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观察了AlGaN/GaN HEMT器件在短期应力后不同栅偏置下的一组漏极电流瞬态,发现瞬态的时间常数随栅偏压变化很小,据此判断这组瞬态由电子陷阱的释放引起.为了验证这个判断,采用数值仿真手段计算了上述瞬态.分别考虑了在器件中不同空间位置的电子陷阱,分析了应力和瞬态中相应的陷阱行为,对比和解释了仿真曲线与测量结果的异同.基于上述讨论,提出测量的瞬态可能是表面深陷阱和GaN层体陷阱的综合作用的结果. 相似文献
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提出了体硅LDMOS漂移区杂质浓度分布的一种二维理论模型,根据该模型,如果要使带有场极板的LDMOS得到最佳的性能,那么LDMOS漂移区的杂质浓度必须呈分段线性分布.用半导体专业软件Tsuprem-4和Medici模拟证明了该模型十分有效,根据该模型优化得到的新型LDMOS的击穿电压和导通电阻分别比常规LDMOS增加58.8%和降低87.4%. 相似文献
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提出了一种拟人的网络安全智能集中管理机制,给出了系统模型并对系统性能和实现进行了分析。该机制中,agent对各种安全产品所产生的安全事件进行分析、处理,同时各agent之间根据需要进行交互,对未授权或无法识别的安全事件向安全智能管理中心汇报。安全智能管理中心将各agent汇报的安全事件(结合记忆中的相关信息)进行集中关联分析,按警报的紧急程度建立网络安全全局视图,并触发相应的响应与报告机制。采用该机制能够很好地减少系统开销,剔除误报,发现真实威胁,有利于网络安全管理员轻松地对安全事件实施管理。 相似文献
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(Sm2O3)0.04(Gd2O3)0.06掺杂CeO2纳米粉体的制备与表征 总被引:2,自引:0,他引:2
以Sm2O3、Gd2O3与Ce2(CO3)3·nH2O为原料,采用改进的沉淀法制备了二元稀土(Sm2O3)0.04 (Gd2O3)0.06掺杂CeO2纳米粉体.测定了pH值对0.80Ce(OH)4·0.08Sm(OH)3·0.12Gd(OH)3水溶胶体系Zeta电位的影响.pH值约为7.0时,体系的Zeta电位为0,即体系的等电点(IEP)为7.0.pH值为10.0时,Zeta电位达到最大值-18.5mV,说明此时该体系的稳定性最好.DTA/TG热分析表明,0.80Ce(OH)4·0.08Sm(OH)3·0.12Gd(OH)3粉体的热分解温度约为232℃.由粉末XRD分析可知,经750℃焙烧的二元稀土掺杂CeO2粉末为立方萤石结构,说明Sm2O3与Gd2O3已完全固溶到CeO2中,形成了CeO2基固溶体.由TEM照片可以看出,粉末具有良好的分散性,呈软团聚状态,粒径在5nm~10nm之间.经BET测试计算的平均颗粒尺寸为11nm,与TEM结果是一致的. 相似文献