RS-485总线在电力数据采集系统中的应用

本本介绍了RS-485总线接口，并针对电力数据采集系统，选用合适的485接口芯片SP485R。然后，从硬件电路结构和软件实现两个方面，讨论了保证RS-485总线接口电路可靠运行时应注意的问题。     

嵌入式处理器AU1100的存储器接口设计

采用NOR Flash和NAND Flash设计嵌入式处理器AU1100的存储器接口.通过AU1100内嵌SDRAM总线控制器提供标准32位数据宽度总线接口,Flash直接挂接在静态总线上.软件设计中用于代码存储的NOR Flash作为NAND Flash的补充,YaFFS文件系统管理NAND Flash,并进行坏块屏蔽.用增强型ECC/EDC算法检验NAND Flash以减少NAND Flash的位反率,保证系统的安全性和可靠性.     

3G R4网络中传情酷秀业务与多媒体彩铃业务交互的研究

传情酷秀业务(3G cool show service)是3G网络可视通话过程中的一种新兴、个性化的视频业务。如何处理好传情酷秀业务与多媒体彩铃业务(multimedia ring back tone)的关系,成为传情酷秀业务发展的关键。本文介绍了传情酷秀业务在3GR4网络中的实现方案,并分析了其与多媒体彩铃业务冲突的原因,重点讨论了解决冲突的几种方法。     

超低温烧结X7R特性环保型陶瓷材料的研制

研制的陶瓷材料可在超低温度(1 030 ℃±15 ℃)下烧结,获得瓷料的相对介电常数高于2 100,介质损耗不高于1.5%,温度特性满足X7R特性要求标准.与传统的X7R特性材料比较,本材料烧结温度更低,同时材料中不添加Pb、Hg、Cd、Cr等有害元素,符合绿色环保要求及欧盟RoHS指令要求.     

AU1100用三路开关型稳压器的设计

嵌入式微处理器AU1100用三路开关型稳压器以LT1940、LTC3404为核心.LT1940由7～25VDC输入产生3.3V和5V电压,分别为串口等外设和USB主机口等供电.3.3V作为另路输出电压接LTC3404主电源引脚,产生1.8V电压为嵌入式内核供电.电感器、输入输出电容等外围电子元件经计算后按需求选择.     

结构数字化样机在舰载雷达上的探索

随着数字化、网络化和三维技术的发展,雷达的结构设计从传统的CAD／CAE向全三维数字化协同设计和仿真的方向发展。本文对舰栽雷达结构数字化样机的建设进行了探索。通过协同研发平台实现了雷达研制过程中过程、工具、数据、知识的一体化管理,提高了雷达结构设计效率和质量。     

VEGF提高MCAO/R小鼠的EPCs表达及促进脑梗死的康复

目的：观察局灶性脑缺血再灌注模型（MCAO/R）小鼠外周循环中血管内皮祖细胞（EPCs）的数量变化,并应用血管内皮生长因子（VEGF）动员小鼠自体骨髓中的EPCs,达到治疗脑梗死的目的。方法：以MCAO/R小鼠为研究对象,通过腹腔注射VEGF动员体内的EPCs,（每日一次,持续一周）,在动员过程中的第1d、4d、7d、14d从内眦静脉采血,使用流式细胞仪检测MCAO/R组及MCAO/R＋VEGF组小鼠外周血中EPCs的数量;然后断头取脑,用免疫组化法检测新生血管的密度,并对脑组织TTC染色后计算并比较小鼠脑梗死体积的变化。结果：MCAO/R＋VEGF组在动员过程中,外周血中的EPCs在给药第1d开始增加,第4d达到高峰并持续到第7d,第14d高峰持续存在;并且在这四个时间点上,MCAO/R＋VEGF组与其它两组比较均具有统计学意义（P〈0.01）。新生血管密度：MCAO/R＋VEGF组1d开始有新生血管生成,4d血管新生明显,14d达高峰,且各时间点MCAO/R＋VEGF组血管新生数量明显多于MCAO/R组。TTC染色后通过图像分析系统计算脑梗死体积：MCAO/R＋VEGF组在给药第14d较第1d、4d、7d梗死灶体积明显缩小（P〈0.01）,且MCAO/R＋VEGF组在给药第4d,7d、14d的梗死灶体积较同时间点的MCAO/R组有显著缩小（P〈0.01）。结论：在急性脑缺血/再灌注损伤的情况下,应用VEGF能显著动员小鼠骨髓中的EPCs,增强出生后的血管新生,达到缩小梗死灶,治疗脑梗死的目的。     

一种新型小型化收发组件的设计

收发组件作为雷达的核心部件之一,性能好坏直接影响到雷达的整体性能。本文介绍一种Ka波段应用于雷达导引头的收发组件的基本原理,并对关键过渡形式进行重点考虑。设计出了一种小型化的收发组件,该收发组件实现一发三收的功能,具有高功率、小体积、轻重量的特点,发射通道输出功率达到了2W,接收通道增益为23d B,噪声系数为6d B,尺寸为Φ40mm×15mm,重量为95g。     

LTCC多层微波互连基板布局布线设计及制造技术

采用低温共烧陶瓷 (LTCC)技术制造多层微波互连基板 ,可以研制出高密度的T/R组件。讨论了多层基板中微带线和带状线的结构及其优化设计技术 ,介绍了制造工艺流程和关键工艺难点。     

激光修补技术在修复薄膜图形缺陷上的应用——薄膜图形缺陷激光修补机

阐述了应用激光修补技术在玻璃基板上去除金属及其化合物薄膜和在玻璃基板上沉积金属薄膜的图形缺陷修补原理与方法;简述了影响薄膜图形缺陷修补质量与效率的关键技术;简单介绍了薄膜图形缺陷激光修补机的系统构成及其技术与性能指标.