基于虚拟样机技术的叉车转向桥动静态特性分析

叉车转向桥是实现转向功能的关键零部件,其结构是否满足设计要求将直接影响叉车的使用安全。以某公司生产的某型号的叉车转向桥桥体为研究对象,基于虚拟样机技术ADAMS建立转向机构的多体动力学仿真分析模型,获得转向桥体所受载荷随时间变化规律曲线。基于ANSYS Workbench对叉车转向桥体进行静力学仿真分析和谐响应分析,验证其设计强度是否满足设计要求,针对分析结果,对该转向桥体进行结构优化设计。结果表明,该转向强度满足设计要求,同时该转向桥引起共振的频率为530 Hz,远远大于路面引起的共振频率,该桥体结构设计合理。基于虚拟样机技术的叉车转向桥体动静态特性分析将对后期新产品的开发和优化设计提供重要的参考依据。     

用于X射线闪烁屏的硅微通道阵列整形技术

为制备用于X射线闪烁屏的高开口面积比硅微通道阵列,研究了四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液温度和质量分数对硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率的影响.通过金相显微镜观测硅微通道端面尺寸并计算腐蚀速率,分析了硅(100)晶面和(110)晶面腐蚀速率比对硅微通道阵列孔形的影响,探讨了TMAH溶液温度和质量分数与硅微通道阵列开口面积比的关系.研究表明,硅(100)晶面和(110)晶面的腐蚀速率比是影响硅微通道阵列开口面积比的主要因素.当硅(100)晶面与(110)晶面腐蚀速率比大于√2时,得到具有高开口面积比的正方形硅微通道阵列.使用质量分数为1％的TMAH溶液在40℃的溶液温度下,制备出开口面积比大于81％的正方形硅微通道阵列.通过高温填充CsI (TI)制备出基于硅微通道的X射线闪烁屏,X射线成像结果表明通道整形技术有助于提高闪烁屏的性能.     

Turbo译码器的低功耗设计

为了降低Turbo码译码器的功耗,作者介绍了一种利用对迭代次数的优化和关闭闲置状态下的译码器来降低功耗的方案;由于在SISO中,存放分支路径值以及前向路径状态值的储存体在功率的消耗上约占整个Turbo译码器功耗的70%,作者提出自己的方案,通过增加逻辑电路来减小储存体的大小从而降低译码器的功耗.实验结果表明修改后的方案可以降低比传统方案约12%的功耗.可见,在低功耗设计中抓住功率的消耗主体尤为关键.     

软件质量综合评价的投影寻踪模型

软件质量评价直接影响到软件开发的质量,软件质量是由多维指标因素决定的,投影寻踪模型能够将多维指标综合投影成一维投影指标,根据该投影指标值的大小可以对软件质量进行优劣排序。为了有效地利用投影寻踪模型降维分析和处理数据的能力、粒子群算法和多智能体遗传算法全局快速搜索的能力,文中将粒子群算法和多智能体遗传算法应用于投影寻踪模型,建立了软件质量的综合评价模型。实验结果表明投影寻踪模型为软件质量综合评价提供了一种新的客观、正确可靠的综合分析方法。     

一种新的点目标无源极化校准方案

极化校准是极化散射矩阵正确获取的重要步骤之一,大口径雷达的极化校准一直是一个难点。为此,提出一种新的无源极化校准方案,该方案利用已校准的小口径雷达来校准大口径雷达。首先,通过外场实验用单个二面角校准小口径雷达;然后,小口径雷达发射信号照射卫星,大小口径两部雷达同时接收并进行信号处理,给出相应的校准算法,最后,通过专业电磁计算软件获得定标体以及卫星散射矩阵的理论值,仿真实验结果验证了提出的极化校准方案的有效性。     

多种物质的远红外吸收研究

根据散射理论,描述了多种物质对红外入射的吸收问题。首先通过计算单个粒子的有关参数,推导出了一定条件下气悬体粒子随参量变化时的透射关系,进而计算出一定入射波长条件下某些远红外材料的最低透射率,从绘制的透射率曲线看出,每个连续的透射率曲线都有一个最小值。显然,选择对应的粒子直径可以为烟幕加工提供理论上优化的依据。最后给出了实验结果。     

模拟扫描电镜像衬度的体构件Monte Carlo方法

利用Mollte Carlo计算方法可以模拟电子束与样品的相互作用过程,从而了解扫描电子显微学中信号的产生机制,本工作中,我们采用体构件法来产生复杂试样的几何构型,利用光线追踪算法求得散射事件间的步长抽样修正。电子散射的物理模型则采用Mott散射截面描述电子与原子间的弹性相互作用,以及用介电函数理论描述电子与固体的非弹性相互作用,同时还考虑到了二次电子的级联产生过程．以此,我们模拟计算出了若干复杂几何体的二次电子像和背散射电子像。     

500 V体硅N-LDMOS器件研究

借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。