光声信号控制激光器

虽然利用激光在多层印刷电路板上打孔已经有一些时候了，但这种应用对监控打孔操作的进行往往没有令人满意的方法。因为组合的各层可能有完全不同的光吸收特性，于是在相继层中可能要求诸如脉冲持续时问、脉冲功率等不同的激光打孔临界参数。     

数值模拟研究半导体断路开关的电流截断特性

半导体断路开关（SOS）效应的发现,促进了全固态脉冲功率源技术的发展和应用。采用一维流体模型,利用SOS数值模拟程序对SOS二极管P^＋-P-N-N^＋结构的电流截断特性进行了数值模拟研究。研究了SOS二极管P区扩散深度、外电路参数对SOS电流截断特性的影响。结果表明：P区扩散深度、次级储能电容C2、反向泵浦电感L^-的大小对SOS的反向电流截断时间均有较大影响;随着次级储能电容和反向泵浦电感的增大,电流截断时间增大,反向电流峰值和反向电压峰值减小。该研究对SOS二极管工艺设计和外电路优化设计具有理论意义和实用价值。     

混合储能脉冲电源中电容重复利用方案设计及仿真

在基于超导电感-电容混合储能脉冲电源中,两个储能电感比值较大时转换电容的容量要求也较大,降低了超导储能的体积优势。针对这一问题,本文分析了转换电容对单模块电路工作特性的影响,提出了多模块超导电感-电容混合储能脉冲电源电路共用一个转换电容支路的设计思路,并以三模块为例对同时放电和延时放电模式进行了仿真验证。仿真结果表明:多模块超导电感-电容混合储能脉冲电源电路可以共用一个转换电容支路,两种放电模式对负载电流脉冲都进行了改进,但同时放电模式进一步降低了超导储能的优势,而延时放电模式可大幅提高超导储能的优势。     

基于半导体断路开关的脉冲功率源及其应用

半导体断路开关效应的发现促进了能连续重复频率运行的半导体断路开关和基于这种开关的高平均脉冲功率源的发展和应用,与其它应用于脉冲功率源的传统器件相比,基于SOS的脉冲功率源更简单、可靠,其脉冲重复频率可达到kHz。介绍了SOS和基于SOS的脉冲功率源的基本工作原理和特性,并总结了基于SOS的脉冲功率源最新的研究进展和应用。     

美国实现第一个硅激光器

美国加利福尼亚大学已演示了据称第一个利用喇曼效应的硅（Si）激光器。这种发射波长为1675nm、具有25MHz重复频率时脉冲喇曼激光器采用硅波导作为增益介质，关键器件是硅上隔离的凸台波导和环绕该芯片的环形光纤。在9W峰值泵浦脉冲功率下获得激光阈值，并获得8．5％的斜效率。     

高压超快GaAs光电导开关的研制

本文首次报导了采用全固态绝缘，微带线低电感输出的Ｓｉ－ＧａＡｓ高压超快光电导开关的研制结果，该器件的耐压强庶３５ｋＶ／ｃｍ，典型的电流脉冲上升时间为２００ｐｓ，电流达１００Ａ。并在实验中观测到典型的高倍增现象。     

小体积脉冲功率源及LEEFI发展研究

综述脉冲功率源主要元器件:脉冲变压器、发火电容器、发火开关的研究进展,介绍了MIL-DTL-23659D对脉冲功率源与爆炸箔起爆器(EFI)发火性能的试验要求,并对低能爆炸箔起爆器(LEEFI)的发展进行了分析.     

大功率晶闸管开关的触发电路设计与研究

简述了半导体开关晶闸管的工作原理及触发条件。基于脉冲电源对大功率晶闸管的使用要求,对大功率晶闸管的触发电路进行了方案设计,重点分析了触发控制电路、光纤传输、触发信号发生电路的功能和工作过程,并在此基础上研制了一种晶闸管触发电路模块,进行了多次主回路触发放电实验,均能可靠触发,满足设计和使用要求。     

多级磁压缩脉冲电源

阐述用于EUV光刻技术的脉冲功率电源的设计。该脉冲电源由充电电容组,半导体开关(IGBT),脉冲变压器和四级磁压缩回路组成。解释磁开关的工作原理,提供各关键元件的设计参数。根据磁性材料的物理特性参数,利用Pspice仿真软件建立磁芯模型,构建磁开关和仿真电路,对各级电压和电流波形进行分析,进而设计调整各级磁开关的参数。实验结果表明,该脉冲电源输出峰值为30 kV,上升沿为<85 ns,脉冲宽度<100 ns的脉冲信号。     

基于超导储能型脉冲变压器的脉冲电源放电研究

为了实现超导电感磁储能脉冲电流输出,本文针对一种基于超导储能型脉冲变压器的脉冲功率输出模式展开研究.该模式使用非线性电阻作放电电阻.根据非线性电阻的特性,本文结合仿真研究了非线性电阻转变电压对系统能量转换效率的影响,并通过与线性电阻比较了使用非线性电阻的优势.仿真结果表明这种脉冲功率电源模式是可行的,通过选择合适的非线性电阻的转变电压,可以在当前技术条件下获得较高的脉冲电流输出和较高的能量转换效率.