RHF484／310／330／350：运算放大器

意法半导体推出其欧洲抗辐射航天用半导体产品组合的四款获得QMLV官方认证的放大器芯片。RHF484是由4个RHF43B组成的4路运算放大器,可替代工业标准运算放大器芯片,采用Flat．14W封装,2011年通过QMLV认证。RHF310和RHF330是超低功耗5V运算放大器,     

纳米抗紫外线织物整理的研究

主要探索了纳米颗粒在纺织后整理中分散难的问题 ,筛选出较佳的纳米分散剂、乳化剂 ,采用合理的分散整理流程 ,使纳米颗粒分散成双电层的乳状液。通过对纯棉机织物进行整理实验 ,证明可达到较佳的抗紫外线效果     

一种基于ARCT的抗辐射加固器件结构设计

本文在探索半导体器件辐射损伤效应与机理的基础上,研究了通过器件的优化设计达到抗辐射加固性能要求的有效方法.基于0.18μmCMOS工艺条件,利用DVINCI三维器件模拟软件,建立了具有较好抗辐射性能的FD-SOI/MOSFET器件的加固模型,并提出了一种新型有源区裁剪(ARC)的双多晶硅栅结构晶体管.通过模拟辐射环境下器件的工作情况,证明该种结构具有很强的抗总剂量辐射的能力.     

羊肚菌发酵产物功能性研究

目的:羊肚菌是一种珍稀食(药)用真菌,具有极高的营养和药用价值。本实验对羊肚菌液体发酵产物对小鼠免疫功能和抗辐射功能的影响进行研究,为该产品开发应用提供依据。方法:按照卫生部《保健食品检验与评价技术规范》(2003年版)中的检验方法,对小鼠进行细胞免疫功能和单核-巨噬细胞功能实验以研究其增强免疫力功能;通过外周血白细胞计数实验、骨髓细胞DNA含量实验和小鼠骨髓细胞微核实验,研究其抗辐射功能。结果:羊肚菌发酵产物具有增强免疫功能的作用及对有对辐射危害有辅助保护功能的作用。结论:羊肚菌发酵产物具备开发成增强免疫及抗辐射方面保健品的潜力。     

钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究

采用提拉法生长出直径 2 0 -2 5mm,长 2 5-3 0 mm优质 Pb WO4及 La3 +、Mg2 +、Mo6+和 Bi3 +掺杂 Pb WO4晶体。测试了晶体的 X射线衍射谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对 Pb WO4晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响 ,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。     

MOS器件~(90)Sr-~(90)Y源电离辐射效应研究

介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。     

一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET

采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力.     

深亚微米CMOS管总剂量辐照特性的对比研究

对深亚微米NMOS和PMOS管进行了60Co γ总剂量辐射实验.实验结果表明,PMOS管在转移特性、噪声、匹配特性方面比NMOS管的抗辐照能力更强.对NMOS管和PMOS管的辐照损伤机理进行了理论分析.分析结果表明,不同的衬底类型导致了PMOS管和NMOS管的辐照效应的差异.基于实验与分析结果,提出了一些深亚微米模拟I...     

国外卫星抗干扰技术浅析

本文论述了卫星抗干扰技术的发展现状与趋势，介绍了卫星抗干扰技术的特点与重要意义。阐明了卫星抗干扰的样式及措施。并对几种常见的抗干扰技术做了分析对比。从分析对比中找出了差距，提出了发展此项技术的几点看法和建议。