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91.
应用节流装置测量气体流量时,由于气体流经节流件会发生体积膨胀,所以要引入流束膨胀系数进行修正。对于孔板,由于流束收缩的最小截面积的实际值是不知道的,所以只能通过实验来确定。法兰取压和角接取压标准孔板的流束膨胀系数值均可按下式计算: 相似文献
92.
93.
国外离子注入机发展动态随着超大规模集成电路的迅速发展,为适应中00、0.5μm工艺的需求,国外出现了多种新型的中束流、大束流、高能离子注入机,现将其现状介绍如下:新型中束流离子注入机大多采用平行束扫描方式、束的平行度优于0.5度。200mm晶片内注入... 相似文献
94.
应用扫描隧道显微镜研究核纤层蛋白分子的装配闵光伟,佟向军,陈彬,刘忠范,丁明孝,翟中和(北京大学生命科学学院,北京大学化学系,北京10087)核纤层(lamina)是指存在于细胞核膜内膜下的一层纤维网架结构,由lamin组成,lamin被证明是中间纤... 相似文献
95.
本研究采用电子通道技术(ECP)对单晶和双晶外延生长的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测,并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量;还对YBCO/CeO_2/MgO/SrTiO3的双外延薄膜作研究。 相似文献
96.
本文回顾了近年来飞速发展的毫米波半导体器件(如HEMT、HBT、Si/SiGeHBT、IMPATT等)及相应外延材料的研究进展. 相似文献
97.
98.
甄汉生 《真空科学与技术学报》1993,(2)
微波电子回旋共振等离子体是淀积薄膜、微细加工和材料表面改性的一种重要手段。由于这种等离子体电离水平高,化学活性好,可以用来实现基片上薄膜的室温化学气相淀积和反应离子刻蚀,因此对于微电子学、光电子学和薄膜传感器件的发展,这种等离子体会具有重要的意义。此外,采用微波电子回旋共振等离子体原理,没有灯丝的离子源可以提高离子源的使用寿命,可以增加离子束的束流密度。可以确信,微波电子回旋共振等离子体的发展,将把离子源技术提高到一个新的水平。显然,这必将对材料表面改性工艺,包括离子注入掺杂等工艺的发展发挥作用。自从1985年以来,为了得到大容积等离子体而发展了微波电子回旋共振多磁极等离子体,这些技术在薄膜技术、微细加工以及材料表面改性中的应用前景是乐观的。我们将在本文中,介绍微波电子回旋共振等离子体的原理及其应用。 相似文献
99.
As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
在衬底温度为 3 5 0°C的条件下 ,用分子束外延的方法 ,在不同的砷压条件下生长了 Ga As/Al0 .3Ga0 .7As多量子阱结构。 77K的荧光实验证明 ,砷压对样品的光学特性影响显著。认为砷压对低温多量子阱光学特性的影响是点缺陷随砷压的演化和能级间相互补偿的共同结果。通过优化砷压 ,样品的荧光峰的半峰宽减小到 3 me V,这是到目前为止所报道过的最窄的低温多量子阱的荧光峰。相应的垂直场光折变器件的电吸收为 60 0 0 cm 相似文献
100.
缓冲层对氮化镓二维生长的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
报道了在射频等离子体(RF-Plasma)辅助的分子束外延(MBE)技术中,使用白宝石(0001)衬底,采用低温缓冲层工艺外延氮化镓(GaN)。通过原子力显微镜(AFM)的表面形貌比较及X射线双晶衍射(XRD)ω扫描摇摆曲线的分析,讨论了低温缓冲层成核机理及缓冲层生长温度与形成准二维生长的关系,确立了缓冲层的三维成核,准二维生长的生长机理,并在此基础上实现了氮化镓外延层更好地二维生长,进一步提高了氮化镓外延层的晶体质量。 相似文献