2-巯基苯并噻唑的合成与固体吸附剂对合成反应的影响

采用改进的苯胺-硝基苯混合法代替传统的苯胺法合成2-巯基苯并噻唑（促进剂M）,确定了最佳的合成条件：反应温度为240～260℃,反应时间为4h,产品收率大于80％．以活性氧化铝、二氧化硅和活性炭3种常见的固体吸附剂为催化剂,考察了固体吸附剂对合成反应的影响,催化效果明显：2-巯基苯并噻唑的收率由原来的80．6％提高到了85％以上,最高达到86．7％;反应时间由原来4h缩短为3h．     

杂化介孔二氧化硅溶胶的制备及表征

在室温、不同pH值条件下合成出纳米球形介孔二氧化硅溶胶。通过研究得出当pH=4时为最佳生产工艺,在pH=4条件下以十六烷基三甲基溴化铵为模板剂,利用正硅酸乙酯和硅烷偶联剂共水解制备了杂化介孔二氧化硅溶胶。运用激光纳米粒度仪、透射电镜、X射线衍射等测试方法对材料进行表征。结果表明:通过共水解溶胶-凝胶法成功合成了改性介孔二氧化硅溶胶,其粒径约为25 nm,具有规则的介孔结构和良好的分散性。     

利用AFM对单晶硅表面加工化学反应理论分析

以原子力显微镜为工具,在空气条件下对单晶硅片表面加工得到下凹的三维微结构。给出了AFM金刚石针尖在对单晶硅的微加工中的化学反应和加工模型。对加工条件下发生的化学反应及其原理进行了理论分析。用化学热力学定律、化学动力学原理和相关的热力学数据自由能、生成热、化学键能、活化能等分析加工过程中发生的反应是空气中O2与单晶硅Si反应生成二氧化硅的过程;金刚石针尖磨损发生的反应主要是空气中O2与金刚石针尖C反应生成CO2的过程。     

二氧化硅负载支链有机膦的合成及其在二氧化碳催化氢化反应中的催化性能

以改性二氧化硅为核,利用发散法合成出二氧化硅负载的1～6代端胺基树枝状高分子(SiO2-PAMAM),样品经FT-IR,TG和端胺基分析表征.利用功能化载体表面的氨基与[Ph2P(CH2OH)2]+Cl-发生反应,合成出SiO2-PAMAM负载的有机膦(SiO2-PAMAM-PPh2),与三氯化钌复配成催化体系,考察了其对吗啉存在下的二氧化碳催化氢化反应的催化性能,该催化体系的催化活性(TOF)可达4 195.     

二氧化硅消光剂简介

涂料中的消光剂是一类能够改变涂膜表面光学性能的助剂。这类助剂能够在涂膜表面产生预期的微粗糙度，以便使涂膜的光泽显降低。如果在涂料中加入颜料或填料，使之凸现于涂膜青表现，也可以向涂膜表面引入微粗糙度。表面的颗粒越多，微粗糙度直大，光泽度越低。生产无光涂料可以使用填料（例如轻质碳酸钙和滑石粉等），但所需要的用量较高，常常会超过涂料的临界颜料体积浓度而使涂膜的物理性能变差，而敷衍消光剂则可以避免这一问题。     

直接从水玻璃合成表面修饰的纳米SiO2微粒

采用溶胶-凝胶法，以水玻璃为原料，在加入复合表面活性剂和分数剂的条件下，与乙酸反应直接得到纳米表面修饰的SiO2微粒。TEM照片显示，纳米SiO2颗粒为球形，粒度为10-30nm，统计平均粒径为20nm。     

陶瓷原料中二氧化硅分析方法的对比与选择

本文综合各种文献 ,对陶瓷原料中SiO2 的各种分析方法的优缺点 ,使用条件 ,应用侧重点进行了比较与评述     

In3+离子在多孔SiO2干凝胶中的发光

采用常规的Sol-gel工艺合成了In^3 掺杂的多孔SiO2干凝胶，In^3 离子作为间隙离子存在于SiO2网络中，展示了一种新颖的发光现象，改变了多孔SiO2干凝胶的发射光谱。这种掺杂的多孔SiO2干凝胶的激发和发射光谱均由2个带组成，短波长的发光峰在440nm(λex=380nm），其相对荧光强度约是未掺杂的多孔SiO2干凝胶的4倍；长波长的发光峰（In^3 离子在多孔SiO2干凝胶的特征发射）在600nm(λex=476nm），其相对荧光强度约是In^3 掺杂ZnS纳米晶的10倍。由此可以看出：掺杂的多孔SiO2干凝胶是一种高效的发光材料。     

SiO_2-BiVO_4复合光催化剂的物化性能表征

在最佳制备工艺下制备得到Si O_2-Bi VO_4粉体复合光催化剂,对比在相同制备工艺下得到的纯Bi VO_4粉体光催化剂进行了X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、表面元素分析(EDS)、场发射扫描电镜(FE-SEM)、紫外-可见吸收光谱(UV-vis)、粉体比表面积测试和傅里叶红外光谱等表征。实验证明复合入Si O_2前后Bi VO_4的晶型没有发生改变,都为单斜白钨矿型。Si O_2对Bi VO_4进行表面修饰后,光催化剂的比表面积增大了许多,紫外-可见吸收性能有了很大的提高。Si元素未与Bi VO_4化学成键,而是以Si O_2的形式与Bi VO_4物理复合与修饰。     

免标记DNA电化学传感器测定凝血酶

研制了一种基于介孔二氧化硅负载纳米金和适体DNA的免标记电化学传感器,用于检测凝血酶的含量。实验中先用三甲基氯硅烷(TMCS)封闭介孔二氧化硅(MPS)前驱体外壁硅羟基的活性,煅烧除去模板剂后,再用氨基丙基三乙氧基硅烷(APTS)与孔道内壁硅羟基反应,接枝氨基,最后得到内壁修饰氨基的介孔硅材料(APTS-TMCS-MPS)。金纳米粒子(GNPs)通过与APTS-TMCS-MPS氨基的静电作用力组装到介孔孔道内,然后和巯基修饰的适体DNA通过金硫键相结合,制得免标记探针(DNA/GNPs/APTSTMCS-MPS)。将探针修饰在玻碳电极表面,制得免标记DNA电化学传感器。将该传感器与含有凝血酶的待测液温育反应后,凝血酶和固定在介孔内的适体DNA发生特异性反应,形成位阻较大的适体DNA和凝血酶的复合物,从而增加了介孔孔道内的空间位阻,导致电流响应信号降低。随着凝血酶浓度的增加,孔道内部的位阻也随之增加。根据形成的复合物对电子转移和响应电流的阻碍,可以实现对凝血酶的免标记测定。实验结果表明,APTS-TMCS-MPS介孔孔道内的GNPs,可以提高孔道内电子的传递效率。在优化的实验条件下,该免标记DNA电化学传感器对凝血酶的检测线性范围是1.0×10-8~1.0×10-6 mol·L-1,检测限是7.5×10-9 mol·L-1(3σ)。