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81.
在Matlab环境下对试验测取的示功图进行了修正处理,包括消除通道效应、上止点修正及压力的标定,并根据修正前后的示功图计算了放热率,计算结果表明所用修正方法是合理的. 相似文献
82.
大型储罐基础非平面倾斜问题的探讨 总被引:2,自引:0,他引:2
大型储罐因基础产生非平面倾斜而影响其正常使用的情况在工程中时有发生,文章通过对某油罐工程中基础沉降观测结果的分析,探讨了储罐基础产生非平面倾斜的原因。相邻储罐之间的相互影响、充水预压未达到规范要求以及地基处理措施不当是引起储罐基础非平面倾斜的主要因素。针对相邻储罐间的相互影响,根据现行《石油化工企业设计防火规范》和《石油化工企业钢储罐地基与基础设计规范》的规定,提出以下建议:储罐布置的净距除应满足防火规范规定外,有条件时也应适当考虑对基础沉降的影响,当采用复合地基时,相邻储罐间的净距不宜小于0.6 D;当占地面积成为主要矛盾,储罐间的净距只能限制在防火规范规定的最小范围时,在地基处理时就应采取有效措施,以尽可能减少相邻储罐的相互影响。 相似文献
83.
84.
商业化运营模式促进产业创新,一度成为深圳地区IC设计业的活力源泉。不过,在经历繁荣创业之后,本土企业的进一步发展需要整个成熟产业环境的支持,小而散的灵活性并不能支撑一个区域产业的长久竞争,长三角半导体产业的发展已经证明群聚效应带来的综合竞争力是1加1远大于2。 相似文献
85.
回复应变退火对铁锰硅合金形状记忆效应的影响 总被引:5,自引:3,他引:2
结果表明,预应变后的合金经回复应变退火后,组织转变分为三个阶段,形状记忆效应主要产生于475℃以前第一阶段的应力诱发ε马氏体向奥氏体转变,475℃以后的各阶段组织转变对形状记忆的效应不产生贡献。适宜的回复应变退火温度为500℃。 相似文献
86.
87.
88.
异质谷间转移电子器件的计算机模拟 总被引:2,自引:1,他引:1
薛舫时 《固体电子学研究与进展》1995,15(2):118-124
使用弛豫时间近似求出了描述两能谷间电子交换的方程。在此基础上建立了双能谷电子的连续性方程和油松方程。对具体的GaAs/AlxGa1-xAs异质谷间转移电子器件结构求解了这些方程组,得到了直流工作时器件内的电场分布、双能谷中载流子的布居以及两个能谷的电流分布。这些结果正好和常规Gunn器件相反,说明了两种器件的不同工作机理。最后通过对低Al组份势垒结构的计算说明了X谷电子注入对器件工作的重要作用。 相似文献
89.
研究了经溶液共混制备的聚对苯二甲酸乙二醇酯/聚碳酸酯(PET/PC)共混物的辐射效应。结果表明:PET/PC共混物在辐照过程中未发生酯交换反应和交联反应,但有降解反应发生。在研究的剂量范围内,辐照对PET/PC共混物中PET和PC的晶体形态影响不明显。 相似文献
90.
《陕西水利水电技术》1998,(2):59-64,87
引渭工程位于中国陕西西部,引水流量60m^3/s,灌溉农田13.3万hm^2,于1969年开工兴建,1971年建成通水,至今已运行了24年。 相似文献