PMN-PT陶瓷中的氧缺位及其消除

研究了组成中Pb含量的变化对组成为Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3的铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)陶瓷压电性能的影响,发现化学计量比组成(x=1)的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷经常出现压电性能的大幅度退化现象,而A位适量缺Pb能稳定地获得高性能的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷。XPS元素价态分析的结果表明,化学计量比的Pbx(Mg1/3Nb2/3)0.65Ti0.35O3陶瓷中含有较多的氧缺位,氧缺位的产生源于MgNb2O6(MN)合成过程中的气氛差异,A位适量缺Pb能有效地消除这种氧缺位而稳定地获得正常的压电性能,其机理被认为是氧缺位与铅缺位的复合。     

不同晶向GaSb晶片表面化学组分及形貌分析

对相同条件下制备的不同晶向的锑化镓抛光晶片表面化学组分进行了XPS测试比较,结果表明(110)GaSb晶片表面的氧化程度最为严重,表面极为粗糙;有极性的(111)GaSb晶面由于Ga-Sb价键存在于衬底内部,反而氧化程度较低,表面较光滑.分析比较了GaSb晶面表面化学组分与形貌的关系.     

ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析

文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS) 、扫描电子显微镜( SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4 会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5 (CH3 ) 。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2 发生反应,生成多种含C有机物。SiO2 作掩模时,在一定的条件下, CH4 会与SiO2 或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。     

(LaxBi1-x)2Ti2O7薄膜X射线光电子能谱研究

采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi2Ti2O7(BTO(和(LaxBi1-x)2Ti2O7(BLT(铁电薄膜，薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性，运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究，分析结果表明，薄膜中氧空位的出现影响了其相的稳定性，通过掺La可以改善其性能。     

离子束能量和衬底温度对氧化钆结构的影响

利用双离子束沉积技术，在Si(100)衬底上制备了氧化钆薄膜. 离子束能量在100～500eV范围内，衬底温度较低时薄膜为(402)择优取向的单斜结构，随着衬底温度的增加，择优取向转为(202)方向. 当衬底温度是700℃时，出现了立方结构，这是由于离子束加热的作用，导致低温下出现单斜结构. XPS研究表明薄膜中存在氧缺陷，改进工艺条件可消除部分缺陷.     

ZnO薄膜的XPS研究

利用等离子体增强型MOCVD设备,在C面蓝宝石上生长出了C轴取向的未退火、生长后一次退火和生长过程中多次退火的ZnO薄膜样品,并通过X光衍射和X光电子能谱对样品进行了表征,结果表明生长过程中多次退火的样品具有较高的质量,O/Zn原子比较大,且受空气中氧和水汽的影响最小.     

PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究

采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IFVD)技术中InGaAsP-InP MQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层。经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构。快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基本稳定,但膜中P原子存在明显扩散,它增强了InPMQW结构中In原子的外扩,却抑制了Ga原子的外扩。这些都明显区别于常规SiO2膜的性质。     

Layer by layer characterisation of the degradation process in PCDTBT:PC71BM based normal architecture polymer solar cells

This work demonstrates the stability and degradation of OSCs based on poly[N-9′-heptadecanyl-2,7-carbazole-alt-5,5-(4′,7′-di-2-thienyl-2′,1′,3′ benzothiadiazole)] (PCDTBT): (6,6)-Phenyl C₇₁ butyric acid methyl ester (PC₇₁BM) photoactive blend layers as a function of ageing time in air. Analysis of the stability and degradation process for the OSCs was conducted under ambient air by using current-voltage (I-V) measurements and x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The interface between photoactive layer and HTL (PEDOT:PSS) was also investigated. Device stability was investigated by calculating decay in power conversion efficiency (PCE) as a function of ageing time in the air. The PCE of devices decrease from 5.17 to 3.61% in one week of fabrication, which is attributed to indium and oxygen migration into the PEDOT:PSS and PCDTBT:PC₇₁BM layer. Further, after aging for 1000 h, XPS spectra confirm the significant diffusion of oxygen into the HTL and photoactive layer which increased from 3.0 and 23.3% to 20.4 and 35.7% in photoactive layer and HTL, respectively. Similarly, the indium content reached to 17.9% on PEDOT:PSS surface and 0.4% on PCDTBT:PC₇₁BM surface in 1000 h. Core-level spectra of active layer indicate the oxidation of carbon atoms in the fullerene cage, oxidation of nitrogen present in the polymer matrix and formation of In₂O₃ due to indium diffusion. We also observed a steady fall in the optical absorption of the active layer during ageing in ambient air and it reduced to 76.5% of initial value in 1000 h. On the basis of these experimental results, we discussed key parameters that account for the degradation process and stability of OSCs in order to improve the device performance.     

铈离子引进方法对其在Y型分子筛中定位的影响

对离子交换法和一步沉积法引进铈离子的系列Y分子筛进行了铈离子定位研究。建立了铈离子在Y分子筛中定位的简便有效的基础表征体系：利用Ce3d XPS谱获得Ce4+/Ce3+摩尔比,通过Ce3d谱及XPS定量结果分析铈离子在分子筛笼内外的存在情况;利用XRD和Py IR确定铈离子在笼内的定位。研究了不同方法引进不同含量铈离子的定位规律。结果表明,离子交换法较沉积法利于铈离子迁移进分子筛笼内,从而进一步迁移进β笼;Ce2O3质量分数为4%、8%、12%和14%时,离子交换法引进的铈离子基本能迁移进β笼。一步沉积法引进的Ce2O3质量分数为4%时,易进入β笼;更多的铈离子则易留在分子筛笼外,可用于防止重金属中毒。     

对电子产品Al盒体一种腐蚀现象的分析与措施

对2A12型Al盒体材料湿热试验后出现的一种腐蚀现象进行了观察和分析.采用X射线光电子能谱分析(XPS)的方法,对发生腐蚀的材料进行了成分分析,并进行了多种不同型号Al材料的比较试验.通过实验和分析,基本确认了腐蚀的产生是由电化学反应引起的,并指出了此腐蚀现象是由三防漆脱落造成Al表面和湿热环境直接接触引起的.增加Al盒体材料上的三防漆喷涂次数和增加涂层厚度的试验表明,加厚涂层能够使盒体承受更加严酷的湿热条件,是解决该腐蚀现象的途径之一.同时提出了防止三防漆划伤的改进措施,并对今后盒体材料的选取提出了建议.