一种输入输出轨到轨CMOS运算放大器的设计

随着电源电压的日益降低,信号幅度不断减小,在噪声保持不变的情况下,信噪比也会相应地减小。为了在低电源电压下获得高的信噪比,需提高信号幅度,而输入输出轨到轨运算放大器可获得与电源电压轨相当的信号幅度。中文在理论分析了输入输出轨到轨CMOS运算放大器主要架构优缺点后,给出了一种新的输入输出轨到轨CMOS运算放大器的设计,该电路在华润上华0.18 μm工艺平台上流片验证。测试结果表明,输入范围从0到电源电压,输出范围从50 mV到电源电压减去50 mV,实现了输入输出轨到轨的目标。     

EWB软件在电子实验中的应用

计算机仿真工具层出不穷,但作为虚拟的电子工作平台,Electronics Workbench即EWB界面直观、操作方便,选用元器件和仪器最接近实际情形。介绍了计算机仿真软件EWB(虚拟电子工作室),列举了该软件在模拟电路仿真、数字电路仿真实验中的应用实例,得出了在电子实验中引入EWB,可以解决实验室条件受限的困难,还可大大提高效率,并使其实验的内容与形式更加丰富更有新意。     

基于AVR ATmega169的张力检测仪设计

分析应变测量原理,应用应变片敏感栅作为传感器,结合仪表放大器电路和高集成度的单片机ATmega169实现低功耗便携式张力测试仪的设计。该系统功耗低、测量准确、直接数字读出,具有多种附加功能。成功解决了由经验判断引起的偏误过大问题。给出在实际应用中硬件电路和软件程序的实现方案。分析设计中常见的问题,并给出解决问题的思路。对相关的测量仪表设计、开发有一定参考作用。     

Two new analog multipliers/dividers employing single current differencing buffer amplifier

This paper presents two new analog multipliers/dividers using a new universal active element, called the current differencing buffered amplifier (CDBA). The reported circuits are suitable for monolithic chip realization for use in battery-powered, portable electronic equipments. The circuits can be used as a multiplier and divider without changing circuit topologies. The workability of the proposed configurations is tested through different applications with PSPICE simulations using TSMC 0.35 μm CMOS process parameters. The simulated results show that: for ±2.5 V power supply, the total harmonic distortions are less than 3.1% and 2.25% for the first and second configuration respectively. It also shows that the −3 dB bandwidths are 59.09 MHz and 68.55 MHz and static power dissipations are 0.28 mW and 0.23 mW respectively. The sensitivity of the output of the circuits is low with respect to temperature variations.     

CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器增益特性分析

提出了一种半导体量子点CdSe/ZnS掺杂聚合物光纤放大器。测量了CdSe/ZnS量子点吸收和发射光谱,采用二能级结构和速率方程的方法,全面描述了CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器的增益性能。计算了放大器增益随量子点掺杂光纤长度、量子点掺杂浓度和信号光强度的变化,给出了不同泵浦光强条件下的增益谱线及半高全宽。结果表明,在mW量级的泵浦条件下,CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器可获得35dB以上的增益,获得相同增益所需泵浦光强度只有同类型染料掺杂聚合物光纤放大器的万分之一。泵浦光强与量子点掺杂浓度之间存在最佳对应关系,单位泵浦功率激发的最佳量子点数为6.33×107/mW。在室温下,CdSe/ZnS量子点掺杂聚合物光纤放大器具有550nm～610nm的带宽,含盖了聚合物光纤的低损窗口。     

抽运功率配置对双向喇曼放大器性能的影响

为了研究抽运功率配置对双向抽运光纤喇曼放大器性能的影响,基于已有的耦合方程,采用数值仿真方法,分析了不同抽运功率配置对双向抽运光纤喇曼放大器的增益、增益饱和以及抽运功率转换效率的影响。结果表明,双向抽运光纤喇曼放大器的增益、增益饱和以及抽运功率转换效率特性均介于同向和反向抽运光纤喇曼放大器之间,并且随着同向抽运功率在抽运总功率中所占比例的升高,增益、增益饱和功率和抽运功率转换效率的数值增加;大信号、抽运功率较大时,抽运功率配置对双向抽运光纤喇曼放大器性能的影响显著。这对双向抽运光纤喇曼放大器和光纤激光研究具有一定的参考价值。     

单偏振半导体光放大器扫频光相干层析系统

实现了基于单偏振半导体光放大器高速扫频光源的光相干层析系统。系统中的扫频光源使用偏振相关的半导体光放大器,采用傅里叶域锁模结构。偏振相关的半导体光放大器有着增益谱宽大、输出功率高的优点,使得光源仅使用一个放大器即可获得足够的增益谱宽与输出功率。扫频光源输出功率达到32mW左右,有效扫描频率为45kHz,输出光谱的中心波长为1 326nm,光谱宽度为115nm。利用系统进行光相干层析成像时,横向分辨率为9μm,纵向分辨率为12.9μm左右,灵敏度为105dB。利用该系统实现了多种生物和非生物样品的光学相干层析成像。     

倍频傅里叶域模式锁定扫频激光源

搭建完成了基于单偏振助推光学放大器的傅里叶域模式锁定扫频激光源,并在此基础上实现了倍频傅里叶域模式锁定扫频激光源,将光源的成像速度提高了一倍。该倍频激光源输出功率达到2mW左右,扫描频率为45kHz,输出光谱的中心波长为1 315nm,光谱宽度为107nm。利用该光源进行相干层析成像实验时,系统的A-Scan速率为90kHz,纵向分辨率为12.9μm左右,相干长度为0.9mm左右,灵敏度为105dB。     

基于双平行MZM调制器和四波混频效应的高倍频微波信号的光学生成

提出了一种基于双平行Mach-Zehnder调制器(DPMZM ) 和半导体光放大器(SOA ) 的四波混频(FWM ) 效应的 24 倍频微波信号光学生成方案,具有覆盖频段高、系统结构简单 和 频谱纯度较高等优点。在本方案中,低频率的微波信号 通过 DPMZM 对光源进行调制,调节直流偏置点使 DPMZM 的两个子 MZM 和主 MZM 均偏置在最大传输点,抑制 所有 奇数边带,进一步调节两个子 MZM 的调制深度和移相器的相移,完全抑制光载波和二阶边带,得到±4阶光边带;再经 过 SOA 发生FWM效应 , 产生±12 光边带,经过光电探测器拍频后可获得 24 倍频的微波信号。最后,通过仿真实验, 以 10GHz 的微波信号为驱动信号,得到了 240GHz 的微波信号,验证了方案的可行性。     

Thin-film silicon-on-sapphire LDMOS structures for RF power amplifier applications

This work is addressed to the investigation of the electro-thermal performance of RF-LDMOS transistors integrated in TF-SOI, TF-SOS and thinned TF-SOS substrates by means of numerical simulations. Reported experimental trap density, carrier mobility and capture cross-section values have been used together with sapphire datasheet thermal properties, in order to provide accurate simulation results. It is found that subthreshold characteristics are the same for all the analysed substrates while blocking-state, on-state and power dissipation process depends on the substrate type.