长江重要堤防安全监测技术的应用与发展

长江重要堤防安全监测工程中,对主要穿堤建筑物、重要堤段都布置了安全监测设施.两年多来的监测过程中,获得了大量的监测资料和信息,为评价防渗墙的渗控效果及穿堤建筑物的运行状况提供了科学依据.防渗墙是堤防加固和防渗处理的主要工程措施之一,通过监测资料分析,防渗墙的实施有效地改善了堤身、堤基的渗流状态,不同结构形式的防渗墙所起的截渗效果是不一样的.穿堤建筑物内部监测由渗压计、测缝计、位错计和界面土压力计组成,为穿堤建筑物安全运行状况和施工质量评价提供了科学的依据.堤防安全监测新技术的开发与应用研究拓展了传统的安全监测领域,先进的安全监测技术在堤防工程建设中将得到广泛应用.     

钛合金的银脆,镉脆敏感性及其控制

利用慢应变速率拉伸技术（ＳＳＲＴ），并结合恒载实验，较全面地研究了Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金的银脆行为、固态与液态镉脆行为，确定了应变速率、接触条件、热处理制度、试样取向、温度等因素对Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金银脆与镉脆敏感性的影响，探讨了Ｎｉ阻挡层对控制Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ合金和ＴＣ１１合金银脆开裂的作用。     

CO_2激光对兔脑组织血脑屏障的影响

同等功率和照射时间条件下,在14只家兔大脑皮质运用伊文思蓝染料和超微结构观察方法进行血脑屏障改变的研究。结果表明:CO_2激光作用十分表浅,且激光作用后的水肿层血脑屏障改变是可逆的。     

双极型静电感应晶体管开关时间的测量与分析

从理论和实验两方面对静电感应晶体管（ＢＳＩＴ）的开关时间进行了分析和测量，提出了简单的分析方法，将影响ＢＳＩＴ开关时间的各个因素归结为结构因子和材料因子，从而简化了分析影响ＢＳＩＴ开关时间的因素，对于ＢＳＩＴ的实际工艺，结构设计有指导意义。     

动情期家兔输卵管上皮及其分泌活动的电镜观察

本实验用透射电镜和扫描电镜观察了动情期家兔输卵管上皮。证实分泌细胞和纤毛细胞都有分泌功能，共分泌三种分泌物质。本文对这些分泌物质的分泌方式、分泌活动进行了研究和探讨。另外，发现上皮基膜下方始终有一层成纤维细胞形成的胞质膜伴行，据此，对血一输卵管腔屏障的构成亦进行了讨论。     

隧穿问题的数值算法

本文给出一种新的数值方法，用以计算隧道效应中的透射系数和相移。这个方法适用于任意形状的势垒，不仅可以计算透射系数，还可以计算透射波和反射波的相位。分析表明该方法具有很高的精度。     

大伙房水库渗流监测自动化系统建设经验

介绍了大伙房输水工程重要的配套工程——大伙房水库渗流监测自动化系统的设计方法与实施过程，阐明了测位选布与工程衔接、方便系统维护与运行等问题，实现了与原观测系统的设计选点、施工建设、应用开发及数据处理过程等的配合，在保证系统原观测成果连续、设备运行稳定、与其他系统协调友好、施工过程不冲突和不重复的基础上，很好地实现了由传统监测向自动化监测的过渡。     

海底天然气渗漏地震探测方法的研究进展

海底天然气渗漏可以指示沉积层中的烃类聚集带，渗漏出的大量气体（主要是甲烷）还可能影响全球的气候变化。此外，与海底渗漏相关的浅层气改变了海底沉积物的土工性质，可能对海底工程构成威胁。因此对海底天然气渗漏进行研究意义重大。在海底渗漏探测方面，地震是一种有效的方法，它不仅能反映深部构造，为海底渗漏提供气体来源和运移通道信息；而且还可以直接用来寻找渗漏相关特征，为海底观测和取样提供依据。在地震剖面上，与海底天然气渗漏相关的浅层气表现为声混浊、声空白、亮点、多次波、速度下拉、气烟囱等特征，泥火山、泥底辟表现为隆起的地震透明带，而麻坑则表现为“V”字形截面和半透明状地震混浊。     

Formation of low-resistivity poly-Si and SiNx films by Cat-CVD for ULSI application

In this paper, bulk-Si metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are fabricated using the catalytic chemical vapor deposition (Cat-CVD) method as an alternative technology to the conventional high-temperature thermal chemical vapor deposition. Particularly, formation of low-resistivity phosphorus (P)-doped poly-Si films is attempted by using Cat-CVD-deposited amorphous silicon (a-Si) films and successive rapid thermal annealing (RTA) of them. Even after RTA processes, neither peeling nor bubbling are observed, since hydrogen contents in Cat-CVD a-Si films can be as low as 1.1%. Both the crystallization and low resistivity of 0.004 Ω·cm are realized by RTA at 1000 °C for only 5 s. It is also revealed that Cat-CVD SiN_x films prepared at 250 °C show excellent oxidation resistance, when the thickness of films is larger than approximately 10 nm for wet O₂ oxidation at 1100 °C. It is found that the thickness required to stop oxygen penetration is equivalent to that for thermal CVD SiN_x prepared at 750 °C. Finally, complementary MOSFETs (CMOSs) of single-crystalline Si were fabricated by using Cat-CVD poly-Si for gate electrodes and SiN_x films for masks of local oxidation of silicon (LOCOS). At 3.3 V operation, less than 1.0 pA μm⁻¹ of OFF leakage current and ON/OFF ratio of 10⁷–10⁸ are realized, i.e. the devices can operate similarly to conventional thermal CVD process.     

册田水库主坝稳定分析

册田水库是桑千河千流上山西省出境处控制性工程，水库的安危直接关系到北京市和下游人民群众生命的安危。文中对大坝的渗流与坝坡稳定分别进行了计算。分析认为，册田水库主坝存在安全隐患。