^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。     

HCl氧化物MOS结构质子辐照诱导的界面陷阱效应

用微分电容法研究质子辐照HCl氧化物铝栅MOS结构诱导的界面陷阱,栅氧化层在1 160℃很干燥的、含0～10％HCl的气氛中热生长而成,质子辐照能量为120～300keV,注入总剂量范围为8×10~(13)～1×10~(16)p/cm~2。结果表明,辐照诱导的界面陷阱能级密度随质子能量、剂量增加而增加。然而,氧化层中掺入6％HCl时,辐照诱导的界面陷阱明显减少。这样,已能有效地改变MOS器件的抗辐照性能。实验结果可用H~+二级过程解释。     

氧与激光辐照对多孔硅光致发光光谱的影响

将化学腐蚀后的多孔硅样品分别置于大气和氧气中,用激光连续辐照其表面.观察到多孔硅的光致发光光谱峰位随辐照时间增加发生蓝移,最后达到稳定,在真空中作同样处理的多孔硅光致发光峰位却没有移动.X射线光电子谱测量结果表明,在大气及氧气中激光辐照的多孔硅层内并未探测到二氧化硅,结合红外吸收光谱实验,认为蓝移的原因可能是氧置换了多孔硅内表面的硅,出现Si-O-Si结构的结果.     

脉冲激光辐照下半导体薄膜中温度场的计算

利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密度以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及ａ－ＳｉＨ薄膜的晶化效果的影响。     

超净间静电控制用无污染电离器

在超净房间超大规模集成电路生产中,静电放电引起两个极为严重的问题:一个是静电放电(ESD)对敏感电路元件的损害;另一个是静电向重要表面如硅晶片上加速沉积离子污染。电气绝缘表面有如绝缘载体的晶片,由于与其它固体、液体和气体的接触分离成为带电体。因此,它的电位很容易升高到几千伏。接地对绝缘体不起作用,对导体不致引起静电放电。在这种情况下,要采用电离化。现在商品性电离器有几个缺陷:由发射极溅射产生小粒子;产生臭氧,引起气流离子极性不平衡。在洁净室里使用有效的空气离子化,可实现快速中和表面电荷,而不使其自身成为一个重要的污染源。我们已经研制出新的无污染电离器。这个电离器用石英覆盖着钨发射极,连接高压直流电源。新的电离器可连续工作五个月而不损害发射极尖端放电。距离放电端下12厘米处测得臭氧不超过1ppb。在气流里离子极性的平衡,由接到栅极或与发射极相对位置环路导体及负极性直流电压来实现。     

铌酸锂γ射线辐照色心缺陷的研究

对铌酸锂晶体进行γ射线辐照处理，吸收光谱显示基础吸收边紫移，４８０ｎｍ波长附近出现一明显吸收峰，这是由空位色心Ｖ０和Ｎｂ＾４＋缺陷引起的，Ｎｂ＾４＋的存在进一步被ＥＰＲ实验所证实。本文对上述辐照缺陷的产生机理进行了讨论。     

YBa2Cu3O7—δ高温超导薄膜微桥结在微波辐照下的响应特性

采用偏轴直流磁控溅射原位生长ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜，以Ｈ３ＰＯ４为腐蚀液，采用化学湿刻工艺制作ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ高温超导薄膜微桥，微桥长１０μｍ，宽５μｍ，在８ｍｍ微波源的辐照下，除观察到整数常压台阶外，还观察到ｎ＝１／２，１／５，６／５，９／５等分数常压台阶，分数台阶的高度随微波功率的变化较整数台阶更敏感。     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOI MOSFET对浮体效应的改善,模拟了总剂量、抗单粒子事件(SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响.这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高,并且随着源区深度的减小,抗总剂量辐照的能力不断加强.体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关.     

源区浅结SOI MOSFET的辐照效应模拟

研究了源区浅结的不对称SOIMOSFET对浮体效应的改善 ,模拟了总剂量、抗单粒子事件 (SEU)、瞬时辐照效应以及源区深度对抗辐照性能的影响 .这种结构器件的背沟道抗总剂量能力比传统器件有显著提高 ,并且随着源区深度的减小 ,抗总剂量辐照的能力不断加强 .体接触不对称结构的抗SEU和瞬时辐照能力优于无体接触结构和传统结构器件 ,这与体接触对浮体效应的抑制和寄生npn双极晶体管电流增益的下降有关     

三乙胺分子的共振增强多光子电离解离通道研究

利用ＴＯＦ质谱装置对三乙胺分子在和两谱区进行了共振增强多光子电离解离研究。质谱中除有极强的母体离子１０１＾＋和母体上甲基的８６＾＋峰外，还检测到明显的５８＾＋，４２＾＋，３０＾＋，２９＾＋，３０＾＋，２９＾＋，２８＾＋，２６＾＋，２７＾＋和较弱的７２＾＋，７０＾＋，５６＾＋，４４＾＋，１５＾＋，１２＾＋等峰，并与电子轰击谱进行了对照。