飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤

利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ｐｓ产额．该方法比通常的峰法和峰－谷法准确、简单：利用该方法研究了Ａｒ＋溅射在Ｓｉ（１００）面上诱导的缺陷损伤及退火行为。     

用正电子湮灭技术研究深冲钢板不同应变路径中的位错密度

本文应用正电子湮灭多普勒增宽测量技术研究了深冲钢板在单向拉伸、平面应变和等双向拉伸变形条件下的位错密度变化规律。结果表明:当等效应变从0.02增加到0.82时,位错密度从2.0×10~9 cm~(-2)增加到5.34×10~(11)cm~(-2),当变形路径不同时,位误密度的增长速度也不同。     

正电子湮没寿命谱仪

本文介绍正电子湮没寿命潜仪的方法、原理和类型,描述其主要电路,讨论其性能及影响因素。     

金属中空位及空位团的正电子寿命谱

本文从理论上讨论了金属中正电子湮没寿命和金属的空位、空位团的体积的关系,利用密度泛函和交换关联能的局域密度近似,系统地计算了一系列金属中不同空位团的正电子寿命值。可以看出,正电子湮没技术是研究金属微观缺陷结构的有力手段。