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61.
光学参量啁啾脉冲放大(OPCPA)技术将是替代CPA技术而产生脉宽更短、峰值功率更高脉冲激光的最新技术.目前超短超强脉冲激光技术发展的方向是采用OPCPA技术建立高柬质、高效率、脉宽小于30fs的峰值功率大于TW的小型化台面超短超强脉冲激光系统.  相似文献   
62.
脉冲式半导体激光器准直光学系统的设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
陈炳林  张河  孙全意 《激光技术》2003,27(3):243-244
根据具体的探测环境和探测精度,通过理论分析,提出了脉冲式半导体激光器准直光束的单透镜设计方法和柱面透镜的设计方法,并且给出了具体的设计参数。可以获得高斯光束的准直发散角为1.48mrad;高斯光束的腰粗为0.325mm。  相似文献   
63.
信号的小波尺度-频率表示及其在机械故障诊断中的应用   总被引:2,自引:0,他引:2  
基于对信号的连续小波变换特点的分析,提出信号特征的小波尺度一频率表示方法。该方法对污染的脉冲信号和正弦信号的应用结果表明该方法能有效提取强噪声背景下的周期成分。以变速器齿轮的故障诊断为例,用该方法对变速箱齿轮振动信号的尺度-频率表示进行分析,结果表明该方法能非常有效地将不同磨损状况的齿轮振动信号的特征表现出来。  相似文献   
64.
基于对地观测激光回波特征的目标特性研究   总被引:5,自引:0,他引:5  
本文研究了对地观测激光回波特征与地面目标特征之间的关系模型,分析了分类地面目标的激光回波特征,提出一种基于查表法的目标特性计算方法并给出了仿真结果。  相似文献   
65.
用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs,O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是:首先,As氧化为低价态,然后Ga被氧化,再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中,表面Ga没有被氧化,就可在较低的温度热净化,获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高,则(Cs,O)激活后形成氧化物越多,从而形成了界面势垒,使电子逸出概率降低。  相似文献   
66.
乔飞  杨华中  罗嵘  汪蕙 《微电子学》2004,34(1):85-87,90
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。  相似文献   
67.
高功率脉冲水中放电的应用及其发展   总被引:7,自引:0,他引:7  
首先介绍了高功率脉冲水下放电的机理,然后综合论述了其应用和研究的状况,从较为成熟的脉冲水处理技术到医疗领域的ESWL应用技术,以及在脉冲电场食品杀菌和水下目标探测方面的最新发展和研究,最后指出了高功率脉冲电技术应用前景以及进行更系统和深入研究的必要性。  相似文献   
68.
超宽带极窄脉冲设计与产生   总被引:6,自引:0,他引:6  
超宽带(UWB)技术是以持续时间极短的脉冲作为传输载体进行数据通信的无线新技术。基于BJT雪崩特性,本文采用并行同时触发的工作方式,设计并产生了高重复速率的UWB脉冲电路发生器,极大地减少了时延,缩短了上升时间,提高了脉冲的幅度,并从等效电路法的观点分析计算了脉冲的特性参数,理论结果与实测结果具有较好的一致性。  相似文献   
69.
任定君 《电信技术》2006,(5):106-108
首先介绍了传统规划方法,然后着重介绍了精确规划方法所采用的相关新技术,最后简要介绍了笔者应用仿真方法对实际工程进行检验的结果。  相似文献   
70.
本首先介绍了语音编码技术中对语音质量的评价方法,然后对几种典型的IP电话语音压缩技术标准进行了阐述,最后,对三种常用的IP电话语音压缩技术参数进行了比较。  相似文献   
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