全文获取类型
收费全文 | 86篇 |
免费 | 0篇 |
国内免费 | 34篇 |
专业分类
电工技术 | 1篇 |
机械仪表 | 3篇 |
无线电 | 90篇 |
一般工业技术 | 17篇 |
冶金工业 | 1篇 |
原子能技术 | 6篇 |
自动化技术 | 2篇 |
出版年
2015年 | 2篇 |
2012年 | 2篇 |
2011年 | 2篇 |
2010年 | 4篇 |
2009年 | 4篇 |
2008年 | 2篇 |
2007年 | 9篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 11篇 |
2004年 | 5篇 |
2003年 | 7篇 |
2002年 | 5篇 |
2001年 | 7篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 3篇 |
1998年 | 1篇 |
1996年 | 13篇 |
1995年 | 12篇 |
1993年 | 3篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 4篇 |
1989年 | 4篇 |
排序方式: 共有120条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
103.
104.
对条栅CMOS/SIMOX例相器在不同偏置条件下进行了60Coγ射线的总剂量辐照试验,比较研究了PMOS、NMOS对倒相器功能的影响,发现NMOS抗总剂量辐照性能比PMOS差,主要是NMOS引起器件功能的失效。 相似文献
105.
注氧隔离的SIMOX技术是获得SOI材料的最先进的技术,本文讨论了SIMOX技术的研究进展,比较了SIMOX和SIMNI两种材料的优缺点。 相似文献
106.
在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。 相似文献
107.
Ultrathin silicon-on-insulator (SOI) layers of separation by implantation of oxygen (SIMOX) wafers have been transferred onto
thermally oxidized silicon wafers by wafer bonding technology. Due to the technical availability and the complementary nature
of SIMOX and wafer bonding approaches, SIMOX wafer bonding (SWB) solves some of the respective major difficulties faced by
both SIMOX and wafer bonding for device quality ultrathin SOI mass production: the preparation of adequate buried oxide (including
its interfaces) in SIMOX and the uniformly thinning one of the bonded wafers to less than 0.1 μm in wafer bonding. The effect
of positive charges in the oxide on bondability of ultrathin SOI films and possible applications of SWB will also be outlined. 相似文献
108.
对用多次注入与退火技术制成的SIMOX材料制备的N沟MOSFET进行了^60Coγ射线累积剂量辐照试验,并同通常的体硅NMOS的辐照效应作了比较,分析了引起阈值电压漂移的两个因素:氧化层电荷和界面态电荷,提出了提高NMOS/SIMOX抗辐照性能的几点措施。 相似文献
109.
薄膜全耗尽SOI门阵列电路设计与实现 总被引:1,自引:1,他引:0
在Daisy系统上设计出通用性强、使用方便的SOI门阵列母版及门阵列电路,并采用1.5umCMOS/SOI工艺在薄膜全耗尽SIMOX材料上得以实现,其中包括多种分频器电路和环形振荡器,环振可工作在2.5V,门延误时间在5V时为430ps。 相似文献
110.
在SIMOX工艺制作过程中,氧离子注入的均匀性对SOI材料表面硅厚度的均匀性和SiO2埋层厚度的均匀性起着直接的决定性的作用。文章介绍了一种氧离子注入均匀性控制系统的工作原理和设计方案,该方案应用于我所研制的强流氧离子注入机,取得了理想的效果。 相似文献