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单稳态极化继电器释放值稳定性问题探究 总被引:1,自引:0,他引:1
释放值是电磁继电器的一项重要参数。释放值小或不释放往往会造成电磁继电器的功能性失效,这是非常严重的问题。文章介绍了影响JHX—2F继电器释放值的因素,并从设计原理入手提出了相应的解决方法。 相似文献
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湖泊底泥是污染物的“汇”和“源”,当水环境条件发生改变时可以相互转化。本文以厦门市某湖泊底泥为研究对象,通过改变上覆水溶解氧条件,研究湖泊底泥中氨氮释放规律和强度。结果表明:在好氧条件(DO≥2mg/L)下,氨氮持续释放为4-18d,均值为12d;释放强度为77.01-146.07mg/(m2·d),均值为105.55mg/(m2·d);上覆水氨氮浓度峰值为4.57-5.73mg/L,均值为5.11mg/L;氨氮释放量为584.28-1425.06mg/m2,均值为1058.76mg/m2。在缺氧条件(DO≤1mg/L)下,氨氮持续释放为12-18d,均值为15d;释放强度为67.55-103.07mg/(m2·d),均值为83.94mg/(m2·d),上覆水氨氮浓度峰值为7.3-10.6mg/L,均值为8.21mg/L;氨氮释放量为945.70-1524.82mg/m2,均值为1208.36mg/m2。底泥氨氮... 相似文献
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基于气固耦合作用条件下的煤与瓦斯突出物理模拟试验结果,分析了突出过程中的温度-气压-应力体系演化过程,从热力系统能量守恒的思想出发,探讨了突出过程中多变指数的实时演化,并根据动态变化的多变指数推导出了多变过程中的瓦斯膨胀能的计算方法,在此基础上讨论了突出过程中的能量释放问题。研究结果表明:煤体不同区域的应力变化在突出过程中共呈现3种类型,即:初始下降—波动升降—平稳回升型、初始上升—小幅下降—平稳回升型和小幅下降—平稳回升型;煤体内瓦斯压力变化过程呈现两种类型,即:初始下降—波动升降—平稳下降型与平稳下降型;煤体温度则在突出过程中表现为单一的持续下降过程。煤体卸压区和应力集中区在突出前期为定温-定压-定熵相互转换的多变过程,突出中期为定温过程,突出后期为定温-定压相互转换多变的过程;应力升高区在突出前期为定温-定压相互转换的多变过程,突出中期至后期主要表现为定温过程;原岩应力区在突出前期为定温-定压相互转换的多变过程,突出中期至后期处于一个定温-定压-定熵相互转换的多变过程。突出过程中煤体的弹性应变能释放主要来自于应力集中区和应力升高区,煤体内各区域的弹性应变能的释放都会经历一个下降随后回升的现象,且该过程中各区域的弹性能不会一次性完全释放。突出过程中越靠近工作面区域释放的瓦斯膨胀能越大,膨胀能的释放并不是一个连续的过程,而是呈现阶段波动式,这种波动在突出后期尤为明显。根据本文的研究,在煤体物理力学性质确定的前提下,单独释放弹性应变能或瓦斯膨胀能都可以达到降低突出发生风险的目的,若同时对两者进行处理,则突出风险降低的概率更大。 相似文献
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压水堆燃料包壳破损后,芯块-包壳间隙内积累的裂变气将释放到冷却剂中,其内部的微观机理还尚不清楚。为了揭示裂变气体释放过程中冷却剂与气体的相互作用规律,基于三维计算流体力学(CFD)方法对该物理过程展开数值模拟,所利用的模型为VOF模型以及k-ε模型。模拟结果表明,包壳破损后冷却剂首先进入芯块-包壳间隙,在芯块-包壳间隙内蒸发,引起芯块-包壳间隙内压强上升,而后裂变气体释放到子通道;裂变气体从芯块-包壳间隙释放到子通道可分为2个阶段。第一阶段:芯块-包壳间隙与子通道间压差较大,气体射流进入子通道,该阶段持续时间较短,裂变气体释放率较大,且变化也较大。第二阶段:芯块-包壳间隙与子通道间压差较小且相对平稳,裂变气体通过破口内涡的对流传质进入子通道,该阶段持续时间较短,裂变气体释放率较小,且相对稳定。 相似文献
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精准控制药物释放是提高药物疗效并降低毒副作用的关键。触发式自释放系统可用于药物的程控和定点释放。研究构建一种触发式自释放的喜树碱(CPT)聚合物前药平台。通过开环易位聚合,合成一系列分子质量相近但氨基链长短/数量不同的聚合物前药(PEGn-Em-CPT2和PEGn-Dm-CPT2),重点探究氨基链长短/数量对CPT自释放的影响。结果表明,氨基链长短、数量和pH均可以改变CPT的释放行为。通过控制氨基数量,PEGn-Em-CPT2和PEGn-Dm-CPT2在180h的释放量可分别从10%调控至89%或62%。此外,利用酸敏感性β-羧酸酰胺修饰氨基可实现酸触发CPT释放。该研究报道了利用邻近侧链氨基催化分子内水解现象来调控药物的释放性能。 相似文献
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40 keV He离子注入单晶Si引起的损伤效应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
室温下使用40 keV He离子注入单晶Si样品到剂量5×1016 cm-2,分别采用透射电子显微镜(TEM)、热解吸谱仪(THDS)、光致发光谱仪(PL)详细地研究了随后热处理过程中He注入空腔的形成、He气体原子的热释放以及注入损伤引起的光致发光特性.结果表明,He离子注入及随后的高温热处理会在单晶Si中产生宽度约为220 nm的空腔带,同时伴随着He气体原子从注入产生的缺陷中释放出来.He气体原子的热释放可以明显地分为两个温度阶段,分别对应于He原子从小的空位型缺陷和大的空腔中的热释放.此外,He离子的注入还会在单晶Si中产生明显发光中心,导致了波长约为680 nm和930 nm的两个光致发光带.该光致发光带的出现可能跟He离子注入及退火过程中产生的纳米Si团簇有关. 相似文献
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AED主要用于治疗心脏骤停的患者,及时挽救患者的生命。但在AED校准中存在很多问题,本文通过一个AED释放能量超差的实例,分析造成超差的各种原因,最终找到造成原因并给出解决办法。 相似文献
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