3GHz～5GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

提出了一个低噪声、高线性的超宽带低噪声放大器(UWB LNA).电路由窄带PCSNIM LNA拓扑结构和并联低Q负载结构组成,采用TSMC 0.18 μm RFCMOS工艺,并在其输入输出端引入了高阶带通滤波器.仿真结果表明,在1.8V直流电压下LNA的功耗约为10.6 mW.在3 GHz～5 GHz 的超宽带频段内,...     

一种低差分输出不匹配度的单转差分低噪声放大器

本文设计了一种应用于GPS接收机的单端输入差分输出低噪声放大器。我们提出了一种利用变压器或中心抽头差分电感中的电感耦合来降低差分输出不匹配度的方法。文中对降低不匹配度的原理进行了分析,并且讨论了如何选择电感尺寸。本文的LNA带ESD保护,使用TSMC 0.18um工艺实现,并且封装后在PCB上进行测试。LNA工作在1.575GHz,电压增益为24.6dB, 噪声系数为3.2dB,差分输出增益不匹配度小于0.2dB,相位不匹配度小于2度,LNA工作电压为1.8V,消耗5.2mA电流。     

基于低噪声运放的传感器前置放大器设计

随着低噪声运放技术的发展，基于低噪声运放的传感器前置放大器将得到越来越广泛的应用。与分立元件的传感器前置放大器设计相比，基于低噪声运放的传感器前置放大器设计面临一些新的挑战。探讨了基于低噪声运放的传感器前置放大器设计中的若干技术问题，包括低噪声运放的选择、同相放大与反相放大的选择、负反馈对噪声性能的影响、噪声匹配、外围电阻选择及合理布局布线。     

高精度低噪声MEMS陀螺仪电容读出电路

在研究电容式微机械陀螺信号通路工作原理的基础上,分析了影响电容式读出电路精度的各种非理想因素并进行了量化计算,设计了一款低噪声电容读出电路。该芯片采用高频调制原理实现了低频噪声的转移,同时提出了一款具有高电源抑制比的低噪声运算放大器,采用连续时间的电容读出方法研制了微机械陀螺ASIC电路。该芯片采用0.5μm CMOS工艺,芯片面积为3.5mm×3.4 mm,测试结果表明,该单片ASIC的输出级噪底为-117 dB,当陀螺仪量程为±300°/s时,分辨率可以达到0.00035°/s。     

适应于特殊信号的低噪声前置放大器

本文着重讨论了在超高频,超低频、高源和低源阻抗等特殊情况下,低噪声前置放大器的实用设计原则和利用E_a～R_s和E_n～f曲线来选择使用低噪声运放的正确方法,并给出了设计实例。文章还结合屏蔽、接地,相干检测等微弱信号检测理论,讨论了隔离放大器的内部结构和外部接线的原理,确立了外围元件的选择并给出了有关的计算公式。     

低功耗低噪声CMOS放大器设计与优化

分析了两种传统的基于共源共栅结构的低噪声放大器LNA技术:实现噪声优化和输入匹配SNIM技术并在功耗约束下同时实现噪声优化和输入匹配PCSNIM技术。针对其固有不足,提出了一种新的低功耗、低噪声放大器设计方法。     

A CMOS variable gain low-noise amplifier with ESD protection for 5 GHz applications

This paper presents a variable gain low-noise amplifier (VG-LNA) for 5 GHz applications.The effect of the input parasitic capacitance on the inductively degenerated common source LNA's input impedance is analyzed in detail.A new ESD and LNA co-design method was proposed to achieve good performance.In addition,by using a simple feedback loop at the second stage of the LNA,continuous gain control is realized.The measurement results of the proposed VG-LNA exhibit 25 dB (-3.3 dB to 21.7 dB) variable gain range,2.8 dB noise figure at the maximum gain and 1 dBm IIP3 at the minimum gain,while the DC power consumption is 9.9 mW under a 1.8 V supply voltage.     

超宽带低噪声放大器仿真设计

采用负反馈技术和集总参数匹配技术,选用VMMK-1218低噪声E-PHEMT晶体管,利用ADS进行仿真优化,设计了一种微波超宽带低噪声放大器。仿真结果显示,在0.5~4.5GHz范围内,放大器增益大于14.2 dB,平坦度小于1.1 dB,噪声系数小于0.85 dB,输入输出反射系数均小于-11 dB。设计结果可应用于各种宽带微波通信及雷达等领域。     

基于0.18 μm CMOS工艺的2.4/5.2 GHz双频段LNA的设计

采用0.18 μm CMOS工艺,实现了双频段低噪声放大器设计.通过射频选择开关,电路可以分别工作在无线局域网标准802.11g规定的2.4 GHz和802.11a规定的5.2 GHz频段.该低噪声放大器为共源共栅结构,设计中采用了噪声阻抗和输入阻抗同时匹配的噪声优化技术.电路仿真结果表明:在2.4 GHz频段电路线性增益为15.4 dB,噪声系数为2.3 dB,1 dB压缩点为-12.5 dBm,IIP3为-4.7 dBm;5.2 GHz频段线性增益为12.5 dB,噪声系数为2.9 dB,1 dB压缩点为-11.3 dBm,IIP3为-5.5 dBm.     

Design and analysis of a UWB low-noise amplifier in the 0.18μm CMOS process

An ultra-wideband （3.1-10.6 GHz） low-noise amplifier using the 0.18μm CMOS process is presented. It employs a wideband filter for impedance matching. The current-reused technique is adopted to lower the power consumption. The noise contributions of the second-order and third-order Chebyshev fliers for input matching are analyzed and compared in detail. The measured power gain is 12.4-14.5 dB within the bandwidth. NF ranged from 4.2 to 5.4 dB in 3.1-10.6 GHz. Good input matching is achieved over the entire bandwidth. The test chip consumes 9 mW （without output buffer for measurement） with a 1.8 V power supply and occupies 0.88 mm^2.