广西年产10t纳米级铟锡复合氧化物粉末项目报批立项

该项目建设周期2006-2007年，投资总额为1300万元，目前正报批立项。     

酸性含磷萃取剂萃铟机理及性能规律研究

利用斜率法、连续变量法研究了四种酸性含磷萃取剂从稀硫酸溶液中萃取铟的机理，结果表明存在两种萃取机理。测定了各萃取剂萃铟平衡常数、萃合物稳定常数、萃取平衡时间及不同硫酸浓度下的反萃率，在此基础上讨论了萃取剂结构对萃取性能递变规律的影响。     

光电子器件用透明导电膜

本文介绍了低电阻率的铟锡氧化物透明导电膜的机理、制备及实验结果，并对某些参数在电阻率透射率方面的影响作了讨论。     

从硫酸锌溶液中富集铟两种工艺的比较

介绍了锌粉置换法和氧化锌水解沉淀法从硫酸锌溶液中富集铟的原理和生产实践,比较了两种工艺的特点。     

B#塔底铅用电解法富集铟的工业试验

为了有效富集B#塔底铅中的铟,进行了底铅电解富集铟工业验证性试验.试验结果表明,采用现铅电解工艺技术条件富集B#塔底铅中的铟是可行的,铟电溶率均在94%以上,且可以产出高纯铅LME.     

自组织InAs/GaAs量子点的表面氮化研究

用低温光荧光(PL)和透射电子显微镜(TEM)研究了表面氮化自组织InAs/GaAs量子点的光学性能和微观结构。结果表明氮化后形成薄层的InAsN薄膜作为应变缓和层覆盖在量子点的表面,使得随着氮化时间的增加,InAs量子点的位错密度提高、尺寸变大、纵横比提高、发光波长变长、强度变低。     

微传感器表面温度非接触测试及In2O3微传感器气敏特性的研究

基于“相同温度下同一物体所产生的辐射功率相同”这一原理,搭建了一套非接触式微小芯片表面工作温度的测试平台.利用该平台对汉威电子出品的一种平面陶瓷基微气体传感器衬底的表面工作温度进行了测试,明确了其表面温度与加热电流之间的关系及芯片表面工作温度分布图.在此基础上,确定了In2 O3纳米纤维的最佳工作温度,研究了最佳工作温...     

塞曼火焰原子吸收法直接测定金属铟及铟合金中微量铅

金属铟及铟合金中杂质铅的含量甚微，通常用化学法或光谱法测定。但化学方法要经过与主体分离的复杂手续，而光谱法则没有国家光谱标准可供参照，且灵敏度不高。本文提出在不分离基体铟的情况下于5％的盐酸介质中，采用塞曼火焰原子吸收光谱仪于283．3nm处直接测定金属铟及铟合金中微量铅的吸光度。方法灵敏度高，重现性好，测定结果准确可靠。     

沃特兰亭开始生产铟

5月9日巴西沃特兰亭公司负责人来安泰科访问，在交谈中安泰科了解到，沃特兰亭公司从2007年下半年开始生产精铟，预计2008年产量可以达到20吨左右。沃特兰亭最近刚刚收购了美国爱励公司，随着公司发展壮大，发展战略发生很大变化，特别是在中国的业务进展迅速。