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71.
直流溅射中氮气分量对氮化锆薄膜性质的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用直流溅射方法制备氮化锆薄膜,其晶体结构,氮原子组分以及电阻率都与溅射气氛中氮气分量有直接关系。用X射线衍射分析薄膜结构,随氮气分量由5%至30%增加,玻璃衬底上的氮化锆薄膜首先呈(111)和(200)两主要生长取向;然后(200)取向逐渐消失,只有(111)单个优化生长取向;最后,没有衍射峰出现,薄膜趋于无定型结构。  相似文献   
72.
ZrB_2在含碳耐火材料中的行为及影响[日]山口明良等1前言MgO-C质及Al_2O_3-C质等含碳耐火材料由于同时具备优良的抗侵蚀性和抗热震性,近年来发展很快。但由于存在高温下易被氧化而强度减弱这一缺点,有待进一步改进。作为对策,最有效的方法之一是...  相似文献   
73.
74.
本文提出在安替比林存在下,以3,5-diBr-PADAP为显色剂,分光光度测定微量锆的新方法。在pH1~2的HCl介质中,锆(W)与试剂和安替比林形成配合比为1:1:1的红色三元配合物,最大吸收值在615nm波长处,摩尔吸光系数ε=1.35×10~5。锆(Ⅳ)量在0~25μg/25ml范围内,遵守比尔定律。方法简单、快速、准确。若采用钽试剂—苯萃取法分离共存离子,可适用于钽铌矿和合金中痕量锆的测定。  相似文献   
75.
OCMJ2X8是1种内含GB2312国标1级简体汉字库的图液晶显示模块,该模块由于片内含有中字库,同时采用了简单的REQ/BUSY2线握手通信协议,使得由该模块构成的显示电路具有软件编程简单、容易,硬件接口相对简单的特点。中给出这种液晶模块的性能特点、接口协议及用户命令,并给出与AT89C52单片机的硬件接口电路及相应程序。  相似文献   
76.
本文介绍—个用AT89C2051单片机构成的“温度开关程序控制器”实用电路,它采用1只外接的温度开关,对单片机输入温度控制信号,再通过I/O口和5只光电耦合器驱动5只继电器对外电路实施程序控制,其硬件和软件均已调试运行通过并已在某生产单位投入正常运行。  相似文献   
77.
胡四海  朱伯铨 《武钢技术》2003,41(6):17-21,28
以脱硅锆、轻烧氧化镁、消石灰为原料,进行了MgO-ZrO2-CaO系原料的合成,研究了化学组成(包括ZrO2含量、CaO/ZrO2比),烧成温度,杂质等对合成料性能和组织结构的影响。  相似文献   
78.
刘晖  朱日宏 《光电工程》1998,22(5):66-69
根据锆钛酸铅压电陶瓷的逆压电效应。设计了以8031单片机为核心的压电陶瓷堆微位移器提高了PZT的线性,从而满足了在天文自适应系统中所要求的精确微位的应用。  相似文献   
79.
从分析脱硅的条件出发,引导出新的工艺操作方法、工艺参数和加料方法。用一年的生产实践说明该新工艺操作方法的技术经济效益。  相似文献   
80.
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