γ—辐照对GH33A镍基高温合金蠕变性能的影响

测量了γ－辐照对ＧＨ３３Ａ镍基高温合金蠕变性能影响的蠕变曲线、正电子寿命谱和Ｄｏｐｐｌｅｒ展宽谱。结果表明：无镁样品辐照后，塑性提高３８．１％，断裂寿命不变，而含镁样品辐照后，断裂寿命和塑性均下降，辐照的无镁样品经负蠕变后加载，断裂寿命增加９．４％，塑性下降２５．６％，辐照的长时效含镁样品经负蠕变后再加载，断裂寿命显著增加，同时塑性保持不变。     

用PAT研究两种硅橡胶的大分子结构特征

用未硫化的甲基乙烯基硅橡胶和接枝室温硫化硅橡胶作正电子湮没实验的结果表明，甲基乙烯基硅橡胶的τ１，τ２均较ＲＴＶ的短，而τ３较长。对这一现象作了定性的解释。     

超高分子量聚苯乙烯中的正电子寿命谱

以２，３－二氰基－２，３－二（ｐ－Ｘ取代苯基）丁二酸二乙酯（Ｘ＝Ｈ，ＣＨ３，Ｃｌ）为引发剂，用本体法合超高分子量聚苯乙烯，研究了不同引发剂对苯乙烯聚合物正电子湮没寿命谱的影响。通过比较聚合物的分子量和自由体积，表明引发剂的分解速率对自由体积有较大的影响，而浓度对自由体积的影响不大。     

极性晶体极轴方向负性单空位及空间电子密度分布规律的正电子湮没测试方法研究

本文从理论上研究了极性晶体极轴方向负性单空位及空间电子密度分布规律,并探讨用正电子湮没测试负性单空位及空间电子密度分布的方法。     

正电子心脑功能仪及其定位电路

本文在扼要介绍电子心脑功能仪的基础上，对其电子学线路的关键部分——定位电路作了详细的分析，并给出一种实用的高速对数变换器。     

金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究

金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为:     

LiF晶体中色心的吸收光谱与正电子湮没辐射多普勒展宽研究

我们用吸收光谱与正电子湮没方法研究了辐照LiF中的色心。样品是纯的LiF单晶。用~(60)Co的γ射线在室温下照射样品。当剂量的变化范围为1×10~5rad—1.3×10~8rad时,LiF晶体中出现了F、F_2、F_2~ 、F_3、F_4、R_1和R′等色心,由于受光谱仪波长范围的限制,F_2~-未观察到。当照射剂量小于1×10~6rad时,我们得出F-心浓度、S-参数的相对变化是剂量平方根的线性函数。然而,当剂量大于1×10~6rad,由于F-聚集心的出现,S-参数正比于照射剂量的对数。     

正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序

本文介绍一个正电子湮没多普勒加宽能谱去褶积分解程序。作者采用最小二乘褶积法分 解出正电子在材料中湮没的本征谱;计算电子动量分布及动量密度分布;并把本征谱分解成高斯成分和倒抛物线成分(或者二个高斯成分)。程序主要分成二部分,第一部分参照Eiyoshishizuma提出的与模型无关的褶积法分解出湮没的本征谱。第二部分是用非线性最小二乘拟合迭代法分解本征谱,并计算弗米能E_f和湮没比值f。     

纳米SnO2和SnO2／SiO2材料的正电子湮没研究

采用溶胶一凝胶法制备了纯纳米ＳｎＯ２和掺杂ＳｉＯ２的纳米ＳｎＯ２材料，应用Ｘ射线衍射和正电子湮没寿命谱等手段进行了纳米材料的界面结构和纳米晶粒的生长过程，结果表明，所制备的纳米ＳｎＯ２和ＳｎＯ２／ＳｉＯ２材料中只存在两类缺陷，分别对短寿命τ１和中等寿命τ２，材料中两类缺陷的数量比与粒径有关，纳米ＳｎＯ２晶粒生长随热处理温度升高为分两个阶段，低于晶化临界温度时，晶粒生长缓慢，高于此温度时，则生长迅速