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51.
采用通用蒙特卡罗粒子输运程序MCNP/38计算低环径比Tokamak(紧凑环或球形环)聚变堆第一壁及中心导体上的中子壁负荷分布和核热沉积分布,并与常规Tokamak堆第一壁上中子壁负荷分布和核热沉积分布进行比较、分析。结果表明,在中子壁负荷归一化为1MW/m2时,与常规Tokamak相比,在低环径比Tokamak堆第一壁及中心柱表面上中子壁负荷分布峰值并不比常规Tokamak堆第一壁上的峰值高,而且低于低环径比Tokamak堆整个第一壁上的平均值,而中心柱上的核热沉积峰值稍高于常规Tokamak堆第一壁上的核热沉积峰值,但对较高中子壁负荷情况,中心导体柱上的核热沉积和辐照损伤仍可能是比较严重和值得特别研究的问题。 相似文献
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55.
低噪声GaAs FET和功率GaAs FET经中子辐射都未发生致命性的通或断失效,直流偏置伏态下,其失效模式仅仅表现为源漏饱和电流IDSS的退化降低,据此提出了IDSS退化失效与快中子注量φn之间的解析关键式lny=a+blnφ。 相似文献
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