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51.
先进纳米集成电路工艺的发展使得微电子器件翻转的阈值电荷不断降低,导致数字电路中由单粒子效应引起的软错误率增加。为加强集成电路中标准单元的抗辐射特性,本文提出了一种抗单粒子瞬态(single-event transient, SET)加固的与非门结构。在三阱工艺下,通过将下拉网络中每一个NMOS管的衬底和源极各自短接,便有效地提高了与非门抗辐射性能,而且随着输入端数目的增加,本文提出的与非门加固效果更加明显。利用Sentaurus TCAD软件的混合仿真模式进行粒子入射仿真实验,对于与输出节点相连的NMOS管采用经过工艺校准的三维物理模型,其他MOS管采用工艺厂商提供的Spice模型。结果显示:在40 nm工艺下,当入射粒子线性能量传输(linear energy transfer, LET)值为10 MeV·cm2/mg时,本文提出的2输入与非门能够在3种输入的情况下降低输出电压扰动幅度。其中在N2管关闭的输入模式下,达到了对单粒子入射免疫的效果;对于3输入与非门,即使在“最坏”输入的情况下,也能使输出电压翻转幅度降低85.4%。因此,本文提...  相似文献   
52.
首先应用传输电压开关理论,提出了一种基本的基于NPN-NPN的BiCMOS驱动电路结构。然后,基于该驱电路动结构设计了二值BiCMOS非门电路,与非门电路和或非门电路结构。通过HPSPICE软件模拟,结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能。  相似文献   
53.
为了进一步提高TTL与非门的驱动负载的能力,并使学生及其有关TTL与非门的应用者踏实、清楚地掌握提高TTL与非门驱动负载的能力的原理和方法,用量化计算和试验的方法对TTL与非门带负载能力的实质进行了研究.肯定了已有提高TTL与非门驱动负载的能力的方法的道理,并提出了进一步一种减少,TTL与非门输出电阻的方法.经过理论和实验均证明具有一定的实用价值。  相似文献   
54.
数字集成电路有门电路,如非门(反相器)、与门、与非门、或门、或非门、异或门,还有其他的电路如触发器、计数器、锁存器、译码器等。数字集成电路通常用DIP封装,其外接电路一般有8脚、14脚、16脚、20脚、24脚;其中有两个脚接电源,其中一个是Vdd,接电源的正极;一个是Vss,接电源的负极。学习数字电路的最好方法是通过各种电路的实验、制作,进而认识和掌握它们的应用。从本期开始,将通过实验项目讲解,非门、与非门计数器等数字电路的应用。  相似文献   
55.
通过对两种非对称式TTL与非门多谐振荡器的分析,提 出了两种间接测量TTL与非门主要参数的方法,并对它们的可行性进行了实验验证。  相似文献   
56.
简述了三值逻辑电路的研究意义和数学基础理论,巧妙地用晶体管分立元件组建三值与非门电路,并在EEB电子工作平台下仿真实现.  相似文献   
57.
清卓 《电子世界》2011,(2):54-59
一、Revox简介Revox与Studer原本是瑞士ELAAG(ELA公司)的两个音响品牌,前者一般是民用产品,后者一般是专业产品,在公司的发展的过程中,也都曾是分公司/子公司的名称.现在,Studer品牌属于Harman-Kardon哈曼-卡顿)集团(始于1994年),Revox则属于瑞士的私人投资者.无论是Revo...  相似文献   
58.
本文通过对目前流行的四家 SN74LS00N与非门集成电路芯片的高电平输出特性(输出电压VOH与拉电流IOH的关系)的理论和实测研究,给出几乎所有讲解74LS00门电路的?数字电子技术?教材中忽略的和缺失的但确实应该给出的真实输出特性,同时还给出了拟合两个关键的内部电路参数的方法,这对廓清许多教师和电子工程师对输出高电平最小电压VOH(min)和最大电流IOH(max)的理解有帮助,并对该系列电子器件的实验教学、相关电子工程设计,以及对该课教材的编写、出版和教学起到积极的推动作用。  相似文献   
59.
基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计   总被引:2,自引:1,他引:2  
林弥  吕伟锋  孙玲玲 《半导体学报》2007,28(12):1983-1987
共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件,文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性,该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中。  相似文献   
60.
林弥  吕伟锋  孙玲玲 《半导体学报》2007,28(12):1983-1987
共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器件的负阻特性,以开关序列原理为指导,设计了基于RT电路的开关模型,实现了更为简单的三值RT与非门和或非门电路,并利用MOS网络模型,通过SPICE软件仿真验证了所设计电路的正确性.该设计思想可推广到更高值的多值电路设计中.  相似文献   
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