ZnO量子点／SiO2复合器件的可调控电致发光研究

在不同浓度的SiO2乙醇溶液中制备了一系列ZnO量子点／SiO2复合材料,通过匀胶方法将其制备成复合薄膜器件。器件的电致发光（EL）随着SiO2浓度的增加逐渐蓝移。通过实验,探索了发生蓝移的机制。选取一种ZnO量子点／SiO2复合材料均匀混入不同质量的纯SiO2后,测试结果表明,该蓝移现象不是SiO2自身发光引起的。通...     

Monte Carlo Simulation of Damage Depth in Focused Ion Beam Milling Si3N4 Thin Film

The damage properties of Focused Ion Beam（FIB） milling Si3N4 thin film are investigated by the detailed analyzing images of nanoholes and simulation of Monte Carlo. The damage depth in the Si3N4 thin film for two different ion species（Gallium and Arsenic） under various parameters（ion energy, angle of incidence） are investigated by Monte Carlo method. The simulations show the damage depth increases with the increasing ion energy, the damage depth is dependent on the angle of incident ion, the curves of the damage depth for Ga ion and As ion at 30 keV nearly superpose, while the damage depth for Ga with 90 keV ion is more than that for As ion with the same energy.     

纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型

针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。     

界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin探测器光电响应的影响

设计了正面入射的探测波长范围限制在326～365nm的AlxGa1-xN/GaN异质结pin光电探测器.利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法.     

半导体量子点最低导带态的量子限制效应

采用最新计算方法和半导体体材料传统量子计算结果,系统研究了14种半导体(Si,Ge,Sn,AlSb,GaP,GaAs,GaSb,InP,InAs,InSb,ZnS,ZnSe,ZnTe,CdTe)的立方量子点,得到了最低导带态的量子限制效应结果,我们把量子点对尺寸的依赖关系分为三类并详细讨论了它们的差别。     

时间分辨飞秒相干光谱技术的发展与展望

本文概述超短脉冲激光相干光谱技术的基本原理及发展分析了与这些技术相关的理论，同时指出了以往相干光谱技术中存在的问题。针对本课题组fs或亚氏fs相干光谱实验技术中存在的主要问题提出了具体的改进思路；减少延时线的误差，提高泵浦和探测光斑在样品上的重合度；对探测光进行调制；获取fs脉冲激光与物质相互作用的振幅、相位和波矢的信息；对相干光谱的实验结果进行多方位的理论分析。     

干扰抵消型多用户检测器性能分析

用模块化的方法描述了 ＳＩＣ、ＭＳＳＩＣ、ＰＩＣ和ＰＳＩＣ干扰抵消多用户检测算法，给出算法的实现结构图，并且在渐近有效性、抗远近效应、系统容量和实现复杂度诸方面进行了性能比较分析。分析表明需要进行功率排序的ＭＳＳＩＣ、ＰＳＩＣ和ＳＩＣ算法比ＰＩＣ算法具有更好的抗远近效应的性能，ＭＳＳＩＣ和 ＰＳＩＣ算法在渐近有效性和系统容量方面要显著强于ＳＩＣ和ＰＩＣ算法。     

掺杂染料的向列相液晶微粒材料的非线性光学研究

对布满液晶微粒的聚合物(PDLC)进行了简并四波混频及光学双稳态的研究,并在文中对相关的PDLC中的分子重取向和热效应的非线性光学效应进行了讨论.     

红外源强度对激光干扰效应的影响

分析了红外目标源辐射强度随距离和时间的变化。在不同红外源强度的 条件下，进行了红外源强度对红外系统输出信号的响应定标。同时，在激光辐照功率67W和辐照时间460ms条件下，用1.06μm连续ND：AYG激光对不同红外源强度下红外系统输出信号的干扰效果进行了对比实验。结果表明：激光对红外系统的干扰效果与红外目标源的强度成正比。当红外源强度在红外系统工作的线性范围时，激光对红外系统的干扰效果最明显。     

Plasmon‐Enhanced Photodetection in Ferromagnet/Nonmagnet Spin Thermoelectric Structures

The photothermoelectric (PTE) effect that originates from the temperature difference within thermoelectric materials induced by light absorption can be used as the mechanism for a light sensor in optoelectronic applications. In this work, a PTE‐based photodetector is reported using a spin thermoelectric structure consisting of CoFeB/Pt metallic bilayers and its signal enhancement achieved by incorporating a plasmonic structure consisting of Au nanorod arrays. The thermoelectric voltage of the bilayers markedly increases by 60 ± 10% when the plasmon resonance condition of the Au nanorods is matched to the wavelength of the incident laser. Full‐wave electromagnetic simulations reveal that the signal enhancement is due to the increase in light absorption and consequential local heating. Moreover, the alignment of the Au nanorods makes the thermoelectric voltages sensitive to the polarization state of the laser, thereby enabling the detection of light polarization. These results demonstrate the feasibility of a hybrid device utilizing plasmonic and spin‐thermoelectric effects as an efficient PTE‐based photodetector.