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171.
隋妍萍 《上海电力学院学报》2010,(7)
采用孪生对靶直流磁控溅射的方法在室温下制备高质量的Ga掺杂ZnO(ZGO)透明导电薄膜,用HCl腐蚀的方法获得满足光散射特性的绒面ZGO薄膜。制备的ZGO样品为具有六角纤锌矿结构的多晶膜,具有(002)方向的择优取向。腐蚀后,绒面ZGO薄膜的晶粒度减小,电阻率基本不变。在可见光范围内,绒面ZGO的反射率比平面ZGO的反射率下降了10%左右。将绒面ZGO薄膜应用于p-i-n型非晶Si薄膜太阳电池中,有效提高了太阳电池性能,使得电池的短路电流提高到17.79 mA/cm2,电池的转换效率增加到7.23%。 相似文献
172.
黄晓荣 《四川大学学报(工程科学版)》2010,42(5):150-154
针对城市应急供水方案选择面临的多目标评价问题,从水量、水质、工程难度、工程投资等方面建立城市应急供水方案评价指标体系,运用灰靶理论,通过建立标准模式、灰靶变换、构建灰关联差异信息空间、计算灰关联系数和靶心系数,逐层次识别模式接近靶心度的程度,从而对方案进行评价及排序,最终选定方案6作为德阳市应急供水方案,为德阳市灾后重建城市供水提供了重要的科学依据.该方法适合处理信息不完全、少数据不确定性问题更简洁、高效、可行. 相似文献
173.
174.
在分析了硅基上金属线圈的串联电阻、金属层厚度等在低频和高频的情况下对Q的影响及原因的基础上,提出了一种在硅杯表面采用浓硼扩散区与镀金属膜形成的欧姆接触电极作为内引线的硅基电感的新制造方法。设计了硅基电感的版图尺寸和相关的工艺流程,用IntelliSuite软件模拟验证了工艺流程的可能性,再利用Ansys有限元软件中的电磁分析模块模拟了电流与磁感应强度的关系、衬底涡流分布等,为平面电感的理论与实验的进一步比较分析提供了参考依据。在研制过程中发现影响电感性能好坏的主要因素是衬底涡流效应,为此提出了在矩形硅杯膜上制作电感的方法,为了进一步减薄金属电感线圈衬底的厚度,在硅杯膜背面采用激光打孔得到了膜厚约为5μm的衬底,从而可以使衬底中的涡流大幅度减少、电感的Q值得到很大提高。此外,提出的新制造方法采用了绝缘性能比SiO2好的Al2O3薄膜作为电感线圈与衬底之间的绝缘层。结果表明,设计的平面螺旋电感具有制造工艺简单、与IC工艺相兼容的优点,有广泛的应用前景。 相似文献
175.
176.
在海水淡化厂RO膜组上进行生产性试验,探究pH、温度、多级反渗透和膜组件等因素对RO脱硼效果的影响。试验结果表明,进水pH值在8.5~10. 5,RO脱硼率随pH增大而升高,可以达到95%左右;随着进水温度从约17℃下降至约5℃,RO脱硼率从约70%升高到85%以上;在试验条件下,二级RO比例为45%,采用两级RO工艺相对一级RO脱硼率高出约20%;不同品牌型号的RO膜在同等工艺和进水条件下,脱硼率存在较大差异;通过PEG处理性能下降的RO膜,一级RO脱硼率可以提高约15%。 相似文献
177.
178.
采用透射电子显微镜原位加热(in situ TEM)观察技术研究了非晶态MgO-B2O3-SiO2渣中含硼组分动态晶化过程。实验结果表明,非晶态MgO-B2O3-SiO2渣晶化时,首先发生分相,然后2MgO·B2O3晶体析出,继而3MgO·B2O3晶体析出。同时也发现电子束辐射对晶化过程有很大影响。 相似文献
179.
180.
磁控反应溅射沉积AlN薄膜的制备工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
采用反应磁控溅射的技术,利用高纯氮气和氩气混合气体在K9玻璃基片上沉积了AlN薄膜.通过正交实验,分析了工艺参数与沉积速率的关系.研究了氮气浓度对透过率的影响.实验结果表明:在各工艺参数中靶功率对沉积速率影响最大,靶功率为1.0 kW,氮气浓度控制在25%~35%时薄膜的性能良好,沉积速率为39 nm/min,薄膜在可见光区域平均透过率为90%.该薄膜可以广泛用于光学薄膜和压电薄膜材料. 相似文献