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31.
胡超群 《计算机应用与软件》1998,15(1):29-32,36
本文提出了一种新的动态二值化算法,以实现从灰度点阵图象中提取其对象。通过分析象素和其所在的局部区和灰度值等数字特征,可以判断局部区的内是否存在对象,阈值和判断条件对应。 相似文献
32.
33.
Yong Ju Lee 《Thin solid films》2004,446(2):227-231
Aluminum nitride (AlN) thin films were deposited by atomic layer deposition from aluminum chloride (AlCl3) and an ammonia/hydrogen plasma. The most important role of the ammonia/hydrogen plasma was to act as a reducing agent to extract Cl from AlCl3, and to form AlN subsequently. The growth rate was saturated at ∼0.042 nm/cycle, and the thickness was proportional to the number of reaction cycles. Repeating this reaction cycle led to precisely controlled growth. The film properties were analyzed using Auger electron spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, Rutherford backscattering spectroscopy and time-of-flight elastic recoil detection analysis. The concentration of chlorine and hydrogen impurities was 0.23 and 2.01 at.%, respectively. AlN films showed good anti-oxidation properties when O2 was annealed at 650 °C for 30 min. 相似文献
34.
讨论了厚板迭合层的几种施工方法,并对其中二次迭合成型施工法进行了详细的论述,通过具体案例分析,进行了技术经济比较,为类似工程的应用提供了参考。 相似文献
35.
36.
介绍了孔内深层超强夯法(SDDC)的基本原理,并将SDDC工法运用于处理某机场内厚层人工回填土地基,对无机固体废料进行了资源化回收利用。通过复合地基载荷试验、标准贯入试验和重型动力触探试验对SDDC施工质量进行检测,对SDDC桩体和桩间土的承载力效果进行评价。结果表明,经SDDC工法处理后的复合地基均匀性较好,承载力显著提高,达到工程使用要求。 相似文献
37.
38.
39.
AbstractWe have characterized the structure and electrical properties of p-type nanocrystalline silicon films prepared by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition and explored optimization methods of such layers for potential applications in thin-film solar cells. Particular attention was paid to the characterization of very thin (~20 nm) films. The cross-sectional morphology of the layers was studied by fitting the ellipsometry spectra using a multilayer model. The results suggest that the crystallization process in a high-pressure growth regime is mostly realized through a subsurface mechanism in the absence of the incubation layer at the substrate-film interface. Hydrogen plasma treatment of a 22-nm-thick film improved its electrical properties (conductivity increased more than ten times) owing to hydrogen insertion and Si structure rearrangements throughout the entire thickness of the film. 相似文献
40.
E. Guziewicz M. Godlewski K. Kopalko E. Dynowska M.M. Godlewski 《Thin solid films》2004,446(2):172-177
Thin films of sphalerite-type ZnSe were grown by atomic layer deposition (ALD) from elemental Zn and Se precursors. These films, grown on various substrates, show bright blue ‘edge’ emission accompanied by donor-acceptor pair emissions in the blue, green and red spectral regions. Red, green and blue emissions mixed together give a white color, with a color temperature between 2400 and 4500 K depending on a layer thickness and temperature. ZnSe grown by ALD is in consequence a promising material for the fabrication of semiconductor-based white light emitting thin film electroluminescence displays. 相似文献