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71.
从主通风机叶片设计入手,采用三元流理论和叶片设计方法进行优化设计,运用三维软件造型功能将叶片的重心线进行调整,得到3种弯掠叶片。再通过模型风机装置进行试验测试,得到3种弯掠叶片在不同安装角下的性能参数,将3种弯掠叶片性能参数进行对比,找出适合现有设计方法、造型手段和加工工艺且噪声和效率最优的叶片形式。 相似文献
72.
在对低噪声CMOS图像传感器的研究中,除需关注其噪声外,目前数字化也是它的一个重要的研究和设计方向,设计了一种可用于低噪声CMOS图像传感器的12 bit,10 Msps的流水线型ADC,并基于0.5μm标准CMOS工艺进行了流片。最后,通过在PCB测试版上用本文设计的ADC实现了模拟输出的低噪声CMOS图像传感器的模数转换,并基于自主开发的成像测试系统进行了成像验证,结果表明,成像画面清晰,该ADC可作为低噪声CMOS图像传感器的芯片级模数转换器应用。 相似文献
73.
74.
75.
从使产品不易丧失工作能力的观点出发,简单介绍产品可靠性的概念,重点介绍提高产品系统抗干扰性能、研制低噪声电路、研究A/D转换技术、A/D转换与微机接口技术。 相似文献
76.
采用主流的室内实验室转鼓方法对变节距花纹轮胎噪声进行了测试。对具有复杂花纹的乘用轮胎和载重轮胎的噪声频谱特性进行对比分析。对于乘用轮胎,轮胎花纹噪声随着速度的增加呈现一个偏于线性的增长趋势;对于载重轮胎,轮胎花纹噪声反而没有明显的增长趋势,曲线较为平缓;不同品牌乘用轮胎与不同品牌载重轮胎在标准速度下的1/3倍频程频谱曲线变化趋势有较大差异;与手工刻制的等节距轮胎噪声相比,成品轮胎所采用的变节距花纹结构设计有效地降低了各频段噪声峰值;对于变节距花纹成品轮胎,波浪形态横沟设计优于锐角形态,更优于正交形态;连通组花纹结构优于半连通组,更优于不连通组。文章为低噪声轮胎花纹结构优化提供了有意义的参考结论。 相似文献
77.
78.
使用微波仿真软件ADS设计了一款用于2.03.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线,减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法,实现了PHEMT放大器在全频段的稳定性,并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.03.5 GHz无线通信的宽带低噪声放大器。匹配网络采用微带线,减小了分立元件的寄生效应。详细阐述了提高放大器稳定性的方法,实现了PHEMT放大器在全频段的稳定性,并分析了源极反馈电感对放大器性能的影响。在2.03.5 GHz频段内,放大器增益为12 dB左右,增益平坦度为0.23 dB,最大噪声系数为2.8 dB,输入输出驻波比小于2,三阶输出截点值OIP3大于35.5 dBm。设计的放大器可以用于无线通信的前段中。 相似文献
79.
Adiseno Mohammed Ismail Håkan Olsson 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2002,30(1):59-67
In this paper, a modified front-end receiver configuration, which consists of an LNA and mixer suitable for zero-IF or low-IF receivers, is presented. The idea is to achieve a better linearity for receivers by combining circuit and system level solutions. Three circuit topologies, two in bipolar and one in CMOS technology, are presented in this paper with their simulation results. One of the bipolar topologies has been implemented and measurement results are presented. An IIP3 of up to +0.6 dBm of a combined bipolar LNA and mixer is achieved, depending on frequency of interest and with an acceptable noise figure performance at a current consumption of less than 13 mA from 5 V supply voltage in one circuit and 3 V supply voltage in the other one. An IIP3 up to +5 dBm is achieved for the CMOS topology at a lower overall gain and acceptable noise figure (14.4 mA and 3 V). All circuits presented in this paper are wideband circuits, suitable for area-efficient multiband receivers. 相似文献
80.