基于半导体断路开关的脉冲功率源及其应用

半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用于脉冲功率源的传统器件相比,基于SOS的脉冲功率源更简单、可靠,其脉冲重复频率可达到kHz。介绍了SOS和基于SOS的脉冲功率源的基本工作原理和特性,并总结了基于SOS的脉冲功率源最新的研究进展和应用。     

美国实现第一个硅激光器

美国加利福尼亚大学已演示了据称第一个利用喇曼效应的硅（Si）激光器。这种发射波长为1675nm、具有25MHz重复频率时脉冲喇曼激光器采用硅波导作为增益介质，关键器件是硅上隔离的凸台波导和环绕该芯片的环形光纤。在9W峰值泵浦脉冲功率下获得激光阈值，并获得8．5％的斜效率。     

高压超快GaAs光电导开关的研制

本文首次报导了采用全固态绝缘，微带线低电感输出的Ｓｉ－ＧａＡｓ高压超快光电导开关的研制结果，该器件的耐压强庶３５ｋＶ／ｃｍ，典型的电流脉冲上升时间为２００ｐｓ，电流达１００Ａ。并在实验中观测到典型的高倍增现象。     

小体积脉冲功率源及LEEFI发展研究

综述脉冲功率源主要元器件:脉冲变压器、发火电容器、发火开关的研究进展,介绍了MIL-DTL-23659D对脉冲功率源与爆炸箔起爆器(EFI)发火性能的试验要求,并对低能爆炸箔起爆器(LEEFI)的发展进行了分析.     

大功率晶闸管开关的触发电路设计与研究

简述了半导体开关晶闸管的工作原理及触发条件。基于脉冲电源对大功率晶闸管的使用要求,对大功率晶闸管的触发电路进行了方案设计,重点分析了触发控制电路、光纤传输、触发信号发生电路的功能和工作过程,并在此基础上研制了一种晶闸管触发电路模块,进行了多次主回路触发放电实验,均能可靠触发,满足设计和使用要求。     

多级磁压缩脉冲电源

阐述用于EUV光刻技术的脉冲功率电源的设计。该脉冲电源由充电电容组,半导体开关(IGBT),脉冲变压器和四级磁压缩回路组成。解释磁开关的工作原理,提供各关键元件的设计参数。根据磁性材料的物理特性参数,利用Pspice仿真软件建立磁芯模型,构建磁开关和仿真电路,对各级电压和电流波形进行分析,进而设计调整各级磁开关的参数。实验结果表明,该脉冲电源输出峰值为30 kV,上升沿为<85 ns,脉冲宽度<100 ns的脉冲信号。     

基于超导储能型脉冲变压器的脉冲电源放电研究

为了实现超导电感磁储能脉冲电流输出,本文针对一种基于超导储能型脉冲变压器的脉冲功率输出模式展开研究.该模式使用非线性电阻作放电电阻.根据非线性电阻的特性,本文结合仿真研究了非线性电阻转变电压对系统能量转换效率的影响,并通过与线性电阻比较了使用非线性电阻的优势.仿真结果表明这种脉冲功率电源模式是可行的,通过选择合适的非线性电阻的转变电压,可以在当前技术条件下获得较高的脉冲电流输出和较高的能量转换效率.     

强电磁干扰环境下测控系统的通信系统设计

介绍了在强电磁干扰环境下工作的测控系统的串行通信子系统的硬、软件设计。整个系统分两级网络 ,均为RS - 4 85 /光纤混合 ,由一级网通过RS - 2 32接口与上位机相连。并分别给出了接口电路和相应程序流程。     

便携式ns级脉冲功率高压源的设计与实现

描述了螺旋带状发生器的基本原理、设计参考和实现依据 ,在此基础上设计和实现了一种脉冲高压发生器 ,并基于脉冲高压发生器研制了一台脉冲电压幅度为 15 0kV、脉冲半宽为 5 0ns、重复频率为 2～ 5Hz的便携式ns级脉冲高压功率电源 ,同时给出了该电源的初级脉冲驱动源和控制电路的设计以及发生器输出电压的测量方式。     

纳秒脉冲气体放电机理研究现状

针对脉冲功率技术一基础研究领域即ns脉冲下电介质击穿机理 ,详析了几种放电机理假说 (包括经典流注机理、电子崩链模型、逃逸电子模型、气体开关模型等 ) ,指出重频ns脉冲下气体放电试验及机理值得研究。