n＋^28Si核反应20MeV以下数据的理论研究

在对CEDNL-3．1库^28Si的中子评价数据的泄漏谱积分检验基础之上，先采用中国核数据中心研制的程序APMN调节了光学势参数，得到了一套比较符合角分布实验数据的光参，然后利用DWUCK计算了激发态直接非弹性散射的数据，最后使用UNF程序计算了全套数据，再对新计算的数据进行了同样的泄漏谱积分检验。经过数次循环之后，目前的研究结果表明，     

75MeV／u^16O离子在辐照生物实验区产生的中子角分布

应用Ａｌ为阈探测器对７５ＭｅＶ／ｕ＾１６Ｏ离子在辐照生物研究区产生的Ｅｎ〉６ＭｅＶ中子的角分布进行了实验测量，以了解辐照生物实验区的中子分布情况，为进一步开展的重离子冶癌研究提供辐射防护的实验数据。实验结果表明实验区产生的中子具有明显的前冲分布。     

基于齿廓压力角分布的RV摆线轮修形方法

传统的齿廓修形设计存在计算复杂、齿廓曲线形状不易控制及轮齿啮合精度不易保证等缺点,齿轮的齿廓压力角对啮合传力性能具有较大影响.因此,基于摆线轮齿廓压力角的分布规律,提出了一种新的齿廓修形方法.以计算分析获得的压力角分布趋势为基础,建立了直线法齿廓修形数学模型,推导出齿廓压力角和修形量的函数关系;构建了轮齿接触分析模型,获取了修形摆线针轮的传动误差.通过摆线轮的齿廓形状和传动误差的对比测量实验,验证了文中所提方法的正确性和有效性.该方法综合考虑了摆线轮齿廓压力角与修形量之间的相互影响,解决了传统修形方法在计算、加工和主动设计等方面的技术难题,可以灵活控制修形量变化趋势,在保证啮合性能的同时,获得了更逼近理论摆线的设计齿廓.     

p+~(59)Co原子核反应的理论计算

基于光学模型势方法,依据p+59Co反应的总截面和弹性散射角分布的实验数据,利用APMN.FOR程序,给出1套与实验数据符合很好的光学势参数。将光学势参数应用于质子与59Co的邻近核56Fe、58Ni、63Cu的核反应理论计算,质子入射能量小于200MeV时,该光学势参数有很好的普适性。     

硼-11质子辐射俘获反应的实验研究

在大爆炸原初核合成(Big Bang Nucleosynthesis,BBN)反应网络中,11B(p,γ)12C反应是合成12C核素的最主要反应之一,对该反应进行精确测量有重要意义。由于库仑势垒的作用,天体物理感兴趣的低能区11B(p,γ)12C反应截面极低,直接测量比较困难,一般可以采用谱因子方法进行间接测量。实验使用HI-13串列加速器Q3D磁谱仪和二维位置灵敏半导体探测器(Two-dimensional Position Sensitive Silicon Detector,2D-PSSD),测量了12C(11B,12C)11B弹性转移反应的角分布,并利用扭曲波波恩近似(Distorted wave Born approximation,DWBA)理论对实验角分布进行分析,得到了12C的质子谱因子,进而根据辐射俘获理论得到了11B(p,γ)12C直接辐射俘获反应的天体物理S(E)因子及反应率。     

~(108)Cd正宇称yrast带g-因子测量

在中国原子能科学研究院的HI-13串列加速器上,利用76Ge(37Cl,1p4n)108Cd重离子熔合蒸发反应布居了108Cd的yrast带高自旋态,采用瞬态场-离子注入扰动角分布(Transient-magnetic filed-ion implantation perturbed angular distribution,TMF-IMPAD)方法测量了108Cd的正宇称yrast带的g因子,测量得到2+、4+态g-因子分别为0.33(11)、0.18(6)。在10+态前后,发生h11/2中子顺排,g-因子值由正转负。从10+态到16+态,由于g7/2中子顺排,导致g-因子逐渐增大。测量得到反磁转动带带头16+态的g-因子为-0.09(3)。     

CuAu合金溅射原子角分布的实验研究

荷能离子轰击固体复合材料表面时某种成分的择优发射现象,是人们很感兴趣的研究课题。这是因为,择优发射机制至今尚不清楚。同时,很多现代表面分析设备,诸如俄歇电子     

过程e~ e~-→J/ψ→γB(J~PC),B→P_1P_2的角分布和B的自旋分析

本文给出了过程e~ e~-→J/ψ→γB(J~(pc)),B→P_1P_2的通常的螺旋性形式和等效相互作用形式之间的关系,对于B的不同自旋(J=2,4)的角分布显示,为了确定B的自旋,存在敏感区域和不敏感区域。不幸的是θ/f_2(1720)和ξ(2230)的现有数据落入了不敏感区域。