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如果在折射率较高的电介质基底上镀一层折射率较低的电介质薄膜(介质膜的另一侧为折射率更低的介质,如空气),并且恰当选择基底内光束的入射角,使得光束在基底一介质膜界面上折射到薄膜内、在薄膜一空气界面上全反射,那么反射光束的Goos—Hǎnchen(GH)位移在一定条件下会得到共振增强。采用微波技术直接地测量了这种Goos—Hǎnchen位移随电介质膜厚度的变化,测量结果与理论预言吻合得较好。 相似文献
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文中以探索多势垒结构的电子隧穿物理及其器件结构与性能为出发点,论述了多势垒结构隧穿现象的研究与进展。概述了一维半导体异质结构隧穿现象的解析解和数值计算。重点介绍了电子通过半导体双势垒结构产生隧穿现象的研究进展,即电子通过双势垒结构横纵波矢的耦合行为与共振准能级及共振准能级寿命的解析计算。 相似文献
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在波导耦合表面等离子体共振传感器结构中引入MoS2材料,提出了一种全介质MoS2薄膜混合耦合波导结构传感器,该结构使得低品质因数(FOM)波导中产生了频域较宽的宽共振,而高FOM波导中产生了频域较窄的窄共振,实现了双波导耦合,进而产生了Fano共振。对传感结构进行了数值模拟与分析研究,探究了MoS2层数及各结构参数对传感性能的影响,并依据其影响将两波导厚度、相邻两层介质材料厚度、MoS2层数作为输入参数,将FOM值作为输出参数,建立了基于深度极限学习机的优化算法。利用优化算法对权值参数进行优化,对比不同优化算法对光谱的优化能力,最终得到了GWO-DELM预测模型。结果表明,Fano形状可以通过改变结构参数进行动态调控。在最佳条件下,经过优化算法优化后的Fano共振的FOM值高达50000。 相似文献
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应用离散偶极子近似的方法计算了L型金纳米棒双体结构的表面等离子体共振引起的消光光谱及其近场电场分布。研究表明在入射光的偏振方向为45°时双体结构的消光谱峰位发生蓝移;当入射光的偏振方向为135°时,双体结构的消光谱峰位发生红移。两根纳米棒间距较小时,由于相邻金纳米棒之间的电场强耦合作用,表面等离子体杂化出现新的共振能级,两根金纳米棒的连接处出现强的电场分布,这些结果对于金纳米棒结构在表面增强拉曼散射方面有一定的参考意义。 相似文献
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共振腔发光二极管是一种具有优良发光性能的光电器件。概述了对可见光共振腔发光二极管的共振腔结构、反射镜材料体系、基本工作机理和发光特性,并展望了这种器件的发展前景。 相似文献
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