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61.
砂岩酸化中水化硅沉淀的影响因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
讨论了砂岩酸化中产生水化硅沉淀的反应机理。使高岭土与1.0%HF和多种配比的HCl HF在不同温度(20-90℃)反应不同时间(10-300分钟),用等离子吸收光谱法(ICP)测定酸液中可溶性硅的浓度(mg/L),取某时段测定值的减小量为该时段水化硅沉淀生成量,讨论了多种因素的影响,得到了如下结果和结论。反应温度越高,则高岭土与HF之间的反应越快,形成水化硅沉淀的时间越短,最终生成的沉淀量越大;在HF中加入HCl(使用土酸体系)、减小土酸中HF质量分数、加大土酸中HCl、HF质量分数比,均可使生成沉淀时间延后,使最终生成沉淀量减少。60℃时300分钟沉淀量,在1.0%HF、5.0%HCl 1.0%HF、9.0%HCl 1.0%HF中分别为482、321、201mg/L。提出了在酸化设计与施工中可以采取的6条简便易行的减少水化硅沉淀量的措施。图4表1参6。  相似文献   
62.
《数字通信》2006,(24):I0001-I0001
两周前,我想给我的手机买个硅胶套。花了两天时间,跑遍了重庆市的IT卖场,竞没有找到一款合适的。一气之下决定在网上购买。从开始找卖家到下单,只花了一个小时,隔了一天,快递就为我们手机送来了新衣服。仔细算了一下,我四处寻找硅胶套那两天,劳累不说,花的车费钱,就比快递费多得多。  相似文献   
63.
Nowhare 《数字通信》2006,(11):109-111
现在手机的“面子”越来越大,屏幕被硬物划伤的可能性也随着增大。尤其是一些触摸屏手机,就算不发生意外,每天的手写、触控也会让屏幕上积累出诸多划痕。于是,手机屏幕贴开始流行起来,小小一张贴纸,就能最大限度地保护手机屏幕不受损伤。对那些大屏幕、触控操作的PDA手机来说,还能凭借完好无损的屏幕在以后出手时卖个好价钱! 硅胶套则是随着iPod的流行而兴起的一种保护用具,强调时尚的用户能更喜欢花样百出的手机皮套,布套。硅胶套则是另一个极端——所有的硅胶套都是半透明的,没有什么花样,但这是手机的另一个外壳,一旦套上就无须取下,也基本上不会对正常使用造成不利影响。 硅胶套与屏幕贴,内外相济,为手机提供最妥帖的呵护。希望自己的手机用上一年半载之后还完整如新吗?那就快去选择合适的屏幕贴与硅胶套吧![编者按]  相似文献   
64.
65.
掺铒碲基光纤放大器最新研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
掺铒碲基光纤放大器(EDTFA)由于能同时在C L波段(1530-1610nm)或L波段(1580-1620nm)对光信号进行有效的放大,目前已成为通信领域内竞相开发的一种新型宽带光纤放大器,为此简单介绍了该放大器的研究历程,综述了其最新研究进展和应用情况。  相似文献   
66.
测算了由二(2-乙基己基)磷酸钠,金属盐(CoSO4,NiSO4,ZnSO4,MgCl2或Cr(NO3)3)水溶液,正辛醇和正辛烷组成的微乳液中正辛醇从连续油相到界面的ΔGo→i^o和水的极限增容量φ'H2O。用金属萃取络合物反胶束的形成及其亲油性解释了金属离子对φ'H2O和ΔGo→i^o的影响。  相似文献   
67.
用于高频谐振器的PbTiO_3基压电陶瓷   总被引:1,自引:1,他引:0  
传统的PZT压电陶瓷的相对介电常数较大,一般为1 000以上,用于高频谐振器不易与线路匹配;而PbTiO3基压电陶瓷的相对介电常数较小,一般仅为200左右,对于10 MHz以上频率的谐振器,用PbTiO3基压电陶瓷作为压电振子是最佳的选择。本文主要研究用于高频谐振器的MnO2和Nd2O3改性PbTiO3基压电陶瓷的性质。PbTiO3基压电陶瓷的性质的改善是与此种陶瓷的制备工艺,显微结构和电导机制紧密相关的。  相似文献   
68.
金属/Al2O3基纳米复合材料研究最新进展   总被引:2,自引:0,他引:2  
金属/Al2O3纳米复合材料在保持原有金属的功能特性时,还可以获得 很好的力学性能,是有良好发展前景的一种纳米复合材料。本文回顾了近年来金属/Al2O3基纳米复合材料在制备工艺,微观结构和力学性能,增韧强化机理方面的最新进展,并指出了今后的研究方向。  相似文献   
69.
硅微机械梳齿静电谐振器的建模与分析   总被引:5,自引:2,他引:3  
李宏生 《压电与声光》2002,24(5):421-424
基于参数化的计算机辅助设计(CAD)软件,对硅微机械梳齿静电谐振器进行了实体建模,以有限元分析软件为工具,进行了谐振器的模态分析,静态分析和谐响应分析,初步揭示了谐振器的静、动态特性,有助于改善设计效率和质量,展示了计算机辅助工程(CAE)技术在微机电系统(MEMS)研究中的重要作用。  相似文献   
70.
中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.  相似文献   
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