Sr_xPb_(1-x)TiO_3基陶瓷材料热敏特性研究

以 Srx Pb1 - x Ti O3为基料 ,液相掺杂一定量的 Y和 Si,采用传统固相合成工艺方法制备出了具有明显 V型阻温特性的半导体热敏电阻 ,通过扫描电镜形貌观察、R- T特性测试及复阻抗分析表明 ,Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷的阻温特性明显受半导化程度的影响 ,居里点以下的 NTC效应往往随着半导化程度的提高而降低。掺杂玻璃相物质Si(OC2 H5 ) 4能增强 Srx Pb1 - x Ti O3陶瓷 NTC效应 (t相似文献   

用拉曼散射谱与远红外反射谱研究Ga_xIn_(1-x)As_ySb_(1-y)四元混晶的长波光学声子

报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的晶格振动四模行为 ;从实验中还观察到低于 180 cm- 1的若干散射峰 ,提出它们可能是与次近邻原子间相互作用的晶格振动模式有关 ;从拉曼散射谱和红外反射谱中观察到了与 Gax In1 - xAsy Sb1 - y四元混晶多声子吸收过程的有关的现象     

激光热处理对1Cr5Mo耐热钢焊接接头拉伸性能的影响

为了改善1Cr5Mo耐热钢焊接接头拉伸力学性能,利用CO2激光对其进行了表面改性处理,通过拉伸试验考察了激光热处理对拉伸性能的影响.利用扫描电镜观察了焊接接头的断裂形式和断口形貌,并用能谱仪分析了激光热处理前后试样表面化学元素的组成,讨论了残余应力和残余奥氏体对拉伸性能的影响.结果表明,激光热处理前后试样的拉伸断口均为韧性断裂,激光热处理后断裂性能有所提高;激光热处理试样表面产生晶粒细化和残余压应力的强化层,其屈服强度和抗拉强度分别提高了3.4%和13.7%,拉伸性能得到进一步提高;激光热处理试样的残余奥氏体含量有所降低,导致焊接接头的断面收缩率下降了18.61%,而延伸率基本不变,其均匀变形能力有所增强.     

应变Si1-xGex (100)电子有效质量研究

基于结合形变势的KP理论框架,对应变Si1-xGex/(100)Si材料电子有效质量（包括导带能谷电子纵、横向有效质量,导带底电子态密度有效质量及电子电导有效质量）进行了系统的研究。结果表明：应变Si1-xGex/(100)Si材料导带能谷电子纵、横向有效质量在应力的作用下没有变化,其导带底电子态密度有效质量在Ge组份较小时随着x的增加而显著减小。此外,其沿[100]方向的电子电导有效质量随应力明显降低。以上结论可为应变Si1-xGex/(100)Si材料电学特性的研究提供重要理论依据。     

1-Bit压缩感知盲重构算法

1-Bit压缩感知(CS)是压缩感知理论的一个重要分支。该领域中二进制迭代硬阈值(BIHT)算法重构精度高且一致性好,是一种有效的重构算法。该文针对BIHT算法重构过程需要信号稀疏度为先验信息的问题,提出一种稀疏度自适应二进制迭代硬阈值算法,简称为SABIHT算法。该算法修正了BIHT算法,首先通过自适应过程自动调节硬阈值参数,然后利用测试条件估计信号的稀疏度,最终实现不需要确切信号稀疏度的1-Bit压缩感知盲重构。理论分析和仿真结果表明,该算法较好地实现了未知信号稀疏度的精确重建,并且与BIHT算法相比重构精度及算法复杂度均相当。     

SBR/TPI并用胶硫化体系的研究

研究硫化体系类型、硫黄用量和促进剂NOBS用量对SBR/反式 1,4 聚异戊二烯 (TPI)并用胶性能的影响。结果表明 ,采用普通硫黄硫化体系 ,硫黄用量为 2 .5份、促进剂NOBS用量为 1.2份时SBR/TPI并用胶可以获得良好的综合性能 ;硫黄用量较小时 ,胶料的热老化性能较好 ;适当增大促进剂NOBS用量 ,可改善胶料的动态生热性能。     

氟聚合物溶液对TATB的润湿效果研究

用ＴＹ－８２接触角测定仪,测定了几种氟聚合物溶液与三氨基三硝基苯（ＴＡＴＢ）药片的接触角。结果表明：偏二氟乙烯与六氟丙烯的共聚物Ｆ２６０２,Ｆ２６０３溶液对ＴＡＴＢ接触角较小;偏二氟乙烯与三氟氯乙烯的共聚物Ｆ２３１４溶液浓度为８％时,由于批准不同,润湿效果不同,随着浓度的降低,接触角变小;乙酸丁酯作溶剂时,Ｆ２３１４溶液对ＴＡＴＢ表面具有较好的润湿作用。     

电力线MAC/PHY集成收发器INT51X1及其应用

介绍了美国Intellon公司的电力线MAC/PHY集成收发器INT51X1的功能结构和主要特点 ,介绍了它的引脚功能 ,同时以中压配电网OFDM通信系统的研究开发为例 ,给出了INT51XI的应用实例。     

LXT384接口芯片的几种环回形式

LXT384是一个用于SONET/SDH设备的八进制T1/E1/J1线路接口单元芯片。文中简述了该芯片在实际应用中进行自检的若干种不同的环回形式(包括：模拟环回、数字环回、运程环回等)，直观地指出了各种环回形式的特点和区别。     

1/f信号的积分多小波变换表示

在积分多小波变换理论的基础上,研究了1/f信号的积分多小波变换表示,给出了用积分多小波逆变换产生1/f信号(非近似1/f信号)的条件。并对1/f信号的积分多小波变换的统计特性进行了研究,证明1/f信号的统计自相似性在多小波域内可由积分多小波系数的自相关函数矩阵来表达。基于单小波变换的1/f信号表示是其特例。