Low Temperature Physics at the Laboratoire National des Champs Magnétiques Pulsés in Toulouse

An overview over past and present activities and future developments at the Toulouse pulsed magnetic field facility is given, both as far as technical developments of the infrastructure, as well as low temperature physics performed at the LNCMP are concerned.     

掺气减蚀保护作用的新概念

利用针式掺气流速仪测量原型和模型掺气浓度场、流速场，气泡尺寸及其概率分布的研究成果表明，原型水流韦伯数高，形成微小气泡的能力比模型强，气泡上浮慢，接近底部的小尺寸气泡概率及掺气浓度比模型大。初步研究认为：0.2mm或0.5mm以下的微小气泡在掺气减蚀中起着主要作用，可能只要很小掺气浓度即可达到掺气减蚀的效果。因此以小尺寸气泡的掺气浓度，作为判断掺气减蚀保护作用的指标将更为准确。     

高温酸化助排剂HC2-1的研究

为了满足高温油藏和深井酸化作业残酸返排的需要，通过表面活性剂的筛选和复配研究，得到了高温酸化助排剂HC2—1。其性能评价结果表明，HC2—1具有使用浓度低、表面活性高的特点，在20％的HCI溶液中，当其浓度为50mg／L时，表面张力为20．7mN／m；具有良好的耐温性能，在180℃下恒温48h，HC2—1仍保持较高的表面活性；具有良好的耐盐能力，加有HC2—1的20％HCl溶液和CaCO3反应至HCl完全消耗，整个反应过程体系无新相生成且表面张力基本不变；可增大酸液体系的润湿角，进一步降低毛细管阻力，使酸液返排率由46％提高到97％，在促进酸液返排的同时与原油不发生乳化反应。     

高压对气井套管接头螺纹接触应力的影响研究

高温高压气井对螺纹密封性的要求要比油井更为严格。对于高压气井中的整个管柱,每一段处于不同的力学环境中,发生泄漏的可能性也不同,因此研究压力对气井套管接头螺纹接触应力的影响,对高压气井套管的合理使用尤为重要。利用弹塑性有限元分析方法,建立了API偏梯型螺纹套管接头的有限元模型,分析了气井压力对套管接头接触应力的影响,提供了研究压力对套管接头螺纹接触应力影响的方法。对于井口压力或井底压力超过34MPa的高压气井,应选用气密性良好的特殊螺纹接头,建议采用金属对金属的螺纹接头套管,以加强螺纹部位的连接强度和密封性能。     

高坝通航技术在水口工程的新发展

水口水电站坝高101m,航运过坝采用一线三级船闸和一线垂直升船机。水口升船机是当时国内已建和在建同类升船机中总体规模最大的升船机,也是我国第一座自行设计、制造、施工和安装的大型升船机。在塔楼结构动力分析和试验研究、塔楼滑框倒模施工、升船机整体模型试验研究、承船厢整体制造和浮运、船厢安全锁定装置和船厢对接密封装置试验研究、整机安装及联调试验等方面充分体现了水口升船机的建成是高坝通航技术的新发展。     

GPRS手机入网测试自动化

全球移动通信系统(GSM)广泛的应用于现代通信系统就在于其良好的兼容性,不同的移动设备之间在遵守一定协议规范的条件下可以相互通信;本设计测试的是GSM第11系列GSM11.10,他包括诸多测试项,只对接收机参考灵敏度电平在GSM900与DCS1800两个频段进行测量。给出了传统形式下的手动测试和自动测试平台的比较,并建立了收信机参考灵敏度指标的自动测试平台。     

一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究

提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。     

300km/h高速铁路PC槽型梁动力试验研究

介绍北方交通大学与比利时鲁汶大学、布鲁塞尔自由大学、比利时铁路公司合作,在巴黎至布鲁塞尔之间高速铁路线上的Antoing大桥进行的二次高速铁路桥梁动力试验。试验桥梁由跨度50m的多跨预应力混凝土简支槽型梁构成,试验中列车速度达265-310km/h。通过现场试验和实验结果分析,得到了桥梁的频率、振型、阻尼等自振特性,以及桥梁在高速列车作用下的动挠度、梁和桥墩的横向和竖向加速度、橡胶支座的相对位移、梁体的动应变等动力响应特性。试验经验和测试结果对于充实高速铁路桥梁动力分析理论、改进数值分析模型、验证计算结果、提高高速铁路桥梁的动力设计水平、保证行车安全,具有重要的意义。     

Chemische Zusammensetzung und Mikrostruktur polymerabgeleiteter Gläser und Keramiken im System Si–C–O. Teil 2: Charakterisierung der Gefügeausbildung mittels hochauflösender Durchstrahlungselektronenmikroskopie und Feinbereichsbeugung

Chemical Composition and Microstructure of Polymer‐Derived Glasses and Ceramics in the Si–C–O System. Part 2: Characterization of microstructure formation by means of high‐resolution transmission electron microscopy and selected area diffraction Liquid or solid silicone resins represent the economically most interesting class of organic precursors for the pyrolytic production of glass and ceramics materials on silicon basis. As dense, dimensionally stable components can be cost‐effectively achieved by admixing reactive filler powders, chemical composition and microstructure development of the polymer‐derived residues must be exactly known during thermal decomposition. Thus, in the present work, glasses and ceramics produced by pyrolysis of the model precursor polymethylsiloxane at temperatures from 525 to 1550 °C are investigated. In part 1, by means of analytical electron microscopy, the bonding state of silicon was determined on a nanometre scale and the phase separation of the metastable Si–C–O matrix into SiO₂, C and SiC was proved. The in‐situ crystallization could be considerably accelerated by adding fine‐grained powder of inert fillers, such as Al₂O₃ or SiC, which permits effective process control. In part 2, the microstructure is characterized by high‐resolution transmission electron microscopy and selected area diffraction. Turbostratic carbon and cubic β‐SiC precipitate as crystallization products. Theses phases are embedded in an amorphous matrix. Inert fillers reduce the crystallization temperature by several hundred °C. In this case, the polymer‐derived Si–C–O material acts as a binding agent between the powder particles. Reaction layer formation does not occur. On the investigated pyrolysis conditions, no crystallization of SiO₂ was observed.