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GA高层访华近日,以色列伽玛创力电子工业有限公司(GA)全球市场总监SharonGorenBar-Zvi女士首次访华。Sharon女士此次访华有两个目的:首先是了解中国目前UPS市场的态势与需求,探讨GA在中国未来的发展方向,寻找更多的合作机会。其次是与GA的中国团队进行深层次的沟通,对目前正在实施的相关项目进行细致的安排以确保其成功。Sharon中国之行不仅表示了以色列GA公司对中国市场的重视,更表明GA将在中国大展宏图的雄心壮志。她表示,作为一家技术领先,不断革新的以色列电源公司,GA凭借36年的专业经验和对行业发展的敏感预测,集中精力投入…     

不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性

在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.     

ZINO z510 MP3播放器——上古琢玉

z510是ZINO不久前推出的一款MP3播放器。与我们曾经试用过的ZINO其他产品相比，z510并没有特别突出的亮点。但是它却保持了ZINO良好的产品品质和时尚．个性化的风格。     

DST在塔河油田碳酸岩油藏的应用

塔河油田碳酸岩油藏是定容体油藏,若发育的裂缝、溶洞延伸不远,定容体的规模较小,则无开采价值,因此有必要判断钻遇的储集体规模大小.小定容体最显著的特征就是天然能量消耗和地层压力下降明显,DST测试是判断定容体油藏的好方法.由于常规测试受岩性、裂缝产状、泥浆侵入、含液性、地层各向异性等因素的不确定影响,使得常规测试储层响应特征具有多重性,只能初步判断裂缝溶洞的发育带,因此可以利用DST测试技术了解显示层段产液性质和产能,判断油气水层.     

弹性-粘弹性复合结构随机响应的各阶谱矩的计算方法

提出了一种新的计算弹性-粘弹性复合结构随机响应的各阶谱矩的计算方法，它是一种时域复模态分析方法。利用此方法获得了弹性-粘弹性复合结构在白噪声、滤过白噪声等典型平稳随机激励下随机响应的各阶谱矩的解析表达式，分析了粘弹性对各阶谱矩的影响。此计算方法简便、易用，无论单自由度或多自由度系统均适用，为进一步研究弹性-粘弹性复合结构在随机激励下的可靠性打下良好基础。     

聚乙烯辐照接枝体系中添加金属盐对接技率的影响

采用辐照接枝的方法，在高密度聚乙烯(HDPE)上接枝丙烯酸(AA)和对苯乙烯磺酸钠(SSS)，从而削备出了一种含羧酸基团和磺酸基团的阳离子交换膜。详细研究了接枝体系中引入添加剂醋酸钠或氯化钠对接枝率的变化规律．实验表明，在预辐照接枝和共辐照接枝中，当AA接技PE或AA与SSS共同接枝PE时，强碱弱酸盐醋酸钠通过pH效应同离子效应对接枝率呈现复杂的影响，而中性盐氯化钠经离子对效应显著提高接枝率。     

高分子表面活性剂对超声辐照下苯乙烯乳液聚合的影响

在超声辐照引发苯乙烯乳液聚合中加入一种新型的以羧甲基纤维素为基础的高分子表面活性剂(CMC—A9)，讨论了高分子表面活性剂对反应动力学的影响。实验表明，超声辐照下初级自由基并非由通常认为的高分子表面活性剂产生，而是十二烷基硫酸钠在超声辐照下断裂，产生自由基。通过对反应动力学的研究，发现超声辐照下乳液聚合机理不同于常规乳液聚合，聚合反应过程只有两个阶段，即加速期和减速期，不存在恒速期。加入CMC—A9高分子表面活性剂，可以在较短的时间内和较低的超声功率下达到较高的单体转化率。     

低光照和抗晕CCD的设计和制作

针对帧转移可见光CCD低光照响应、抗电晕能力和动态范围，较详细讨论了CCD光响应灵敏度、动态范围和抗电晕的设计与计算。设计的具有抗晕功能CCD，采用2μm工艺制作，达到了设计技术指标要求，满足了工程应用需求。     

Fe3O4/PSt/TiO2多层包覆电磁响应微球的制备

首先采用分散聚合法将自制的Fe3O4磁流体和苯乙烯反应合成有磁核的Fe3O4/PSt磁性聚合物微球，然后，用非均匀成核水解反应在Fe3O4/PSt微球外包覆无定形二氧化钛，获得Fe3O4/PSt/TiO2复合微粒。用红外光谱、扫描电镜和热分析对粒子的形貌和结构进行了表征。并测试了微粒的介电性能和磁性，结果表明，所制得复合微粒有良好的电、磁响应性。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.