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691.
随着红外焦平面阵列规模的扩大,由于尺寸和成本的限制,传统晶格匹配的碲锌镉衬底逐渐成为碲镉汞红外焦平面探测器发展的瓶颈,大尺寸、低成本硅基碲镉汞材料应运而生。本文采用分子束外延工艺生长获得了3 in Si基中波碲镉汞薄膜材料,通过采用金相显微镜、傅里叶红外光谱仪、双晶X射线衍射仪、湿化学腐蚀位错密度(EPD)法、Hall测试系统等检测手段对Si基中波碲镉汞分子束外延薄膜材料进行表面、光学、结构和电学性能表征,并采用标准平面器件工艺制备中波640×512焦平面探测阵列进行材料验证,结果表明该材料性能与国际先进水平相当。 相似文献
692.
第三代红外焦平面基础技术的研究进展 总被引:1,自引:1,他引:0
叙述了围绕第三代红外焦平面的需求所进行的HgCdTe分子束外延以及台面结芯片技术研究的一些成果。对GaAs、Si基大面积异质外延、p型掺杂以及台面刻蚀等主要难点问题进行了阐述。研究表明,7.6 cm(3 in)材料的组分均匀性良好,晶格失配引发的孪晶缺陷可以通过合适的低温成核方法得到有效抑制。在GaAs和Si衬底上外延的HgCdTe材料的(422)X射线衍射半峰宽的典型值为55″~75″。对ICP技术刻蚀HgCdTe的表面形貌、刻蚀速率、反应微观机理、负载效应和刻蚀延迟效应以及刻蚀损伤进行了研究,得到了高选择比的掩模技术和表面光亮、各向异性较好的刻蚀形貌。采用HgCdTe多层材料试制了长波n?蛳on?蛳p以及p?蛳on?蛳n型掺杂异质结器件以及双色红外短波/中波焦平面探测器,取得了一些初步结果。 相似文献
693.
分子束外延生长ZnO薄膜及性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用分子束外延(MBE)和氧气氛方法,并改变束源炉和衬底生长温度,在Si(100)衬底上,采用Zn作缓冲层以解决ZnO层与衬底间的晶格失配问题,生长得到ZnO薄膜。在ZnO/Zn/Si(100)薄膜样品的X射线衍射(XRD)谱中,观测到ZnO的(100)、(200)、(101)和(103)等衍射峰;用原子力显微镜(AFM)观测ZnO薄膜的表面形貌,为直径约80-90mm的量子点,表明已得到具有纳米结构的ZnO薄膜。用同步辐射EXAFS技术研究了ZnO薄膜的局域结构,得到有关的几个结构参数。 相似文献
694.
695.
报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨. 相似文献
696.
在类石墨烯时代,蜂窝状晶格排列的第四主族单层原子晶体(包括硅烯,锗烯,锡烯和铅烯)引起了广泛的关注。它们具有各种优异的特性,包括高载流子迁移率,线性色散能带和量子自旋霍尔效应,从而使其易于实现在许多前沿领域的应用。在本文中,作者回顾了基于第四主族二维材料的最新进展,重点研究了在不同基底上的制备,几何和电子特性及其在晶体管,电池,气体传感器等领域的潜在应用。最后,作者还讨论了该领域当前的挑战和机遇,将激发对第四主族二维材料这一前沿领域的更多研究。 相似文献
697.
该文给出了一种改进的2.4kb/s多带激励线性预测(IMBELP)语音编码算法。与传统的MBELP算法相比,本算法在基音提取和清/浊音判决上采取了一些改进措施,使得合成语音质量有一定的提高。本文详细介绍了改进后的MBELP算法,并将其在基音提取和清/浊音判决的结果与传统的MBELP进行比较。 相似文献
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