Panasonic AG-HMC40

Panasonic在NAB2009上推出多款AVCCAM家族新机型,显示了Panasonic对AVCCAM的重视和产品推广的决心。AG—HMC40是一款重量较轻的手持式摄录机,重量不到1kg。这款AVCCAM摄像机拥有令人印象深刻的专业功能,包括全高清3MOS成像,高达1060万像素的静态拍照功能,12倍光学变焦和高品质的AVCHD记录格式,而它依然采用价格低廉的SD卡作为记录方式。     

DC～40 GHz光纤通信用驱动放大器

光纤通信系统中,驱动放大器用于驱动电光调制器完成电光转换功能,40Gb／s光通信系统对驱动放大器的指标要求为带宽、增益和输出信号电压峰峰值。南京电子器件研究所在国内首次利用0．2μm的GaAs PHEMT工艺成功设计并完成了驱动放大器芯片,     

小巧快速CASIO QV-R40

虽然卡西欧（CASLO）并非主流数码相机厂商，但由于CASLO相机性价比高，外形也说得过去，加上自己的特色功能，还是赢得了不少用户的青睐。最近，卡西欧又发布了三款相机，CASOL QV-R40、CX-24和EX-S20/EX-M20。现在就让我们看看这款R40。     

40 Gbit/s波分技术发展及应用探讨

40 Gbiffs传输是近年来业界关注的焦点之一,本文从全球40 Gbit/s发展趋势、40 Gbit/s传输的市场需求、40 Gbit/s技术及建设成本、光缆性能等方面进行了综合分析,认为以40 Gbids为基础的WDM系统已经趋近成熟并进入规模商用阶段.各运营商应根据自身的实际情况选择适合的网络建设方案.     

七款数码相机{挑一}

本期测试我们选择了7款拥有400万主流像素的数码相机产品，它们的价位适中，功能齐备，是普通家庭用户的理想选择。产品丰富的佳能有两款入选，A80是佳能如今入门级产品中的主力，而IXUS400则是经典的IXUS系列最高端型号：宾得此次派出了400万像素的新成员Option450,实力不容小视：卡西欧和奥林巴斯则都属于时尚派，R40和μ400互不相让；这样的聚会自然也不会少了哥达和尼康，它们分别带来了DX6400和COOLPIX4300这两部同样出色的产品。     

DVD时代装点你的家庭影院

家庭影院给人的印象永远是庞然大物，音箱、功放、解码器、DVD机、电视机，不仅占用空间大、费用高，搭配也很伤脑筋。如今人们更加追求精致的生活，不管生活空间是大是小，都要求一应俱全。在这种潮流下很多产品应运而生——比如让房地产开发商火了一把的小户型公寓，像风靡一时的JVC小妖精台式音响等。同样，在家庭影院方面，国内外厂商也推出了各种新款DVD播放机，满足人们对家庭影院的个性需要。     

40CrNiMoA齿轮激光表面强化及抗疲劳性分析

对40CrNiMo齿轮进行了激光表面强化处理,用SEM和TEM对处理试样显微组织进行了分析,测试并分析了其显微硬度,并进行了抗疲劳性现场试验,结果表明:40CrNiMo激光淬火后其组织由淬硬层、过渡区和基体组成,淬硬层组织为细小的板条马氏体和针状马氏体,层深约1.5mm,过渡区为马氏体和索氏体混合组织,基体为回火索氏体。淬硬层表面硬度比常规淬火硬度有所提高。40CrNiMo激光淬火齿轮比20Cr2Ni4渗碳淬火齿轮疲劳强度提高约10%。     

光网络技术的发展与应用

本文主要介绍当前光网络技术的现状,并重点对于100G、40G、OTN、PTN技术发展进行详细的描述,特别针对各种技术的应用情况做了详尽分析,并介绍了烽火通信在光网络技术上的努力与成果,最后对下一步光网络技术的发展方向进行了展望。     

氩激光联合活血散瘀中药治疗视网膜分支静脉阻塞的疗效评价

目的评价氩激光联合活血散瘀中药治疗视网膜分支静脉阻塞的临床疗效。方法氩激光联合活血散瘀中药治疗组40眼和单纯氩激光治疗组30眼,随访6～12月,观察视力、视网膜出血和黄斑水肿变化并行统计分析。结果联合中药治疗组患者和单纯氩激光光凝组治疗前后视力均有显著差异(P＜0.05),治疗后两组最后视力比较差异显著(P＜0.05),前者较后者视力进步明显。而且联合中药治疗出血吸收情况明显优于前组(P＜0.05),并且两组黄斑水肿发生率治疗前后均有显著差异(P＜0.05),虽然治疗6月后两组黄斑水肿发生率无显著差异(P＞0.05),但后者较前者发生率低。结论氩激光光凝联合活血散瘀中药治疗更能促使视网膜分支静脉阻塞患者的出血吸收、黄斑水肿减轻及视功能的改善,在总体上取得了更好的治疗效果。     

Study of hybrid orientation structure wafer

Two types of 5μm thick hybrid orientation structure wafers,which were integrated by（110）or（100） orientation silicon wafers as the substrate,have been investigated for 15-40 V voltage ICs and MEMS sensor applications.They have been obtained mainly by SOI wafer bonding and a non-selective epitaxy technique,and have been presented in China for the first time.The thickness of BOX SiO₂ buried in wafer is 220 nm.It has been found that the quality of hybrid orientation structure with（100）wafer substrate is better than that with（110）wafer substrate by"Sirtl defect etching of HOSW".