中子辐照诱导CCD电荷转移效率降低的数值模拟与分析

运用半导体器件二维数值模拟软件MEDICI,分别对能量为1 MeV和14 MeV的中子,在注量范围为3×1013～5×1014cm-2辐照下,对CCD器件电荷转移效率的变化规律进行数值模拟研究.建立了MEDICI软件模拟CCD电荷转移效率变化的器件物理模型、中子辐照模型,并对模拟结果进行了机理分析,得出中子辐照诱导CCD器件电荷转移效率降低的初步规律.     

考虑次级电子的行波管多级降压收集极的辅助设计计算

文中较全面地讨论了多级降压收集极的物理模型.借助Orion(2.5维)软件设计出效率较高的带有再聚焦系统的四级降压收集极,并考虑了次级电子的影响,模拟计算多级降压收集极和再聚焦区的性能,为行波管整管效率的提高提供了保证.     

稠密等离子体焦点高强度中子源

特定条件下在同轴加速极的敞开端形成的等离子体焦点是一种有许多问题现在仍未探索清楚的等离子体中子源。与空间和时间相关的中子产额及子能谱由等离子体本身的参数和周围的聚变气体决定。本文详细地叙述了这些参数的物理意义及其测量方法，特别是介绍了了与等离子体的产生；压缩和加热等相关的工程问题；     

焊球阵列封装(BGA)中吸水性测量概述

塑料焊球阵列封装(PBGA)对爆米花裂纹的抵抗力较小,一旦因焊接产生的高温使水汽迅速地扩展,就会发生此种现象。在粘片胶处发生爆米花现象,因此,必须研究在粘片胶附近发生的吸水性和解吸现象。本文主要讨论BGA中爆米花裂纹产生的机理,特别是对吸水性分布情况的探讨。用重水进行模拟分析,因为重水与水的吸收性比较接近。采用飞行时间次级离子质谱分析法(TOF-SIMS)来测量重水吸收性分布。弄清BGA封装主要是通过模塑包封部分的上部吸收水分的,由基板吸收的水分是少量的。因BGA基板具有叠层结构,水分不能首先透过基板。应优化BGA封装系统的设计,使其不易产生爆米花裂纹。     

脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程     

中子辐射下双极IC放大性能的变化

文中从单个晶体管不同工作电流下中子辐射时损伤常数的预估着手,推出一套适用于计算机模拟的数学模型、实验方法,由辐射下的瞬时电流即时地计算出相应的损伤常数,计算出晶体管的β降低值,以此来预知双极ＩＣ在中子辐射时的性能变化。     

GaAs MESFET和HEMT的中子辐射效应研究

本文介绍了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的中子辐射效应。依据中子辐射损伤机理，分析了器件参数与中子辐射剂量Φ的依从关系，其中，器件参数包括物理参数ＮＤ、ＮＳ、ＶＳ，μ和电参数ＩＤＳ、ｇｍ、Ｖｐ、Ｇ等。     

一种新颖的中子辐照图像压缩算法

分析了中子辐照图像的持点,提出一种适合于数字中子照相系统的图像压缩算法。将小波和方向滤波器组（DFB）结合,得到非冗余的图像变换WDFB;通过WDFB系数的重新组合,提出一种新颖的图像压缩方案,该方案类似于无表零树编码（LZC）算法;为了充分利用WDFB变换对二维分段光滑函数的良好表达能力,该算法引入线性索引技术并采用不同于LZC算法的零树表达策略。实验结果表明,该算法用于中子辐照图像压缩是有效的,在相同压缩比下,其主观视觉质量和峰值信噪比（PSNR）都明显优于LZC算法,和多级树集合分裂编码（SPIHT）算法相比,具有相当的压缩性能但更易于硬件实现。