改善PCB镀铜均镀性

该文阐述了改善PCB镀铜均镀性的基本方法。     

中高压铝电解电容器阳极箔研究进展

从铝箔杂质和腐蚀液添加剂两个方面概述了国内外在提高中高压铝电解电容器比电容方面的研究进展,其中包括镁、铁、硅、铅等杂质及缓蚀剂和表面活性剂的研究。并介绍了铝电解电容器的几种腐蚀机理,如氯离子的作用机理、腐蚀过程中电流与电位的关系、空位模型。最后预测了铝电解电容器新工艺的可能开发方向。     

大气状态下AFM阳极氧化加工Si的研究

Si纳米氧化线是构筑基于Si的纳米器件的基础。通过AFM针尖诱导阳极氧化加工的n型Si(100)的实验得到凸出的n型Si(100)氧化物高度和偏置电压成线性关系,与针尖扫描速度成负对数关系,并在前人的基础上深化了AFM针尖诱导氧化加工的机理和理论模型,得到了合适的加工条件为偏压8 V和扫描速度1μm/s。     

MC9S12DG128汽车单片机实验平台的开发

正飞思卡尔(Freescale)是全球排名第一的汽车电子半导体器件供应商,其8位、16位及32位汽车微控制器的市场占有率居于全球第一。超过40%的新车都使用了飞思卡尔技术。其设计制造的单片机MC9S12DG128作为车用单片机主流产品,应用十分广泛。因此,汽车单片机作为汽车电子系统设计的核心技术,作为一门实践性和工程性很强的课程,需要大量的实验和实践训练,才能深入掌握其基     

多物理场耦合研究电感线圈电镀铜

采用多物理场耦合方法构建了电感线圈电镀铜模型,通过有限元分析获得了电感线圈电镀铜过程中铜离子浓度分布、线圈表面电流密度与镀层分布状况,探讨了象形阳极与阴阳极距离对镀层厚度分布的影响。数值模拟结果表明,采用象形阳极与绝缘挡板有助于提高线圈表面镀层的均匀性。当阴阳极距离较小时,采用象形阳极电镀铜,镀层极差降低为0.21μm,COV减小为0.5%。随着阴阳极距离的增加,镀层极差增大到9.5%,需要增加绝缘挡板来提高镀层均匀性。此时,镀层极差为0.14μm,标准偏差COV值为0.4%。     

一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT

提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对器件的一些关键参数(如P-drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命)对器件关断时间的影响进行了仿真。仿真结果表明,提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比,关断速度可以提高30%。     

NiO／YSZ凝胶注模工艺流变特性研究

用水基凝胶注法制备同体氧化物燃料电池（SOFC）阳极材料NiO／YSZ是目前的研究热点之一。本文研究了凝胶注模工艺中固相含量、分散剂和pH值对NiO／YSZ陶瓷料浆流变性质的影响。结果表明,Ni0／YSZ水基料浆为假塑性流体;当pH=9、分散剂用量为0．012g／ml、固相含量为45％（体积比）的NiO／YSZ水基料浆,稳定性好,满足浇注成型工艺要求,适合成型SOFC阳极材料NiO／YSZ。     

三维MCM-C／A组件技术研究

本文研究了采用LTCC多层布线与铝阳极氧化多层布线工艺相结合的方法制作出三维高密度MCM组件（3D—MCM—C／A）。阐述了3D—MCM—C／A组件的结构,研究分析了LTCC基板与铝阳极氧化工艺之间的兼容性问题。通过LTCC工艺和LTCC基板抛光清洗工艺的控制以及过渡Ta层的设计解决了两者之间的兼容问题;采用LTCC隔板的方式实现组件的垂直互连。在LTCC基板表面采用薄膜淀积的方法以及特殊的“双刻蚀法”制作焊接区,满足了表面器件及垂直互连的焊接,实现了四层2D—MCM—C／A垂直互连。。     

关于铝电解电容器腐蚀失效的研究进展

总体概括了近些年铝电解电容器的失效现象、机理研究及防止电解电容失效的一些重要措施。重点总结出了铝电解电容器阳极腐蚀发生的原因,电化学腐蚀的机理、反应过程及腐蚀表现,将为以后研究阳极腐蚀的学者提供一定的参考。     

浅谈硫酸盐光亮镀铜的磷铜阳极

在装饰性和 PCB 电镀铜的阳极最佳含磷量为0.035-0.070%,磷化铜(Cu_3P)黑膜的生成对于阳极性能具有决定性的意义。