聚四氟乙烯中正电子湮没辐射一维角关联曲线的测量

聚四氟乙烯中正电子湮没寿命谱已被分解为四个成份(见表1)。其中τ_3的来源尚有争议。我们利用中国科技大学的一维角关联装置测量了从商品聚四氟乙烯棒材切下经不同处理的试样(φ20mm,厚2mm)中正电子湮没一维角关联曲线。根据X-衍射谱用纸样称重法估算了不同试样的结晶度,见表2。由图定性看出:(1)原始样和淬火样的角关联曲线中,相应于p-Ps自湮没的低动量成份显著高于退火样品。这与前二者中无定形区域比例较大因而Ps形成几率较高是一致的。(2)γ辐照剂量足够大(为21Mrad)时,角关联曲线中低动量成份显著减少。这与试样在该条件下结晶区域增大有关,这时Ps形成受到抑制。以上趋势表明结晶度与Ps形成几率是关联的。     

18F标记的苯乙烯基嘧啶类Aβ显像剂的制备与初步生物评价

为研发新型Aβ正电子显像剂,设计合成对甲苯磺酰氧基取代的苯乙烯基嘧啶化合物Boc-SPm2-OTs和Boc-SPm5-OTs,并通过亲核取代反应进行¹⁸F标记,得到¹⁸F-SPm2和¹⁸F-SPm5,放化纯度均大于99%。¹⁸F-SPm2和¹⁸F-SPm5均具有适宜的亲脂性（LogP=1~2.5）,在生理盐水中可稳定存在3 h以上,能选择性结合Aβ,但其亲和性较弱（K_i分别为246.6 nmol/L和318.2 nmol/L）,体内生物分布实验表明,两者初始脑放射性摄取均相对较高,但正常脑组织清除较慢,而且存在明显脱氟现象。初步的研究结果表明,¹⁸F-SPm2和¹⁸F-SPm5不是理想的Aβ显像剂,需要进行进一步的结构修饰以克服其缺点。     

基于C30加速器的64Cu核素制备工艺

64Cu是目前应用十分广泛的放射性核素,主要用于PET诊断。本文基于C30加速器对⁶⁴Cu核素的制备工艺进行研究。制靶靶片为金属铜材质,在靶片表面镀金膜,以保护铜基底。镀金完成后用HCl和H₂O₂浸泡镀金层以去除金属杂质,用脉冲电镀法电镀富集⁶⁴Ni层。将靶片转移至C30加速器固体靶站进行辐照,束流能量为15.5 MeV。将辐照后的靶片转移至分离纯化热室。在溶靶槽中加入6 mol/L HCl和30%H2O2溶靶,使用AG1-X8阴离子交换树脂分离纯化,最终获得⁶⁴Cu核素。分别测定64Cu的放射性核纯度、放射化学纯度、金属杂质含量等质量指标。待收集的64Ni溶液衰变完全后,使用AG1-X8树脂回收。检验结果显示,富集64Ni厚度约8.5～16.3 mg/cm²,⁶⁴Cu产能大于37 GBq,产额可达180～250 MBq/(μA·h),放射性核纯度大于99.9%,放射化学纯度大于97.0%,金属杂质含量均小于0.5 μg/GBq。⁶⁴Cu制备工艺稳定、质量可控,达到了规模化生产水平,为⁶⁴Cu相关药物的研究与开发提供了稳定可靠的核素来源。     

放射分析化学

放射分析化学是现代放射化学的重要分支,也是目前最活跃的研究领域之一.本文从放射分析化学与大科学装置、放射分析化学与国家需求和放射分析化学与重大科学问题3个方面综述近期我国放射分析领域的重要进展.     

一种纳米晶合金中缺陷特征的正电子湮没寿命谱研究

用正电子湮没寿命谱仪测量和分析了Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金，该合金纳米晶化后有两类组织结构：一类是非晶结构，另一类是纳米晶结构；从缺陷形式上讲也有两种，一种是类空位，另一种是含有十来个单空位的空位团。类空位缺陷位于非晶区，空位团位于纳米晶区和晶粒的界面。Fe73.0Cu1.0Nb1.5Mo2.0Si13.5B9.0合金在非晶态时原子高密度区域与原子低密度稀释区域的分数之比约为1．44：l；纳米晶化后，经过480℃、500℃、540℃、580℃热处理，其类空位与空位团浓度的分数之比约为0．7：1。     

价电子密度与Y123铜氧超导电性关系研究

通过X射线衍射、超导电性测试、氧含量变化、正电子湮没以及理论计算等方法,系统研究了金属离子掺杂的YBa2Cu3-x(Fe,Co,Al)xO7-δ(x=0.0~0.5)铜氧超导体的超导电性,为了比较也一并讨论了Zn掺杂样品的实验和理论结果。研究表明,超导转变温度Tc与样品中价电子密度无直接关联,与Hall实验揭示的Tc与空穴载流子浓度关系有同样结论,表明电声耦合机制在铜氧超导体中失效。因此,无论是空穴配对还是电子配对,仅仅是实现超导态的前提,并非其真正的决定因素。如果铜氧超导微观机制依然沿袭"电声耦合"理念很可能误入歧途。     

用正电子湮没方法鉴别InP半导体中的缺陷

本文测量了各种ＩｎＰ样品中的正电子寿命谱，用正电子湮没率连续分布测量（ＣＯＮ－ＴＩＮ分析）结合ＰＡＴＦＩＴ分析正电子寿命谱，肯定了在ｎ型和半绝缘型ＩｎＰ中有Ｉｎ空位ＶＩｎ和Ｐ空位ＶＰ，而在ｐ型ＩｎＰ中只观察到Ｉｎ空位ＶＩｎ．正电子寿命的温度关系表明所观察到的ｎ型和半绝缘型中的ＶＩｎ和ＶＰ以及ｐ型ＩｎＰ中的ＶＩｎ均为电中性．改进了常规的多普勒展宽谱仪．利用这一谱仪测量了ｎ型及半绝缘型ＩｎＰ的多普勒展宽谱，结合正电子寿命测量结果，观察到在掺Ｆｅ的半绝缘型ＩｎＰ中存在ＶＰ－Ｆｅ络合物     

用正电子湮没技术研究硼在Ni3Al中的存在形式

本文用正电子湮没技术(PAT)研究了不同硼含量的单晶和多晶Ni_3Al中硼原子的存在形式。在Ni_3Al合金中加入少量硼(≤1.37％)时,一部分硼原子以间隙方式溶解到基体中,使晶格发生畸变,导致基体中正电子寿命(τ)增长;另一部分硼偏聚到空位型缺陷上,产生“填充效应”,导致平均寿命■和S参数下降。硼量为2.22at.-％时,缺陷态的τ显著增长,■和S参数增大,表明在晶界成晶内析出硼化物,诱发了较多的自由体积较大的缺陷。     

方正印捷K1357EX数码印刷系统新品发布会召开

7月27日,方正电子与InfoPrint公司在中国（北方）印刷及设备器材展览会隆重启幕之际,联手召开“携手共进,开启数码印刷新商机”新品发布会,推出方正电子数码印刷新品——方正印捷K1357EX单色生产型数码印刷系统。双方表示,虽然方正电子和InfoPrint合作时间并不长,但是InfoPrint作为全球输出管理领域解决方案和服务提供商,拥有一流的硬件设施,     

NiAl－Fe金属间化合物合金的正电子寿命谱

测量了塑性金属间化合物合金Ｎｉ（５０）Ａｌ（３０）Ｆｅ（２０），Ｎｉ（５０）Ａｌ（２０）Ｆｅ（３０）和Ｎｉ（６０）Ａｌ（２０）Ｆｅ（２０）单晶和多晶的正电子寿命谱．基于正电子寿命谱的特征参数引入了正电子双区域捕获模型，并讨论了这些合金微观结构与力学性能之间的关系．