GaAs基RTD与MSM光电集成

报道了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)与金属-半导体-金属光电探测器(MSM PD)单片集成的两种光电集成电路,并在室温条件下分别测试了RTD器件、MSM器件和集成电路的电学特性.测试表明:RTD器件的峰谷电流比为4;由于改进了在半绝缘GaAs衬底上制作MSM的方法,5V偏压下的电流由原来的2μA增加到了18μA,基本实现了两种电路的逻辑功能.     

电介质膜增强的Goos—Hǎnchen位移的微波测量

如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜（介质膜的另一侧为折射率更低的介质，如空气），并且恰当选择基底内光束的入射角，使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射，那么反射光束的Goos—Hǎnchen（GH）位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化，测量结果与理论预言吻合得较好。     

双色三光子共振电离测量钐原子高激发态4f~6s7S新能级

本文报道用双色三光子共振电离法测量钐原子高激发态78个新能级。这些新测定的偶宇称能级属于4f~66s7S电子构型,位于33477～37758cm~(-1)能量范围。     

氩缓冲气体对铯原子共振滤光器特性的影响

铯原子共振滤光器(Cs-ARF)是目前实现蓝绿激光水下通讯的一种关键元件。本文详细研究了不同气压氩缓冲气体对Cs-ARF特性的影响,明显改善了Cs-ARF的响应速率和辐射转换效率。还研究了氮气及不同器件结构对Cs-ARF特性的影响。     

电子在半导体多势垒结构中隧穿现象的研究与进展

文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。     

基于MoS2薄膜耦合波导的高品质因数传感特性研究

在波导耦合表面等离子体共振传感器结构中引入MoS₂材料,提出了一种全介质MoS₂薄膜混合耦合波导结构传感器,该结构使得低品质因数(FOM)波导中产生了频域较宽的宽共振,而高FOM波导中产生了频域较窄的窄共振,实现了双波导耦合,进而产生了Fano共振。对传感结构进行了数值模拟与分析研究,探究了MoS₂层数及各结构参数对传感性能的影响,并依据其影响将两波导厚度、相邻两层介质材料厚度、MoS₂层数作为输入参数,将FOM值作为输出参数,建立了基于深度极限学习机的优化算法。利用优化算法对权值参数进行优化,对比不同优化算法对光谱的优化能力,最终得到了GWO-DELM预测模型。结果表明,Fano形状可以通过改变结构参数进行动态调控。在最佳条件下,经过优化算法优化后的Fano共振的FOM值高达50000。     

L型金纳米棒双体结构的表面等离子体共振特性研究

应用离散偶极子近似的方法计算了L型金纳米棒双体结构的表面等离子体共振引起的消光光谱及其近场电场分布。研究表明在入射光的偏振方向为45°时双体结构的消光谱峰位发生蓝移;当入射光的偏振方向为135°时,双体结构的消光谱峰位发生红移。两根纳米棒间距较小时,由于相邻金纳米棒之间的电场强耦合作用,表面等离子体杂化出现新的共振能级,两根金纳米棒的连接处出现强的电场分布,这些结果对于金纳米棒结构在表面增强拉曼散射方面有一定的参考意义。     

低气压激光介质氦氖共振转移速率系数的测量

为了对Ｈｅ－Ｎｅ激光器的放电机理进行动力学研究，本文报导采用脉冲余辉法测量Ｈｅ－Ｎｅ共振转移速率系数，我们的测量方法比流动余辉法简单，我们测量的情况完全类似于Ｈｅ－Ｎｅ激光器的工作条件。     

可见光共振腔发光二极管的研究进展

共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性，并展望了这种器件的发展前景。     

利用表面等离子体波共振效应(SPRE)对角度与共振波长关系的研究

本文利用了Kretchmann模型的表面等离子体波共振效应，研究了共振波长对入射角变化的敏感性，从而为研制一种新的角度传感器提供了依据。