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有机/无机复合透明耐磨薄膜的制备 总被引:6,自引:0,他引:6
以甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH-570)水解聚合产物作为主要成膜物质,引入正硅酸乙酯(TEO S)水解产物硅溶胶作为无机增强物,调节两种混合溶液pH值,利用两者羟基之间的共缩聚反应在聚碳酸酯(PC)板表面制备有机/无机复合透明耐磨薄膜;采用TG/DTA、FT-IR、SEM及UV-V IS对成膜过程、薄膜性能与结构进行表征。结果表明,KH-570和TEO S水解聚合产物通过共缩聚反应在PC板表面形成带有有机基团的无机交联网络,基本骨架由S i-O-S i组成,经120℃热处理后,薄膜均匀致密,提高了PC板的耐磨性,并有一定的增透作用。 相似文献
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997.
在高温激光测距传感器的前端,设计了一种自动防护门。测距时门打开,不测距时防护门能很快地自动关闭,以防止水雾、灰尘、氧化皮等进入传感器内影响传感器的正常使用。 相似文献
998.
Jeong Doo Lee Qi Min Wang Soo-Hyun Kim Tie-Gang Wang Dong-Woo Shin Kwang Ho Kim 《Surface & coatings technology》2012
Quaternary Cr–Si–O–N films were deposited by a hybrid coating system using a Cr cathodic arc target and a Si sputtering target in an Ar/N2/O2 gaseous mixture. The influence of oxygen flux rate on the microstructure and properties of the Cr–Si–O–N films were investigated. The results indicated that the oxygen-free Cr–Si–N film exhibited nanocolumnar microstructure containing CrN nano columns and amorphous Si3N4 phase. The Cr–Si–O–N films exhibit equiaxed CrN nanocrystallites likely surrounded by amorphous SiO2 and Si3N4 phases. Further increasing the oxygen content gives films containing Cr2O3 crystallites. The hardness first increases from 30 GPa for the Cr–Si–N film to a maximum value of approximately 50 GPa for the oxygen content of 16 at.% and then decreases for larger oxygen content. All the Cr–Si–O–N films exhibit low friction coefficient (0.22–0.26) and low residual stress (− 0.03–0.08 GPa). The influence of the oxygen content on the microstructure and mechanical properties of the Cr–Si–O–N films is discussed. 相似文献
999.
通过对双膜和多管膜式磺化反应器传质系数的计算与分析比较,表明传质系数的决定性因素是三氧化硫的扩散距离,其传质系数与实际情况较接近。又根据传质系数建立了反应高度与反应率的关系,分析了产品质量差异的原因,以及多管膜式磺化反应器和双膜式磺化反应器差异的原因。 相似文献
1000.
The stability of film boiling on a vertical, constant temperature wall is analyzed by a steady-state small perturbation method. It was found that large amplifications of the perturbations in the downstream direction are predicted when the vapor Reynolds number falls below a critical value, indicating a great tendency to collapse the vapor film. Using a relatively simple model for the film thickness, the minimum wall temperature required to sustain the vapor film is calculated. The results show a tendency which is in agreement with experimental observation. It is suggested, however, that using a more accurate model for the film thickness can lead to a good prediction of the minimum wall temperature and explain the large effect of liquid subcooling, system pressure, surface tension and other fluid properties. 相似文献