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31.
高硅高钙低品位钒渣提取五氧化二钒的研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以碳酸钠为添加剂,采用氧化焙烧-水浸工艺从高硅高钙低品位钒渣中提取五氧化二钒.考察了碳酸钠加入量、焙烧温度、焙烧时间、浸出温度、浸出时间、浸出液固比等对钒浸出率的影响.结果表明:氧化焙烧过程对钒的提取影响显著,而水浸过程影响较小.通过氧化焙烧使钒转化为可溶性的钒酸钠与不溶性的钒酸钙.在水浸过程中,钒酸钠溶于水;而钒酸钙与磷酸钠或硅酸钠反应转化为可溶性的钒酸钠,可同时除去浸出液中的杂质硅和磷.通过实验获得了优化工艺参数:碳酸钠加入量为18%,焙烧温度为700℃,焙烧时间为2.5h;浸出温度为90℃,浸出时间为30 min和液固比为5∶1 ml·g-1.在此优化条件下,钒浸出率可达到89.5%以上,浸出液中主要杂质为Si,P和Cr.产物五氧化二钒的纯度大于99%.  相似文献   
32.
RE-Ti复合变质对高钒高速钢组织和性能的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
研究了RE-Ti对高钒高速钢铸态组织、热处理组织和性能的影响.结果表明,变质处理使高钒高速钢共晶碳化物的形貌和分布得到了改善,共晶组织中片层状碳化物变短、变细.热处理后,共晶碳化物大部分变成团球状且分布均匀.变质剂中的合金元素可促进晶粒中或沿晶界均匀分布的非连续状硬质碳化物的生成,从而达到改善组织、提高硬度的作用.并分析了变质剂在高钒高速钢中的作用机理及改善合金性能的机制.  相似文献   
33.
氧化钒薄膜制备与特性研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
用磁控反应溅射法制备出具有红外敏感特性的氧化钒薄膜,进行了薄膜光电特性的测试.通过AFM和XRD对薄膜的结构和特性进行分析研究,并给出了沉积参数对薄膜性能的影响.  相似文献   
34.
利用一步碳热还原法制备了Li3-xNaxV2(PO4)3/C(x=0、0.01、0.02、0.03、0.05、0.08、0.10、0.15)复合正极材料,并用X射线衍射、扫描电镜、红外光谱、循环伏安法、电化学阻抗谱和恒电流充放电技术研究了掺杂对材料结构、微观形貌、充放电性能和Li+脱出嵌入过程的影响。研究表明掺杂少量Na+不影响材料Li3V2(PO4)3的基本结构,但可在Li3V2(PO4)3中形成电子缺陷,提高晶体内部原子的无序化程度,降低极化和电荷转移电阻,从而改善材料的电化学性能。与Li3V2(PO4)3/C相比,Li2.98 Na0.02 V2(PO4)3/C在倍率为15C下的第50次放电容量提高12.1mAh/g,具有较好的倍率性能和循环性能。  相似文献   
35.
阳离子基团的分布对阴离子交换膜的微观相态和阴离子传导率有显著的影响.为开发全钒液流电池用高性能阴离子交换膜,本文通过向含有二甲胺基团的氟化聚芴醚前驱体接枝含阳离子烷基链的方式,合成了具有相似离子交换容量的一系列侧链多阳离子型氟化聚芴醚.实验结果表明,多阳离子侧链的引入能促进微观相分离的形成并提升阴离子传导率.同时,侧链...  相似文献   
36.
锂离子电池正极材料V6 O13的研究进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
综述了新型锂离子电池正极材料V_6O_(13)的研究概况,阐述了V_6O_(13)的结构、制备方法,从掺杂离子和减小颗粒等方面论述了改善V_6O_(13)电化学性能的基本途径。  相似文献   
37.
邵林飞  李合琴  范文宾  宋泽润 《红外》2009,30(11):30-34
VO2是一种热致相变材料.发生相变时,VO2的电阻、红外光透过率、反射率都会发生显著变化.采用直流反应磁控溅射法,通过改变氧氩比(O2:Ar)、工作气压、衬底温度等制备工艺参数,研究了工艺参数对VOx薄膜的结构、电阻-温度性能的影响.结果表明,当氧氩比为1.0:15、工作气压为2.0Pa时,制备的薄膜中VO2的含量较多;衬底温度为250℃时,制备的VOx薄膜的电阻一温度突变性能最佳.  相似文献   
38.
讨论了含氟化钙的主要含钒矿物为金云母的石煤直接酸浸过程中可能发生的化学反应,并进行热力学分析和建立浸出反应模型。结果表明,氟离子强化石煤提钒浸出的机理是氟与铝、硅生成AlF52-和SiF62-,从而降低金云母被破坏的自由能,使其更易溶解,其破坏过程是分步进行的。  相似文献   
39.
以氯甲基化杂萘联苯聚醚酮(CMPPEK)为膜材料,通过溶液法制备了CMPPEK基膜,然后将其浸泡在三甲胺水溶液中进行季铵化反应得到季铵化杂萘联苯聚醚酮(QAPPEK)阴离子交换膜。比较了CMPPEK和QAPPEK的热失重性能,CMPPEK的5%热失重温度为330℃,QAPPEK的5%热失重温度为260℃,QAPPEK的5%热失重温度与CMPPEK的相比降低了70℃。考察了三甲胺浓度、胺化时间、胺化温度等反应条件对QAPPEK膜性能的影响。结果表明:三甲胺的质量分数为33%、胺化时间为12h、胺化温度为40℃时,得到的QAPPEK膜表现出了较优异的性能,其IEC值达1.64mmol/g,在2mol/LVOSO4+3mol/LH2SO4的混合溶液中测得的面电阻为0.73Ω·cm2,应用于全钒液流电池(VRB)中,电池的能量效率高达85.9%,电流效率为98.4%,电压效率为87.3%。  相似文献   
40.
王超  张玉明  张义门 《半导体学报》2006,27(13):120-123
研究了钒注入4H-SiC形成半绝缘层的方法和特性,注入层的离子浓度分布由蒙特卡罗分析软件TRIM模拟提取. 采用一种台面结构进行I-V测试. 钒注入层的电阻率与4H-SiC层的初始导电类型关系很大,常温下钒注入p型和n型SiC的电阻率分别为1.2E9~1.6E10Ω·cm和2.0E6~7.6E6Ω·cm.  相似文献   
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