全文获取类型
收费全文 | 58968篇 |
免费 | 6149篇 |
国内免费 | 3156篇 |
专业分类
电工技术 | 10152篇 |
综合类 | 5693篇 |
化学工业 | 4872篇 |
金属工艺 | 4200篇 |
机械仪表 | 4416篇 |
建筑科学 | 5977篇 |
矿业工程 | 3193篇 |
能源动力 | 1667篇 |
轻工业 | 3483篇 |
水利工程 | 1767篇 |
石油天然气 | 1763篇 |
武器工业 | 401篇 |
无线电 | 4562篇 |
一般工业技术 | 3959篇 |
冶金工业 | 5423篇 |
原子能技术 | 567篇 |
自动化技术 | 6178篇 |
出版年
2024年 | 185篇 |
2023年 | 572篇 |
2022年 | 1145篇 |
2021年 | 1471篇 |
2020年 | 1580篇 |
2019年 | 1348篇 |
2018年 | 1357篇 |
2017年 | 1589篇 |
2016年 | 1818篇 |
2015年 | 2057篇 |
2014年 | 3727篇 |
2013年 | 3181篇 |
2012年 | 4317篇 |
2011年 | 4644篇 |
2010年 | 3576篇 |
2009年 | 3726篇 |
2008年 | 3301篇 |
2007年 | 4144篇 |
2006年 | 3733篇 |
2005年 | 3298篇 |
2004年 | 2731篇 |
2003年 | 2534篇 |
2002年 | 2116篇 |
2001年 | 1871篇 |
2000年 | 1559篇 |
1999年 | 1359篇 |
1998年 | 1002篇 |
1997年 | 882篇 |
1996年 | 731篇 |
1995年 | 629篇 |
1994年 | 494篇 |
1993年 | 319篇 |
1992年 | 289篇 |
1991年 | 225篇 |
1990年 | 148篇 |
1989年 | 148篇 |
1988年 | 114篇 |
1987年 | 74篇 |
1986年 | 43篇 |
1985年 | 40篇 |
1984年 | 34篇 |
1983年 | 24篇 |
1982年 | 35篇 |
1981年 | 33篇 |
1980年 | 16篇 |
1979年 | 13篇 |
1978年 | 5篇 |
1976年 | 5篇 |
1975年 | 5篇 |
1959年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 31 毫秒
131.
132.
本文利用等效工作站理论和工件流平衡原理,推导出非串行离散事件生产线可以等价于串联系统,并归结为装配和拆卸两条定理,解决了系统的建模、分析与设计问题。 相似文献
133.
针对定径机换辊后定径钢管所出现的质量问题,提出了成品机架的轧辊孔型不分配变形量和适当增大孔型直径的改进措施。 相似文献
134.
当线路末端故障时,行波在线路末端的反射情况比较复杂,反向电流行波的极性有可能与正向电流行波的极性相反,而此时测距结果又与线路无故障时相同。因此,会造成行波测距式与行波极性比较式合闸保护的不正确动作。根据行波的折、反射理论,分析出当线路无故障时正向电流行波仅在线路末端发生反射,且电流行波的反射系数为-1,而当线路存在故障时,正向电流行波将在故障点发生反射,无论故障是否在线路末端,电流行波的反射系数都不会是-1。根据这一特征,提出了一种新的行波合闸保护方法。从原理上保证了在各种情况下保护都可以正确动作,大量的电磁暂态仿真结果也证明了这一点。 相似文献
135.
陈金强 《数字社区&智能家居》2007,(9):1460-1461
中等职业学校一般开设VB、VC及数据库等涉及程序设计的计算机课程。本文拟就程序设计中一题多解的教学方法进行探讨。 相似文献
136.
137.
138.
较系统地介绍了我国第1条国产化的中宽带钢冷连轧生产线,即唐山建龙钢铁控股有限公司900mm冷连轧生产线的工艺流程、主要设备组成及技术特点。重点介绍了900mm 4机架六辊轧机的技术参数、性能特点及自动控制系统。该生产线投产以来,取得了较好效果。 相似文献
139.
中频反应溅射SiO2膜与直流溅射ITO膜的在线联镀 总被引:2,自引:2,他引:0
多数ITO透明导电玻璃生产线在实现SiO2膜与ITO膜在线联镀时,应用SiO2靶射频溅射沉积SiO2膜工艺和ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺,如果SiO2膜应用硅靶反应磁控溅射工艺,存在这种工艺是否可以与ITO靶直流溅射沉积ITO膜工艺在线联用以及如何实现联用的问题。作者对现有的生产线进行了改造设计、加工,做了大量实验、质谱分析和多项测试研究,成功地实现反应溅射SiO2膜与ITO膜在线联镀,做到SiO2镀膜室的工作状态的变化基本上不影响ITO镀膜室的工艺条件。 相似文献
140.