北京奥运期间的碳黑气溶胶观测研究

2008年7～8月在北京市奥体中心的遥感所站点连续实时监测碳黑气溶胶(BC),研究其在北京奥运期间的变化特征和来源.奥运会前BC平均质量浓度约为4.58μg/m3,而奥运会期间其平均浓度约为3.07μg/m3,下降比约为33.0%,这说明减排措施有效降低了BC的排放总量.同步监测的可吸入颗粒物(PM10)与BC一致性较好,相关系数为0.86,BC约占PM10的1.9%.比对2007年同期BC浓度数据,也证实了北京地区在实行各项减排措施后,BC的污染情况有较大好转.     

GaN转移电子器件的性能与基本设计

基于GaN转移电子器件最基本的工作模式--畴渡越时间模式,计算了GaN转移电子器件的理想最高振荡频率,得到该类型微波转移电子器件的最高振荡频率可达4.7THz,接近GaAs转移电子器件最高振荡频率(0.6THz)的8倍.从理论上计算出GaN转移电子器件的理想最大输出功率,结果表明GaN转移电子器件在功率输出方面具有很大优势.最后还讨论了 GaN转移电子器件在畴渡越时间模式下,能够产生稳定Gunn振荡的两个基本条件,即电子浓度N与器件有源区长度L乘积要大于该器件的设计标准((NL)0=6.3×1012cm2)及有源区的掺杂浓度N要小于临界掺杂浓度Norit(3.2×1017cm-3).本工作揭示出GaN转移电子器件在高频率和大功率输出方面都具有重要优势,作为大功率THz微波信号源将具有广阔的应用前景.     

面向网络状态的自适应用户行为评估方法

用户复杂的行为往往会导致网络状态出现波动,破坏网络平稳运行,由于指标及权重的主观性和静态性,传统评估方法难以准确衡量用户行为对网络状态变化的影响程度。因此引入粗糙集理论,构建一种面向网络状态的自适应用户行为评估方法,使用属性约简和属性重要度方法对用户行为和网络状态数据进行挖掘,分析用户行为与网络状态变化的关联程度,以此自适应构建评估指标及权重,并随用户行为变化而动态调整,从而准确地量化用户行为对网络状态变化的影响程度。实验结果表明,该评估方法有助于准确发现造成网络状态变化的用户及其行为,能够为加强对用户行为的管控提供有效支持。     

基于人工神经网络的高分五号高光谱影像悬浮泥沙浓度反演方法

悬浮泥沙浓度是水体监测中极为重要的指标.本论文基于神经网络具有弥补传统经验算法固有误差的潜力,设计并开发了基于人工神经网络的神经网络校正器来对经验反演结果进行二次校正.为了防止在小数据集的情况下出现过拟合问题,采用了特殊设计的正则化项.基于高分五号高光谱遥感数据以及在长江口和沿海水域同时收集的悬浮泥沙浓度实地测量结果,...     

降低清洗溶剂挥发浓度的方法

本文论述影响超声清洗设备清洗溶剂的挥发浓的因素，并提出降低清洗溶剂的挥发浓度一些方法。     

一种基于粗集理论的图像分割方法

提出了一种基于粗集理论的图像分割方法．在图像聚类过程中的对象往往是具有相似关系而不是等价关系的对象．在本文中将相似关系应用到粗集理论中来解决图像中的聚类问题．由于噪声的干扰,往往会影响到图像分割的效果．本方法提出了边界点的最大隶属原则并进而提出了边界点的粗糙度以及边界点的最大隶属原则,从而大大减小了噪声的干扰．在此基础上给出了聚类质量的评价函数．该方法为进行图像分割提供了一个崭新的视角．     

双光路光纤探头式浓度检测系统

本文介绍了一种双光纤探头式浓度检测系统的工作原理和结构设计。该系统利用双光路比较电压的测量和单片机控制的数据处理系统进行浓度的实时性测量。实验结果表明，该系统具有精度高、速度快等特点，在浓度测试中具有良好的应用前景。     

一维随机粗糙表面散射特征的数值分析

本文在Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆ近似基础上，利用数值积分方法分析了一维随机粗糙表面的散射特征。结果显示随着粗糙度的增大，单次散射峰值由连续地向后向移动，其强度不断降低。峰值宽度增加。在一个较窄的粗糙度范围内，散射场对称于表面法线呈近似余弦分布而接近于理想朗伯体。当粗糙度超过这一范围时，散射峰值将由线向后向移动，并在粗糙度很大时稳定在后向附近。     

用迁移率和载流子浓度研究碲镉汞中的深能级

获得了一种研究碲镉汞深能级的方法。通过分析迁移率 载子浓度与温度的关系，可以得到关于深能级的重要依据。     

基于标准CMOS工艺线性APD倍增区的优化仿真

采用标准CMOS工艺制备的n~+-p-π-p~+结构的线性APD,其倍增区p层的掺杂分布极大地影响着器件的性能.采用Silvaco仿真软件对倍增区p层进行了设计仿真,研究了p层的注入剂量和注入峰值浓度深度对器件特性的影响.仿真结果表明,设定器件增益为50,在p层的最佳注入剂量为1.82×10~(12)/cm~2,峰值浓度深度为2.1μm左右的最佳工艺条件下,器件的工作电压为73.1 V,过剩噪声因子为4.59,过剩噪声指数在0.34~0.45之间(波长λ=800 nm),优于目前已报道的结果.通过工艺的优化,器件的性能可以得到进一步提高.