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11.
滚子链低噪声试验与研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
作者从噪声对人体与环境的危害入手,为降低链传动噪声,设计出了低噪声滚子链条.为研究低噪声滚子链降噪性能,特对同等规格普通滚子链与低噪声滚子链做噪声对比试验,并对试验结果进行了分析与评价.经权威噪声检测机构检测表明:低噪声滚子链较普通滚子链在中高速时降噪8~10dB.  相似文献   
12.
提出了一种新型的低噪声掺Er光纤放大器(EDFA)。将光波长交错器的输入端口与普通EDFA的输出端相连接,用于降低噪声,信号光由光波长交错器的偶信道端口输出。利用光波长交错器的梳状反射特性,抑制EDFA的放大自发辐射(ASE),改善EDFA的噪声特性,使其具有低噪声的特点。采用4m长的掺Er光纤(EDF)作为增益介质,小信号功率为-26dBm时,在1530~1560nm带宽范围内,测得低噪声EDFA的噪声系数低于3.83dB,仅比噪声系数的量子极限3dB大0.83dB。  相似文献   
13.
1.9GHz0.18μm CMOS低噪声放大器的设计   总被引:1,自引:1,他引:0  
周建明  陈向东  徐洪波 《通信技术》2010,43(8):76-78,81
针对1.9GHzPHS和DECT无线接入系统的应用,提出了一种可工作于1.2V电压的基于源级电感负反馈共源共栅结构而改进的CMOS低噪声放大器,并对其电路结构、噪声及线性特性等主要性能进行分析。并与传统的低噪声放大器进行对比,该电路采用两级放大结构,通过加入电容和电感负反馈可以分别实现低功耗约束下的噪声优化和高的线性度。采用TSMC0.18μm CMOS工艺模型设计与验证,实验结果表明:该低噪声放大器能很好满足要求,且具有1.4dB的噪声系数和好的线性度,输入1dB压缩点-7.8dBm,增益11dB,功耗11mW。  相似文献   
14.
王昭  梁振 《通信技术》2010,43(12):79-81
详细论述了一种具有极低功耗和高本振抑制的发射机,该发射机是射频收发芯片的重要组成部分,它起到将低频基带信号转化成射频信号,并以一定的功率发射出去的作用,由于其结构简单易于实现,具有较高的可靠性,所以可以大规模量产和使用。该发射机适用于时分同步码分多址接入(TD-SCDMA)系统并集成了电阻阵列衰减器(R2R),极大的降低了发射机的功耗。同时,该发射机采用了直流(DC)校正模块,可以极大的改善本振抑制并输出高质量的射频信号。  相似文献   
15.
杨京  周凤星 《通信技术》2010,43(6):120-122
ZigBee是一种低速无线个域网技术,适用于通信数据量小,速度相对较低,并且功耗低的场合。组网灵活是其一大特点,但是由于传输距离比较短,从而限制了其发展。基于ZigBee无线通信网络技术,提出了一种通过增大发射信号功率、提高接收信号灵敏度来增加系统传输距离的方法。使用ADS软件主要对功率放大电路和低噪声放大电路进行仿真与性能优化,从而得出最佳设计方案。仿真结果基本满足了系统功率和增益的要求。  相似文献   
16.
提出了0.13 μm CMOS工艺下可兼容多标准DVB-H/DAB/CMMB的移动数字电视调谐器射频前端双通道LNA设计。在UHF频段和L波段下,设计分别采用片上balun电路、双交叉耦合技术、开关转换电路、伪差分电路等技术以达到LNA宽带匹配、可变增益、低NF及高线性度的指标要求。版图后仿真结果显示:在UHF频段,仿真频率范围为470~860MHz,LNA增益范围为14.7~38.8dB,NF<2.4dB,IIP3=1.979dBm;在L波段,仿真频率范围为1.4~1.8 GHz,LNA增益范围为13~38.5 dB,NF<2.7 dB,IIP3=3.605 dBm。该设计较好地实现了多标准下LNA宽带可变增益性能。  相似文献   
17.
超宽带技术是一种无载波通信技术,利用纳秒至微微秒级的非正弦波窄脉冲传输数据,相对于窄带技术,使用超宽带技术进行无线传输具有很多优势.文章介绍了一种基于0.18 μmCMOS工艺、适用于超宽带无线通信系统接收前端的低噪声放大器.结合计算机辅助设计,可以看出经过优化后其S11和S22在3.1GHz~10.6GHz范围内都小...  相似文献   
18.
沈永锋  孙可君 《山西建筑》2011,37(26):158-159
通过对交通噪声形成原因的深入分析,详细论述了各类低噪声路面结构的作用机理,提出了适用于城市高架快速路的低噪声路面结构,以期有效降低城市高架快速路交通噪声对周边环境的影响。  相似文献   
19.
介绍了纳米CMOS器件及其新技术,同时利用安捷伦公司的ADS软件,基于台积电0.18μm的RFCMOS工艺,设计了中心频率为5.2GHz的纳米CMOS低噪声放大器,达到了较好的性能。  相似文献   
20.
马德胜  石寅  代伐 《半导体学报》2006,27(6):970-975
提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.  相似文献   
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