厚膜电阻的大范围连续可调设计

介绍了厚膜电阻微调系数和大范围连续可调的基本概念,指出常规厚膜电阻微调系数不超过2,采用帽状电阻可以在一定程度上提高微调系数,但由于受到电阻尺寸的限制,仍不能满足10倍以上的大范围连续可调要求。文中探讨了利用串并联微调来设计大范围连续可调电阻的可行性及基本方法。与单个电阻相比,电阻的串并联微调结构对微调系数具有明显的放大作用,从而使大范围连续可调的实现成为可能。当微调系数超过10时,可通过两个帽状电阻的串并联来实现大范围连续可调,三个矩形电阻的串并联结构可使阻值连续可调范围达30倍以上．     

A novel Ultra WideBand monopole antenna with band-notched characteristics

A simple and compact microstrip-fed Ultra WideBand(UWB) printed monopole antenna with band-notched characteristic is proposed in this paper.The antenna is composed of a square ring with a small strip bar,so that the antenna occupies about 7.69 GHz bandwidth covering 3.11～10.8 GHz with expected band rejection from 5.12 GHz to 5.87 GHz.A quasi-omnidirectional and quasi-sym-metrical radiation pattern is also obtained.This kind of band-notched UWB antenna requires no ex-ternal filters and thus greatly simplifie...     

静电悬浮转子微陀螺宏模型的提取和分析

静电悬浮转子微陀螺是一种新型陀螺,通过静电力控制转子使其自由悬浮在空腔中,利用有限元法提取转子在平动和翻转时的压膜阻尼.在考虑边缘效应的情况下,提取电容和位移的解析表达式.建立静电力方程,为系统级仿真模型提供阻尼和静电宏模型,以获得不同条件下微陀螺的控制分析结果.     

一种新型三路自适应热释电系数测试系统

基于动态电流法设计了一种新型热释电系数测试系统,其新颖之处在于首创设计了三路自适应微电流放大电路模块,该模块解决了弱热释电材料需要小动态范围,高灵敏度微电流放大而强热释电材料需要大动态范围,低灵敏度微电流放大的矛盾.系统先利用计算机对三路自适应微电流放大电路进行控制,再利用其强大的信息处理能力来获取热释电系数与温度的关系曲线,并在计算机上以数据和图形形式显示出来.实验结果证明,该新型三路自适应热释电系数测试系统既能满足弱热释电性材料,也能满足强热释电性材料热释电系数的测试要求.     

一种新型压阻值理论计算方法

A novel algorithmic method, based on the different stress distribution on the surface of thin film in an SOI microstructure, is put forward to calculate the value of the silicon piezoresistance on the sensitive film. In the proposed method, we take the Ritz method as an initial theoretical model to calculate the rate of piezoresistance ΔR/R through an integral （the closed area Ω where the surface piezoresistance of the film lies as the integral area and the product of stress σ and piezoresistive coefficient π as the integral object） and compare the theoretical values with the experimental results. Compared with the traditional method, this novel calculation method is more accurate when applied to calculating the value of the silicon piezoresistance on the sensitive film of an SOI pieoresistive pressure sensor.     

电力系统电磁兼容技术的研究

在介绍电磁兼容性基本概念的基础上，重点分析了电力系统中常见的干扰源、传播途径以及抑制干扰的措施，并结合实际指出了电力系统现价段电磁兼容技术的研究方向。     

基于磁性光子晶体的高性能微波带通滤波器

提出了一种基于磁性光子晶体的高性能微波带通滤波器。仿真计算和实验测量结果表明,该滤波器矩形系数好,插入损耗小,带外抑制高且带内平坦。研制的中心频率为10.75 GHz的通带滤波器,带宽达1.3GHz,通带内插入损耗小于5dB,带外抑制50dB以上。改变磁性圆柱的半径或磁性光子晶体的晶格常数可设计出工作在不同频段,具有不同带宽的微波滤波器。     

不同叠层结构印制电路板散热性能研究

运用有限元数值分析法对三种PCB散热结构,分别是芯片下方的PCB中埋置铜块(PCB-II型)、PCB底部压合铜板(PCB-III型)、PCB中间加入导热铝层(PCB-IV型)进行稳态、瞬态热分析、热阻分析以及不同对流系数下的热分析,并与不经过散热处理的PCB参照组(PCB-I型)进行对比。结果显示:在稳态和瞬态热分析中,II型、III型、IV型较参照组PCB-I型板面最高温度分别降低了3.22,9.66,7.86℃,其中III型升温幅度最平缓,II型与III型在10~30 s温度差距小,在30 s后逐渐拉大;在改变对流系数时,III型散热效果最好,而II型随着对流系数增加散热效果趋近于IV型。     

Cs量与Cs2Te光阴极紫外-可见光抑制比关系研究

紫外-可见光抑制比是决定全天时紫外探测成像系统信噪比的一个重要参数。为了研究激活时Cs 量对Cs2Te 紫外光阴极紫外-可见光抑制比（S280 nm/S320 nm）的影响,利用三组不同Cs 量的多次激活实验,通过分别对比紫外-可见光抑制比结果和200~400 nm 的光谱响应曲线,得到不同Cs 量激活的Cs2Te 光阴极其紫外-可见光抑制比在4.0~7.6 之间变化。随着Cs 量的增大,紫外光阴极的积分灵敏度相应增长,主要体现在260~320 nm,但峰值256 nm 处的辐射灵敏度增长不明显。重点分析了激活时Cs 量对大于320 nm 波长范围光谱响应的影响。     

锰钴镍铜氧薄膜红外探测器制备与性能研究

报道了锰钴镍铜氧薄膜（Mn1.56Co0.96-xNi0.48CuxO4,MCNC,x=0,0.08,0.16,0.24）的红外探测器件的制备过程及器件性能。通过改变掺杂Cu的比例,制作了系列MCNC薄膜材料及红外探测器件。实验结果表明,对于一定厚度及尺寸的薄膜器件,铜的掺入能显著减小器件的阻值及器件噪声,弥补了负温度系数的减小的缺点。器件时间常数约为20~40ms。掺铜量为0.24的薄膜器件的探测率为0.83107cmHz1/2W-1,相比同样规格的锰钴镍器件提高了约130%。此外,对于MCNC薄膜器件的老化现象进行了初步探讨。