021年 | 1400篇 |
2020年 | 1490篇 |
2019年 | 1433篇 |
2018年 | 1336篇 |
2017年 | 1453篇 |
2016年 | 1587篇 |
2015年 | 1564篇 |
2014年 | 2416篇 |
2013年 | 2517篇 |
2012年 | 2899篇 |
2011年 | 2827篇 |
2010年 | 2112篇 |
2009年 | 2182篇 |
2008年 | 1936篇 |
2007年 | 2522篇 |
2006年 | 2187篇 |
2005年 | 1938篇 |
2004年 | 1575篇 |
2003年 | 1411篇 |
2002年 | 1205篇 |
2001年 | 1016篇 |
2000年 | 938篇 |
1999年 | 801篇 |
1998年 | 642篇 |
1997年 | 544篇 |
1996年 | 395篇 |
1995年 | 363篇 |
1994年 | 254篇 |
1993年 | 258篇 |
1992年 | 195篇 |
1991年 | 120篇 |
1990年 | 103篇 |
1989年 | 74篇 |
1988年 | 68篇 |
1987年 | 47篇 |
1986年 | 35篇 |
1985年 | 49篇 |
1984年 | 46篇 |
1983年 | 31篇 |
1982年 | 23篇 |
1981年 | 25篇 |
1980年 | 21篇 |
1979年 | 10篇 |
1978年 | 7篇 |
1976年 | 5篇 |
1959年 | 3篇 |
1951年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
991.
基于介质上电润湿的液滴产生器的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
根据介质上电润湿的基本原理,对用于数字微流控系统的"三明治"结构器件中影响液滴输运和产生的因素进行了理论分析,并研制出了一种新型液滴产生器原型:液体被夹在上下两个电极板之间;下极板采用硅作为衬底、LPCVD掺杂多晶硅微电极阵列上热氧化生长的的SiO2薄膜作为介质层;上极板采用ITO透明导电玻璃板作为地电极;另外,在上下极板的表面都均匀旋转涂覆了一层30 nm厚的Teflon薄膜为表面疏水层.实验结果表明,在空气气氛中,该器件在10 Hz 70 V的脉冲电压下成功地实现了从蓄水池中对去离子水滴的分发. 相似文献
992.
本文建立了真空电弧镀膜中液滴热过程的理论模型,求解了沉积TiN膜过程中液滴的温度与粒径变化。计算表明,液滴在飞行过程中温度和粒径不断减小;粒径较小的液滴温度降低较大,甚至可能发生凝固。计算实例能较好解释早期TiN膜的电镜分析结果,揭示液滴在薄膜中引起两种不同微孔的机理。 相似文献
993.
994.
基于液晶的电场调控特性及激光染料作为增益介质的增益模型,通过传输矩阵法理论研究了液晶染料填充一维光子晶体局域模的电场调控及其光激发特性。数值结果表明:随着垂直入射光和电场方向的夹角θ的增大,局域模波长向短波方向移动;当角度θ在(0°,90°)范围内变化时,局域模波长最大调控量达56.7nm;激光染料泵浦后不改变局域模的位置,但局域模的透射率变大了;随着增益系数的增大,局域模透射率先增大后减小,不同局域模对应不同的泵浦阈值,并且随着夹角θ的增大局域模对应的泵浦阈值将减小。 相似文献
995.
996.
997.
E. P. G. Smith G. M. Venzor M. D. Newton M. V. Liguori J. K. Gleason R. E. Bornfreund S. M. Johnson J. D. Benson A. J. Stoltz J. B. Varesi J. H. Dinan W. A. Radford 《Journal of Electronic Materials》2005,34(6):746-753
Inductively coupled plasma (ICP) using hydrogen-based gas chemistry has been developed to meet requirements for deep HgCdTe
mesa etching and shallow CdTe passivation etching in large format HgCdTe infrared focal plane array (FPA) fabrication. Large
format 2048×2048, 20-μm unit-cell short wavelength infrared (SWIR) and 2560×512, 25-μm unit-cell midwavelength infrared (MWIR)
double-layer heterojunction (DLHJ) p-on-n HgCdTe FPAs fabricated using ICP processing exhibit >99% pixel operability. The
HgCdTe FPAs are grown by molecular beam epitaxy (MBE) on Si substrates with suitable buffer layers. Midwavelength infrared
detectors fabricated from 4-in. MBE-grown HgCdTe/Si substrates using ICP for mesa delineation and CdTe passivation etching
demonstrate measured spectral characteristics, RoA product, and quantum efficiency comparable to detectors fabricated using
wet chemical processes. Mechanical samples prepared to examine physical characteristics of ICP reveal plasma with high energy
and low ion angle distribution, which is necessary for fine definition, high-aspect ratio mesa etching with accurate replication
of photolithographic mask dimensions. 相似文献
998.
为克服大气湍流引起的随机和深度衰落影响,将Turbo乘积码(TPC)引入无线光通信系统中.在构建大气无线光系统模型基础上,分析了TPC的抗突发错误能力,推导了弱湍流和高斯级联信道下接收信号的置信度度量计算方法,并对TPC编码前后大气无线光通信系统差错性能及不同参数的影响进行分析.结果表明,TPC可以有效补偿大气信道中的... 相似文献
999.
1000.